電力電子應用技術-第二講半導體器件發(fā)展

中國半導體器件發(fā)展史國際半導體器件發(fā)展進程分立器件發(fā)展階段（1956－1964）1956年，我國提出“向科學進軍”，根據(jù)國外發(fā)展電子器件的進程，提出了中國也要研究半導體科學，把半導體技術列為國家四大緊急措施之一1957年，北京電子管廠通過還原氧化鍺，拉出了鍺單晶。同年，中國相繼研制出鍺點接觸二極管和三極管（即晶體管）。1959年，在天津拉制了硅（Si）單晶。1960年，中科院在北京建立半導體研究所，同年在河北建立工業(yè)性專業(yè)化研究所DD第十三所（河北半導體研究所）。1962年，天津拉制出砷化鎵單晶（GaAs），為研究制備其他化合物半導體打下了基礎。1963年，河北半導體研究所研發(fā)了硅平面型晶體管。1964年，研發(fā)出硅外延平面型晶體管。

。IC初始發(fā)展階段（1965－1980）1965年，DTL型數(shù)字邏輯電路1966年，TTL型數(shù)字電路（文革開始）1975年，中國科學院109廠研制了ECL型(發(fā)射極藕合邏輯)電路1972年，中國第一塊PMOS型LST電路在四川永川半導體研究所研制成功。之后又研制成CMOS電路。在此期間，集成電路一經出現(xiàn)，隨著設備和工藝的不斷發(fā)展，集成度迅速提高。從小規(guī)模集成（SSI），經過中規(guī)模集成（MSL），很快發(fā)展到大規(guī)模集成（LSI）。此時美國已進入超大規(guī)模集成（VLSI）。在技術上中國都依靠自己的力量，只是從國外進口了一些水平較低的工藝設備，與國外差距逐漸加大。在這期間美國和日本已先后進入ＩＣ規(guī)模生產的階段。IC集中發(fā)展階段（1981－1995）1982年，提出“六五”期間要對半導體工業(yè)進行技術改造。1982年，江蘇無錫的江南無線電器材廠（742廠）IC生產線建成驗收投產，這是中國第一次從國外引進集成電路技術。1986年，提出“七五”期間我國集成電路技術“531”發(fā)展戰(zhàn)略，即普及推廣5微米技術，開發(fā)3微米技術，進行1微米技術科技攻關。在這期間美國和日本已先后進入ＩＣ規(guī)模生產的階段，IC產量暴增，相關技術不斷成熟。中國與世界成熟技術的差距進一步加大。IC快速發(fā)展階段（1996－2010）1995年，電子部提出“九五”集成電路發(fā)展戰(zhàn)略：以市場為導向，以CAD為突破口，產學研用相結合，以我為主，開展國際合作，強化投資，加強重點工程和技術創(chuàng)新能力的建設，促進集成電路產業(yè)進入良性循環(huán)。1998年1月，中國華大集成電路設計中心向國內外用戶推出了熊貓2000系統(tǒng)，這是我國自主開發(fā)的一套EDA系統(tǒng)，可以滿足亞微米和深亞微米工藝需要，可處理規(guī)模達百萬門級，支持高層次設計。1998年3月，由西安交通大學開元集團微電子科技有限公司自行設計開發(fā)的我國第一個-CMOS微型彩色攝像芯片開發(fā)成功黃昆（1919-2005），世界著名物理學家、中國固體和半導體物理學奠基人之一、杰出教育家。受邀與波恩著《晶格動力學》，至今仍是該領域權威著作。提出“黃方程”和由此引伸的極化元的重要概念，對理論物理發(fā)展作出重要貢獻。1956年北大任教主持中國半導體物理專業(yè)的創(chuàng)建工作，著《固體物理學》為中國信息產業(yè)培養(yǎng)第一批人才。1977年任科學院半導體所所長為中國半導體科學技術的復蘇發(fā)揮重要作用。2001年獲國家最高科學技術獎。謝希德（1921-2000）著名固體物理學家、教育家、社會活動家、第三世界科學院院士。1946年畢業(yè)于廈門大學數(shù)理學系。后留學美國，獲麻省理工學院博士學位。1952年10月回國到復旦大學任教。中國半導體物理學科和表面物理學科開創(chuàng)者和奠基人，在表面和界面物理以及量子器件和異質結構電子性質理論研究方面成果突出。主要著作有《半導體物理學》、《固體物理學》、《群論及其在固體中的應用》、《表面物理》等高鼎三（1912-2004）著名半導體物理與器件學家、微電子與光電子專家、吉林大學教授、中國工程院院士。1937年考入交通大學。1947年赴美國加利福尼亞大學留學。1955年回國，到東北人民大學（現(xiàn)吉林大學）任教。1959年他主持建立了全國第一個半導體系，成功研制了我國首個鍺功率器件，是我國半導體事業(yè)的開拓者。林蘭英（1918-2003）中國半導體材料之母。中國科學院半導體研究所研究員。長期從事半導體材料科學研究工作，是我國半導體科學事業(yè)開拓者之一。1940年畢業(yè)于福建協(xié)和大學（福建師范大學前身）物理系；1955年獲美國賓夕法尼亞大學博士學位。先后負責研制成我國第一根硅、銻化銦、砷化鎵、磷化鎵等單晶，為我國微電子和光電子學的發(fā)展奠定了基礎；負責研制的高純度汽相和液相外延材料達到國際先水平。吳錫九業(yè)于麻省理工大學，碩士學位，是中國第一代晶體管、晶體管計算機和微型計算機的奠基人。目前為美中綠色能源促進會主席。1958年，吳錫九與其團隊成功研制和孕育出我國第一個晶體管1959年至1960年間，吳錫九又馬不停蹄地投入到“109”機研制和創(chuàng)辦“109”工廠工作中，最終“109”機獲得成功，成為當時亞洲運算速度最快的計算機，被譽為“功勛計算機”