標(biāo)準(zhǔn)解讀

GB/T 13178-1991 是一項(xiàng)中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)，全稱為《金硅面壘型探測(cè)器》。這項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了金硅面壘型探測(cè)器（Gold-Silicon Surface Barrier Detector）的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和儲(chǔ)存要求，旨在統(tǒng)一和提升此類探測(cè)器的質(zhì)量與性能指標(biāo)，確保其在核物理實(shí)驗(yàn)、輻射監(jiān)測(cè)、環(huán)境檢測(cè)等領(lǐng)域的可靠應(yīng)用。

技術(shù)要求部分：

  • 材料與結(jié)構(gòu)：明確了金硅面壘型探測(cè)器應(yīng)采用高純度硅單晶作為基材，并在其表面沉積一層薄金膜形成阻擋層。對(duì)硅片的電阻率、純度以及金膜的厚度和均勻性有具體規(guī)定。
  • 電性能指標(biāo)：規(guī)定了探測(cè)器的泄漏電流、耗盡層寬度、能量分辨率等關(guān)鍵電性能參數(shù)的最低要求，以確保探測(cè)器具有良好的靈敏度和穩(wěn)定性。
  • 機(jī)械及環(huán)境適應(yīng)性：包括了對(duì)外形尺寸、機(jī)械強(qiáng)度、工作溫度范圍以及抗輻射能力等方面的要求，確保探測(cè)器在不同環(huán)境條件下的穩(wěn)定工作性能。

試驗(yàn)方法部分：

  • 描述了如何測(cè)試和評(píng)估探測(cè)器的各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)，如使用特定的電壓源測(cè)量泄漏電流，通過輻射源測(cè)試能量分辨率等，確保測(cè)試過程的標(biāo)準(zhǔn)化和可重復(fù)性。

檢驗(yàn)規(guī)則部分：

  • 規(guī)定了產(chǎn)品出廠前應(yīng)進(jìn)行的檢驗(yàn)類型（如全檢或抽樣檢驗(yàn)）、檢驗(yàn)項(xiàng)目、合格判定準(zhǔn)則等，確保每批產(chǎn)品的質(zhì)量符合標(biāo)準(zhǔn)要求。

標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和儲(chǔ)存部分：

  • 要求制造商需在產(chǎn)品上明確標(biāo)注型號(hào)、生產(chǎn)日期、制造商信息等，并對(duì)包裝材料、方式以及在運(yùn)輸和儲(chǔ)存過程中的環(huán)境條件（如溫度、濕度）提出具體要求，以防止探測(cè)器在非使用階段受損。

該標(biāo)準(zhǔn)的實(shí)施為金硅面壘型探測(cè)器的生產(chǎn)和應(yīng)用提供了統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)依據(jù)，有助于提升產(chǎn)品的互換性和兼容性，促進(jìn)相關(guān)行業(yè)技術(shù)進(jìn)步和市場(chǎng)健康發(fā)展。


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  • 已被新標(biāo)準(zhǔn)代替，建議下載現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)GB/T 13178-2008
  • 1991-04-11 頒布
  • 1992-05-01 實(shí)施
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文檔簡介

UDC539.1.074.5F88中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T13178-91金硅面壘型探測(cè)器Partiallydepletedgoldsiliconsurfacebarrierdetectors1991-04-11發(fā)布1992-05-01實(shí)施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

(京)新登字023號(hào)中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)金硅面墊型探測(cè)器GB/T13178-91中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復(fù)興門外三里河北街16號(hào)郵政編碼：100045htp//電話：63787337、637874471992年6月第一版2004年12月電子版制作書號(hào)：155066·1-8721版權(quán)專有浸權(quán)必究舉報(bào)電話：（010）68533533

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)專硅面壘型探測(cè)器金CB/T13178-91Partiallydepletedgoldsiliconsurfacebarrierdetectors主題內(nèi)客與適用范摩本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了部分耗盡金硅面全型探測(cè)器(簡稱探測(cè)器)的分類、技術(shù)要求、測(cè)試方法、檢驗(yàn)規(guī)則等。本標(biāo)準(zhǔn)適用于部分耗盡金硅面全型探測(cè)器(不包括位置靈敏探測(cè)器)。鋰源移金硅面全型探測(cè)器也可參照?qǐng)?zhí)行、2引用標(biāo)準(zhǔn)GB5201帶電粒子半導(dǎo)體探測(cè)器測(cè)試方法GB10257核儀器與核輻射探測(cè)器質(zhì)量檢驗(yàn)規(guī)則術(shù)語、符號(hào)、代號(hào)3.1術(shù)語3.1.1面壘型半導(dǎo)體探測(cè)器surfacebarriersemiconductordetector由表面上的反型層產(chǎn)生的結(jié)形成勢(shì)壘的半導(dǎo)體探測(cè)器。3.1.2耗盡層(靈敏層）depletionlanyer半導(dǎo)體探測(cè)器中構(gòu)成靈敏體積的一層半導(dǎo)體材料，粒子在其中損耗能量的絕大部分對(duì)輸出信號(hào)均有貢獻(xiàn)3.1.3部分耗盡partialdepletion耗盡層深度小于半導(dǎo)體材料基片的厚度，3.1.4靈敏面積8ensitivearea探測(cè)器中輻射最易進(jìn)入耗盡層的那部分面積。3.1.5半高寬（FwHM）fullwidthathalfmaximum在僅由單峰構(gòu)成的分布曲線上，峰值一半處兩點(diǎn)的橫坐標(biāo)之間的距離。3.1.6能量分辨率energyresolution深測(cè)器對(duì)能譜高度分布FWHM的貢獻(xiàn)（包括探測(cè)器漏電流噪聲)以能量單位表示.3.2符號(hào)、代號(hào)3.2.1Q對(duì)"Am源5.486MeV的粒子，使用標(biāo)準(zhǔn)電子學(xué)設(shè)備，成形時(shí)間常數(shù)為0.5rs時(shí),表示整個(gè)系統(tǒng)的分辨率(keV)。3.2.2B在3.2.1同樣條件下,表示由脈沖產(chǎn)生器信號(hào)峰的半高寬(FWHM)近似的

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