【大綱創(chuàng)新設計】高考化學一輪復習 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)課件 新人教選修3

1．基態(tài)原子核外電子排布(鮑林近似能級圖)2．原子的成鍵特征與分子構(gòu)型關(guān)系 sp雜化：直線形(如BeCl2、HgCl2)；sp2雜化：平面三角形(如BF3、BCl3)；sp3雜化：四面體形(如CH4、CCl4)、三角錐形(如NH3)、V形(如H2O)。3．Cu與Cr原子的電子排布式本章重點提示1．σ鍵和π鍵的區(qū)別

從軌道重疊方式來看可分為σ鍵和π鍵，σ鍵是指原子軌道以“頭碰頭”^方式相互重疊導致電子在核間出現(xiàn)的概率增大而形成的共價鍵；π鍵是指原子軌道以“肩并肩”方式相互重疊導致電子在核間出現(xiàn)的概率增大而形成的共價鍵。2．極性鍵和非極性鍵的區(qū)別3．共價鍵的極性與分子極性關(guān)系4．元素的電離能與電負性的區(qū)別5．氫鍵與化學鍵的區(qū)別拓展：對于非極性鍵、極性鍵與非極性分子和極性分子，其相互關(guān)系可由下面的框架來歸納記憶。1．晶體熔、沸點遵循下列規(guī)律

晶體的結(jié)構(gòu)特點決定了它的物理性質(zhì)。 當我們見到一組物體要比較它們的熔沸點大小時，應遵循以下分析順序： (1)劃分晶體類型。一般來說，晶體熔沸點大小順序為：原子晶體>離子晶體>分子晶體。金屬晶體比較復雜，要根據(jù)具體物質(zhì)。 (2)都是原子晶體，比較鍵長，鍵長越短，鍵能越大，熔沸點越高。如金剛石和晶體硅，由于金剛石的鍵長小于晶體硅的鍵長，金剛石的熔沸點比晶體硅的熔沸點高。(3)都是離子晶體，比較微粒間距離和離子所帶電荷數(shù)，微粒間距離越小，鍵能越大，熔沸點越高；離子所帶電荷數(shù)越多，熔沸點越高。NaCl比CsCl熔沸點高。(4)都是分子晶體，首先看是否存在氫鍵，相對分子質(zhì)量相差不大的，存在氫鍵的熔沸點較高。如不存在氫鍵，則比較相對分子質(zhì)量，相對分子質(zhì)量越大，范德華力越大，熔沸點越高。(5)都是金屬晶體，比較金屬離子半徑和離子所帶電荷數(shù)，金屬離子半徑越大，熔沸點越低，所帶電荷數(shù)越多，熔沸點越高。以上為理論推導，實際可能有特殊情況，故應根據(jù)實際情況再進行驗證。2．用均攤法解析晶體的計算 (1)長方體形(正方體)晶胞中不同位置的粒子對晶胞的貢獻 ①處于頂點的粒子，同時為8個晶胞共有，每個粒子對晶胞的貢獻為。 ②處于棱上的粒子，同時為4個晶胞共有，每個粒子對晶胞的貢獻為。 ③處于面上的粒子，同時為2個晶胞共有，每個粒子對晶胞的貢獻為。 ④處于體內(nèi)的粒子，則完全屬于該晶胞，對晶胞的貢獻為1。 (2)非長方體形(正方體)晶胞中粒子對晶胞的貢獻視具體情況而定。如石墨晶胞每一層內(nèi)碳原子排成六邊形，其頂點(1個碳原子)對六邊形的貢獻為。表述1表述2A在水中，NaCl的溶解度比I2的溶解度大NaCl晶體中Cl－與Na＋間的作用力大于碘晶體中分子間的作用力B通常條件下，CH4分子比PbH4分子穩(wěn)定性高Pb的原子半徑比C的大，Pb與H之間的鍵能比C與H間的小C在形成化合物時，同一主族元素的化合價相同同一主族元素原子的最外層電子數(shù)相同DP4O10、C6H12O6溶于水后均不導電P4O10、C6H12O6均屬于共價化合物一、分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)【例1】(2009·上海綜合)下列有關(guān)物質(zhì)性質(zhì)、結(jié)構(gòu)的表述均正確，且存在因果關(guān)系的是()解析：A項I2是非極性分子，在水中的溶解度小；C項氧族元素中的氧元素，鹵素中的氟元素與同族的其他元素的化合價不完全相同；D項，P4O10溶于水后和水反應生成H3PO4，其溶液導電。答案：B二、晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)【例2】(2009·山東理綜，32)C和Si元素在化學中占有極其重要的地位。 (1)寫出Si的基態(tài)原子核外電子排布式_____________________________。

從電負性角度分析，C、Si和O元素的非金屬活潑性由強至弱的順序為

。 (2)SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似，其中C原子的雜化方式為________，微粒間存在的作用力是________。(3)氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等，則M為________(填元素符號)。MO是優(yōu)良的耐高溫材料，其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似。MO的熔點比CaO的高，其原因是________________。(4)C、Si為同一主族的元素，CO2和SiO2化學式相似，但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同。CO2中C與O原子間形成σ鍵和π鍵，SiO2中Si與O原子間不形成上述π鍵。從原子半徑大小的角度分析，為何C、O原子間能形成，而Si、O原子間不能形成上述π鍵。__________________________________________________________。解析析：：(1)根根據(jù)據(jù)基基態(tài)態(tài)原原子子核核外外電電子子排排布布的的規(guī)規(guī)律律去去寫寫；；在在C、、Si和和O元元素素中中，，吸吸引引電電子子的的能能力力由由強強到到弱弱的的順順序序是是O>C>Si。。(2)在在SiC晶晶體體結(jié)結(jié)構(gòu)構(gòu)中中，，每每個個C原原子子與與Si原原子子形形成成四四個個完完全全相相同同的的C——Si鍵鍵，，所所以以C原原子子的的雜雜化化方方式式為為sp3雜化化。。微微粒粒間間存存在在的的作作用用力力是是共共價價鍵鍵。。(3)SiC的的電電子子總總數(shù)數(shù)為為20，，所所以以M的的電電子子數(shù)數(shù)為為(20－－8)＝12個個，，故故M為為Mg；；MgO和和CaO均均屬屬于于離離子子晶晶體體，，Mg2＋＋半徑徑比比Ca2＋＋小，，MgO中中離離子子鍵鍵強強，，晶晶格格能能大大，，故故熔熔點點高高。。(4)ππ鍵鍵是是由由p--p軌軌道道肩肩并并肩肩重重疊疊而而形形成成的的，，且且ππ鍵鍵強強弱弱與與重重疊疊的的程程度度成成正正比比。。而而Si原原子子的的原原子子半半徑徑較較大大，，Si、、O原原子子間間距距離離較較大大，，p--p軌軌道道肩肩并并肩肩重重疊疊程程度度較較小小，，不不能能形形成成穩(wěn)穩(wěn)定定的的ππ鍵鍵。。答案案：(1)1s22s22p63s23p2O>C>Si(2)sp3共價價鍵鍵(3)MgMg2＋＋半徑徑比比Ca2＋＋小，MgO晶格格能能大大(4)C的原原子子半半徑徑較較小小，C、、O原子子能