微電子工藝考題

一、名詞解釋水汽氧氧化：氧化〔氧氣〕中攜帶一定量的水氣，氧化特性介于干氧與濕氧之間。恒定源擴(kuò)散：在擴(kuò)散過程中，硅片外表的雜質(zhì)濃度Ns始終保持不O變。例如，基區(qū)、發(fā)射區(qū)的預(yù)淀積，箱法擴(kuò)散。擴(kuò)散系數(shù)：描述粒子擴(kuò)散快慢的物理量，是微觀擴(kuò)散的宏觀描述。外延：一種在單晶或多晶襯底上生長一層單晶或多晶薄膜的技術(shù)。分辨率：光刻時所能得到的光刻圖形的最小尺寸，用來表征光刻的精度。二、簡述問答題2■微電子器件對接觸和互連有什么要求？獲得良好歐姆接觸的方法有哪幾種？答：對接觸和互連有的基本要求有：1〕能形成良好的歐姆接觸；2〕互連材料具有低的電阻率和良好的穩(wěn)定性；3〕可被精細(xì)刻蝕；4〕易淀積成膜；5〕粘附性好；6〕強(qiáng)的抗電遷移能力；7）便于鍵合。獲得良好歐姆接觸的方法有：1〕高摻雜歐姆接觸；2〕低勢壘歐姆接觸；3〕高復(fù)合歐姆接觸。答：1〕優(yōu)點(diǎn)：分辨率比光學(xué)曝光高；無需光刻板；曝光自動化，加工精度高；在真空中進(jìn)行；可直接觀察曝光的質(zhì)量。2）缺點(diǎn)：設(shè)備復(fù)雜，成本高；產(chǎn)量低；存在鄰近效應(yīng)。5.X光衍射晶體定向的基本原理是什么？答：1〕入射角九應(yīng)滿足：n九=2dsine；2〕晶面密勒指數(shù)〔hkl〕應(yīng)滿足：h2+k2+9=4n-1（n為奇數(shù)）,以及h2+k2+9=4n（n為偶數(shù)）。一、名詞解釋Moore定律：集成電路的集成度每3年增長4倍；特征尺寸每3年減小平方根2倍。分辨率:表征光刻精度，即光刻時所能得到的光刻圖形的最小尺寸。結(jié)深：pn結(jié)的幾何位置與擴(kuò)散層外表的距離。5.歐姆接觸:當(dāng)金屬與半導(dǎo)體的接觸電阻小到可忽略不計時，稱為歐姆接觸。二、選擇與填空題在溫度相同的情況下，制備相同厚度的氧化層，分別用干氧，濕氧和水汽氧化，哪個需要的時間最長？〔A〕二氧化硅膜能有效的對擴(kuò)散雜質(zhì)起掩蔽作用的基本條件有〔B〕雜質(zhì)在硅中的擴(kuò)散系數(shù)大于在二氧化硅中的擴(kuò)散系數(shù)雜質(zhì)在硅中的擴(kuò)散系數(shù)小于在二氧化硅中的擴(kuò)散系數(shù)二氧化硅的厚度大于雜質(zhì)在二氧化硅中的擴(kuò)散深度二氧化硅的厚度小于雜質(zhì)在二氧化硅中的擴(kuò)散深度A.②④B.①③C①④D.②③離子注入與熱擴(kuò)散相比，哪個橫向效應(yīng)小〔A〕A.離子注入B.熱擴(kuò)散在LPCVD中由于hG?kS,質(zhì)量轉(zhuǎn)移系數(shù)遠(yuǎn)大于外表反應(yīng)速率常數(shù)，所以LPCVD系統(tǒng)中，淀積過程主要是質(zhì)量轉(zhuǎn)移控制錯〔對7錯〕預(yù)淀積是在較低溫度下〔與再分布相比〕，采用恒定〔外表〕源擴(kuò)散方式，在硅片外表擴(kuò)散一層數(shù)量一定按余誤差〔函數(shù)〕形式分布的雜質(zhì)。擴(kuò)散只用于淺結(jié)的制備錯（對/錯）不管正膠或負(fù)膠，光刻過程中都包括如下步驟：①涂膠②前烘③曝光④顯影⑤堅膜⑥刻蝕⑦去膠。干法刻蝕適用于細(xì)（粗/細(xì)）線條。曝光后顯影時感光的膠層溶解了，沒有感光的膠層不溶解留下了，這種膠稱為正膠。CMP是chemicalmechanicalpolishing（化學(xué)機(jī)械拋光）的英文縮寫。CVD是chemicalvapordeposition（化學(xué)氣相淀積）的英文縮寫。一、名詞解釋互連:將同一芯片內(nèi)的各個獨(dú)立的元器件連接成為具有一定功能的電路模塊;阱:在襯底上形成的、摻雜類型與襯底相反的區(qū)域;耳非橋鍵氧:在SiO2中只與一個Si原子連接的氧;4.平均投影射程RP:平均投影射程就是射程的平均值，也就是離子注入深度的平均值；5.再分布:將由預(yù)淀積引入的雜質(zhì)作為擴(kuò)散源，在較高溫度下進(jìn)行擴(kuò)散。擴(kuò)散的同時也往往進(jìn)行氧化。再分布的目的是為了控制外表濃度和擴(kuò)散深度。二、選擇與填空題1半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中所制備的二氧化硅薄膜屬于（B）。A.結(jié)晶形二氧化硅，B.無定形二氧化硅。2?不管正膠或負(fù)膠，光刻過程中都包括如下步驟:1.刻蝕、2.前烘、3..顯影、4.去膠、5.涂膠、6.曝光、7.堅膜，以下選項排列正確的選項是：〔D〕A.2561437，B.5263471，C.5263741，D.5263714。3.下面選項屬于主擴(kuò)散的作用有〔D〕調(diào)節(jié)外表濃度、2.控制進(jìn)入硅外表內(nèi)部的雜質(zhì)總量、3.控制結(jié)深，A.l,B.2，C.3，D.1、3。在LPCVD中，由于hG>>kS，即質(zhì)量轉(zhuǎn)移系數(shù)遠(yuǎn)大于外表反應(yīng)速率常數(shù)，所以，LPCVD系統(tǒng)中，淀積過程主要是外表反應(yīng)速率控制對〔對/錯〕曝光后顯影時感光的膠層沒有溶解，沒有感光的膠層溶解，這種膠為負(fù)（正/負(fù)）膠。負(fù)膠適于刻蝕粗（細(xì)/粗）線條。SiN4薄膜在集成電路中的應(yīng)用主要有：A.鈍化膜，B.選擇氧化，C.電容介質(zhì)，由于氮化硅膜介電常數(shù)大，所以被用作〔C〕入射離子的兩種能量損失模型為：核碰撞和電子碰撞。10?離子注入與熱擴(kuò)散相比，哪個橫向效應(yīng)小〔A〕A.離子注入，B.熱擴(kuò)散。雜質(zhì)原子〔或離子〕在半導(dǎo)體晶片中的擴(kuò)散機(jī)構(gòu)比較復(fù)雜，但主要可分為兩種機(jī)構(gòu)：替位式擴(kuò)散和間隙式擴(kuò)散。有限外表源擴(kuò)散的雜質(zhì)分布服從高斯分布。13?化學(xué)氣相淀積SiO2與熱生長SiO2相比較，下面哪些說法是正確的：〔E〕1.熱生長SiO2只能在Si襯底上生長；2.CVDSiO2可以淀積在硅襯底上，也可以淀