半導(dǎo)體表面與MIS結(jié)構(gòu)

本章內(nèi)容提要表面態(tài)表面電場效應(yīng)MIS結(jié)構(gòu)C-V特性硅－二氧化硅系統(tǒng)表面電導(dǎo)8半導(dǎo)體表面與MIS結(jié)構(gòu)PSGN-SiP+P-P+N+N+CMOS集成電路工藝--以P阱硅柵CMOS為例表面：固體與真空之間的分界面。界面：不同相或不同類的物質(zhì)之間的分界面。固體有限表面界面周圍的環(huán)境相互作用物理和化學(xué)特性產(chǎn)生很大影響新興的多學(xué)科綜合性邊緣學(xué)科主要內(nèi)容表面電場效應(yīng)表面態(tài)表面電導(dǎo)及遷移率硅－二氧化硅系統(tǒng)（了解）MIS結(jié)構(gòu)電容－電壓特性清潔表面：一個(gè)沒有雜質(zhì)吸附和氧化層的實(shí)際表面真實(shí)表面：由于環(huán)境的影響，實(shí)際接觸的表面往往生成氧化物或其他化合物，還可能有物理吸附層，甚至還有與表面接觸過的多種物體留下的痕跡。8.1表面態(tài)1.理想表面和實(shí)際表面理想表面：表面層中原子排列的對稱性與體內(nèi)原子完全相同，且表面不附著任何原子或分子的半無限晶體表面。實(shí)際表面清潔表面表面馳豫：沿垂直表面方向偏離平衡位置

表面重構(gòu)：沿平行表面方向偏離平衡位置

總結(jié)：“表面”并不是一個(gè)幾何面，而是指大塊晶體的三維周期結(jié)構(gòu)與真空之間的過渡區(qū)，它包括了所有不具有體內(nèi)三維周期性的原子層。硅理想表面示意圖表面能級(jí)示意圖一定條件下，每個(gè)表面原子在禁帶中對應(yīng)一個(gè)表面能級(jí)2.表面態(tài)體內(nèi)：周期性勢場因晶體的不完整性（雜質(zhì)原子或晶格缺陷）的存在而受到破壞時(shí)，會(huì)在禁帶中出現(xiàn)附加能級(jí)。表面：在垂直表面的方向上破壞了原來三維無限晶格的周期性晶格電子的勢能在垂直表面的方向上不再存在平移對稱性哈密頓的本征值譜中出現(xiàn)了一些新的本征值附加電子能態(tài)（表面態(tài)）形成機(jī)理：達(dá)姆(Tamm)表面態(tài)：晶格中斷引起，能量位于禁帶中（1932年），與雜質(zhì)能級(jí)相聯(lián)系的表面態(tài)肖克萊(shockley)表面態(tài)：（源于原子能級(jí)）晶格常數(shù)小于某一數(shù)值以至能帶發(fā)生交迭時(shí)才可能分裂出兩個(gè)位于禁帶當(dāng)中的定域于表面的能態(tài)（1939年）,與勢場在兩原子層中間突然終止相對應(yīng)

存在狀態(tài)：本征表面態(tài)：即清潔表面的電子態(tài)，表面馳豫和表面重構(gòu)對表面電子態(tài)影響大（沒有外來雜質(zhì)）外誘表面態(tài)：表面雜質(zhì)，吸附原子和其他不完整性產(chǎn)生表面態(tài)特性：

可以成為半導(dǎo)體少數(shù)載流子有效的產(chǎn)生和復(fù)合中心，決定了表面復(fù)合的特性。對多數(shù)載流子起散射作用，降低表面遷移率，影響表面電導(dǎo)。產(chǎn)生垂直半導(dǎo)體表面的電場，引起表面電場效應(yīng)。

補(bǔ)充：金屬半導(dǎo)體接觸及其能級(jí)圖（復(fù)習(xí)）與電子作用：類施主態(tài)：空態(tài)時(shí)帶正電，被一個(gè)電子占據(jù)后為中性的表面態(tài)類受主態(tài)：空態(tài)時(shí)為中性，被一個(gè)電子占據(jù)后帶負(fù)電的表面態(tài)金屬和半導(dǎo)體的功函數(shù)功函數(shù)：金屬中的電子從金屬中逸出，需由外界供給它足夠的能量，這個(gè)能量的最低值被稱為功函數(shù)Wm=E0-(EF)m金屬中的電子勢阱半導(dǎo)體的功函數(shù)和電子親和能E0為真空電子能級(jí)

Ws=E0-(EF)s

x=E0-Ec

Ws=x+[Ec-(EF)s]=x+EnEn=Ec-(EF)s電子親和能8.2表面電場效應(yīng)1.表面電場的產(chǎn)生表面態(tài)與體內(nèi)電子態(tài)之間交換電子金屬與半導(dǎo)體接觸時(shí)，功函數(shù)不同，形成接觸電勢差半導(dǎo)體表面的氧化層或其它絕緣層中存在的各種電荷，絕緣層外表面吸附的離子MOS或MIS結(jié)構(gòu)中，在金屬柵極和半導(dǎo)體間施加電壓時(shí)離子晶體的表面和晶粒間界2.空間電荷層和表面勢（金屬與半導(dǎo)體間加電壓）外加表面電場空間電荷層空間電荷層：為了屏蔽表面電場的作用，半導(dǎo)體表面所形成有一定寬度的“空間電荷層”或叫“空間電荷區(qū)”，其寬度從零點(diǎn)幾微米到幾個(gè)微米。表面勢MIS結(jié)構(gòu)表面空間電荷區(qū)內(nèi)能帶的彎曲假設(shè)：金半接觸的功函數(shù)差為零；絕緣層內(nèi)無電荷；絕緣層與半導(dǎo)體界面處不存在任何界面態(tài)。表面電場和表面勢注意研究的區(qū)域金屬中自由電荷密度高，電荷分布在一個(gè)原子層的厚度自由載流子密度要低得多表面勢：空間電荷層內(nèi)的電場從表面到體內(nèi)逐漸減弱直到為零，電勢發(fā)生相應(yīng)變化，電勢變化迭加在電子的電位能上，使得空間電荷層內(nèi)的能帶發(fā)生彎曲，“表面勢VS”就是為描述能帶變曲的方向和程度而引入的。表面電場可以改變表面電導(dǎo)表面空間電荷層的電荷與Vs有關(guān)，表現(xiàn)出電容效應(yīng)表面電勢比內(nèi)部高時(shí)取正值。表面勢及空間電荷區(qū)內(nèi)電荷的分布情況隨金屬與半導(dǎo)體間所加電壓VG而變化，分為堆積、耗盡和反型三種情況。由波耳茲曼統(tǒng)計(jì)，表面層載流子濃度ns、ps和體內(nèi)平衡載流子濃度n0、p0的關(guān)系為：

理想MIS結(jié)構(gòu)（p型）在各種VG下的表面勢和空間電荷分布（a）多子堆積；（b）多子耗盡；（c）反型VG＝V0＋VS（V0為絕緣層壓降）注意(1)多數(shù)載流子堆積狀態(tài)（p型）(2)多數(shù)載流子耗盡狀態(tài)(3)少數(shù)載流子反型狀態(tài)VG<0Vs<0能帶上彎熱平衡時(shí)半導(dǎo)體內(nèi)EF為定值價(jià)帶頂與EF靠近價(jià)帶空穴濃度增加表面層空穴堆積（正電荷）能帶下彎價(jià)帶頂離EF越遠(yuǎn)價(jià)帶空穴濃度降低表面層空穴耗盡（負(fù)電荷，電離受主）VG>0進(jìn)一步增加能帶進(jìn)一步下彎（EF高于Ei）電子濃度超過空穴濃度，反型層（負(fù)電荷，電離受主、電子）VB>Vs>0Vs>VB>0qVB＝（

Ei－EF

）體內(nèi)勢VG>0Vs>0反型狀態(tài)

弱反型：

強(qiáng)反型：

推導(dǎo)強(qiáng)反型的條件Vs＝2VB及VB值（設(shè)非簡并條件下受主全部電離）p型半導(dǎo)體表面反型時(shí)的能帶圖n型半導(dǎo)體如何討論??！弱反型強(qiáng)反型表面反型條件出現(xiàn)強(qiáng)反型的臨界條件，ns=pp0強(qiáng)反型出現(xiàn)

p型硅中，|QS|與表面勢Vs的關(guān)系求解泊松方程表面層中電場強(qiáng)度Es、電勢高斯定理表面空間電荷層Vs向負(fù)值方向增大，Qs急劇增加Es＝0，Qs＝0，

C（平帶電容）Es，Qs正比于(Vs)1/2弱反和強(qiáng)反變化不同表面電場，表面電荷和表面層電容都隨VS指數(shù)增長

（強(qiáng)反型狀態(tài)（VS≥2VB））反型層中電子濃度增加隨VS指數(shù)增長的電子濃度完全屏蔽了其后繼續(xù)增長的外電場表面耗盡層的厚度將達(dá)到一個(gè)最大值，不再隨外電場增長而加寬表面出現(xiàn)的高電導(dǎo)層，形成了所謂“反型溝道”

(MOS晶體管工作依據(jù))總結(jié)：

Vs<0Vs=0VB>Vs>0Vs=VB>0

Vs>VB>0強(qiáng)反型Vs>2VBMOS器件平衡態(tài)：（VG

不變或速率慢）(4)深耗盡狀態(tài)施加幅度較大的正柵壓形成反型層（穩(wěn)定）（過渡過程）深耗盡狀態(tài)加壓瞬間，電子來不及產(chǎn)生，無反型層寬度（隨正柵壓增大而增大）很寬的耗盡層中的電離受主補(bǔ)償金屬柵極大量正電荷（電中性要求）Vs特別大，-qVs特別低，電子的表面深勢阱不穩(wěn)定態(tài)表面電場幅度較大，變化快少子來不及產(chǎn)生無反型層多子（空穴）進(jìn)一步向體內(nèi)深耗盡狀態(tài)（非平衡態(tài)）CCD工作的基礎(chǔ)不穩(wěn)定態(tài)耗盡層中少數(shù)載流子濃度小于平衡濃度，產(chǎn)生率大于復(fù)合率，電子-空穴對產(chǎn)生電子和空穴分別向表面和體內(nèi)運(yùn)動(dòng)空穴到達(dá)耗盡層與體內(nèi)中性區(qū)交界處，中和電離受主，耗盡層寬度減小反型層形成耗盡層寬度一定產(chǎn)生率等于復(fù)合率達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)引入代表信息的電子電荷填充電子勢阱勢阱深度的減小與存儲(chǔ)的電荷量成正比電子向表面運(yùn)動(dòng)MOS柵極施加脈沖電壓時(shí)，能帶和相應(yīng)的勢阱變化電子表面深勢阱非穩(wěn)態(tài)穩(wěn)態(tài)3.MOS場效應(yīng)晶體管及CCD器件(1)MOS場效應(yīng)晶體管N溝道MOS場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)示意圖（源）（柵）（漏）N溝道S→D：n+-p-n+結(jié)，之間加電壓只有很小電流G加外電場足夠強(qiáng)：S與D之間二氧化硅以下p型硅出現(xiàn)反型層?xùn)艠O電場強(qiáng)度溝道寬窄調(diào)制半導(dǎo)體導(dǎo)電能力8.3MIS結(jié)構(gòu)的電容－電壓特性（C-V）1.理想MIS結(jié)構(gòu)的C-V特性MIS結(jié)構(gòu)電容MIS結(jié)構(gòu)的等效電路耗盡狀態(tài)：VG增加，x

d增大，Cs減小，CD段

Vs>2VB時(shí)：EF段（低頻）高頻時(shí)：反型層中電子數(shù)量不能隨高頻信號(hào)而變，對電容無貢獻(xiàn)，還是由耗盡層的電荷變化決定（強(qiáng)反型達(dá)到xdm不隨VG變化，電容保持最小值）；GH段MIS結(jié)構(gòu)C-V曲線絕對值較大時(shí)，C＝C0，AB段（半導(dǎo)體看成導(dǎo)通）絕對值較小時(shí)，隨V增加而減小，BC段CFB（1）VG<0（2）VG＝0（3）VG>0理想MIS結(jié)構(gòu)的C-V曲線（以p型為例）頻率對MIS的C-V特性影響n型半導(dǎo)體MIS結(jié)構(gòu)的C-V特性2.金屬與半導(dǎo)體功函數(shù)差對MIS結(jié)構(gòu)C-V特性的影響金屬與半導(dǎo)體功函數(shù)差對MIS結(jié)構(gòu)C-V特性的影響VG＝0平帶情形p型硅的功函數(shù)>金屬Al電子從金屬流向半導(dǎo)體產(chǎn)生指向半導(dǎo)體的內(nèi)部電場達(dá)到平衡，費(fèi)米能級(jí)相等施加平帶電壓,抵消功函數(shù)不同產(chǎn)生的電場和能帶彎曲VFB＝－Vms功函數(shù)對C-V特性曲線的影響絕緣層中薄層電荷的影響VG＝0平帶情形3.絕緣層中電荷對MIS結(jié)構(gòu)C-V特性的影響同理，當(dāng)MIS結(jié)構(gòu)的絕緣層中存在電荷時(shí)，同樣可引起C-V曲線沿電壓軸平移VFB薄層電荷Q感應(yīng)金屬表面、半導(dǎo)體表面層符號(hào)相反電荷半導(dǎo)體空間電荷層產(chǎn)生電場8.4硅－二氧化硅系統(tǒng)的性質(zhì)（了解）BST鐵電薄膜熱釋電單元紅外探測器結(jié)構(gòu)示意圖BST鐵電薄膜熱釋電單元紅外探測器

P+-SiO2SiO2SiO2Si（5）形成背面Si腐蝕窗口SiSiO2（6）制備微橋SiSiSi

P+-SiO2SiO2

Pt/Ti（7）正面蒸Ti、濺射PtSiSi（8）底電極圖形刻蝕SiO2

P+-SiO2SiO2

Pt/TiSiSiSiO2

BSTfilm（9）制備BST薄膜SiSiSiO2

BSTfilm

Ni/Cr（10）刻蝕BST薄膜及上電極圖形（3）刻蝕正面SiO2SiO2（1）清洗硅片Si（2）硅片熱氧化Si

P+-SiO2

SiO2（4）擴(kuò)硼SiSiBST鐵電薄膜熱釋電紅外探測器制備工藝步驟

二氧化硅層中的可動(dòng)離子（Na+K+H+）二氧化硅層中的固定電荷

（位于Si-SiO2界面附近20nm附近）