GB/T 13539.4-2016低壓熔斷器第4部分：半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求

ICS2912050

K31..

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T135394—2016/IEC60269-42012

.代替:

GB/T13539.4—2009

低壓熔斷器

第4部分半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體

:

的補(bǔ)充要求

Low-voltagefuses—

Part4Sulementarreuirementsforfuse-linksfortherotectionof

:ppyqp

semiconductordevices

(IEC60269-4:2012,IDT)

2016-04-25發(fā)布2016-11-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T135394—2016/IEC60269-42012

.:

目次

前言

…………………………Ⅰ

總則

1………………………1

術(shù)語和定義

2………………2

正常工作條件

3……………2

分類

4………………………4

熔斷器特性

5………………4

標(biāo)志

6………………………7

設(shè)計(jì)的標(biāo)準(zhǔn)條件

7…………………………8

試驗(yàn)

8………………………8

附錄資料性附錄熔斷體和半導(dǎo)體設(shè)備的配合導(dǎo)則

AA()……………18

附錄規(guī)范性附錄制造廠應(yīng)在產(chǎn)品使用說明書樣本中列出的半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體

BB()()

的資料

…………22

附錄規(guī)范性附錄半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用標(biāo)準(zhǔn)化熔斷體示例

CC()………23

參考文獻(xiàn)

……………………39

GB/T135394—2016/IEC60269-42012

.:

前言

低壓熔斷器目前包括以下個(gè)部分

GB13539《》6:

第部分基本要求

———1:;

第部分專職人員使用的熔斷器的補(bǔ)充要求主要用于工業(yè)的熔斷器標(biāo)準(zhǔn)化熔斷器系統(tǒng)示

———2:()

例至

AK;

第部分非熟練人員使用的熔斷器的補(bǔ)充要求主要用于家用和類似用途的熔斷器標(biāo)準(zhǔn)化

———3:()

熔斷器系統(tǒng)示例至

AF;

第部分半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求

———4:;

第部分低壓熔斷器應(yīng)用指南

———5:;

第部分太陽能光伏系統(tǒng)保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要求

———6:。

本部分為的第部分

GB135394。

本部分按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本部分代替低壓熔斷器第部分半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體的補(bǔ)充要

GB/T13539.4—2009《4:

求本部分與相比主要技術(shù)變化如下

》。GB/T13539.4—2009:

增加電壓源逆變器內(nèi)容包括特性技術(shù)要求及試驗(yàn)方法等

———VSI(),VSI、;

表和型熔斷體的約定時(shí)間和約定電流中型約定不熔斷電流I從I

———101“‘gR’‘gS’”,“gR”nf1.1n

改為I

1.13n;

表完整試驗(yàn)清單中刪去了交流試驗(yàn)補(bǔ)充了試驗(yàn)并將腳注

———102“”No.6~No.10,VSINo.21,a

修改為如果周圍空氣溫度在和之間弧前I2t特性有效

“10℃30℃,”;

表同一熔斷體系列中最小額定電流熔斷體試驗(yàn)一覽表中刪去了交流試驗(yàn)和直流

———103“”No.6

試驗(yàn)

No.11;

指示裝置和撞擊器如有的動(dòng)作增加指示裝置或撞擊器的性能和性能驗(yàn)證由制造

———8.4.3.6“()”“

廠和用戶協(xié)商規(guī)定

”;

將原表驗(yàn)證交流截?cái)嚯娏鱅2t特性和電弧電壓特性試驗(yàn)參數(shù)刪去改為新的表

———106“、”,106

熔斷體分?jǐn)嗄芰υ囼?yàn)參數(shù)

“VSI”;

附錄的型螺栓連接熔斷體系統(tǒng)和型接觸片式熔斷體系統(tǒng)中

———CC“CC.3B———DIN”“CC.5A”

增加了和型熔斷體的約定時(shí)間和約定電流表

“‘gR’‘gS’”;

附錄的北美熔斷體系統(tǒng)增加了分?jǐn)嗄芰υ囼?yàn)的恢復(fù)電壓要求

———CC;

附錄增加了法國(guó)的型圓筒形帽熔斷體系統(tǒng)

———CCB。

本部分使用翻譯法等同采用低壓熔斷器第部分半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體

IEC60269-4:2012《4:

的補(bǔ)充要求

》。

與本部分中規(guī)范性引用的國(guó)際文件有一致性對(duì)應(yīng)關(guān)系的我國(guó)文件如下

:

優(yōu)先數(shù)和優(yōu)先數(shù)系

———GB/T321—2005(ISO3:1973,IDT);

電氣設(shè)備用圖形符號(hào)第部分圖形符號(hào)

———GB/T5465.2—20082:(IEC60417DB:2007,

IDT);

低壓熔斷器第部分基本要求

———GB13539.1—20151:(IEC60269-1:2009,IDT);

低壓熔斷器第部分專業(yè)人員使用的熔斷器的補(bǔ)充要求主要用

———GB/T13539.2—20152:(

于工業(yè)的熔斷器標(biāo)準(zhǔn)化熔斷器系統(tǒng)示例至

)AK(IEC60269-2:2013,IDT);

低壓熔斷器第部分非熟練人員使用的熔斷器的補(bǔ)充要求主要用于

———GB13539.3—20083:(

Ⅰ

GB/T135394—2016/IEC60269-42012

.:

家用和類似用途的熔斷器標(biāo)準(zhǔn)化熔斷器系統(tǒng)示例至

)AF(IEC60269-3:2006,IDT)。

本部分作了下列編輯性修改

:

刪除國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的前言

———;

圖中右上圖有個(gè)剖視符號(hào)個(gè)疑有誤刪去此外右下圖中詳圖6)疑有誤改

———CC.63“x”,2,;“X”,

為詳圖5)

“X”;

中見疑有誤改為見

———CC.6.1“(CC.6.4)”,“(CC.6.3)”。

本部分由中國(guó)電器工業(yè)協(xié)會(huì)提出

。

本部分由全國(guó)熔斷器標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC340)。

本部分負(fù)責(zé)起草單位上海電器科學(xué)研究院

:。

本部分參加起草單位上海電器陶瓷廠有限公司人民電器集團(tuán)有限公司好利來中國(guó)電子科技

:、、()

股份有限公司西安西整熔斷器廠美爾森電氣保護(hù)系統(tǒng)上海有限公司浙江正泰電器股份有限公司

、、()、、

浙江西熔電氣有限公司上海西門子線路保護(hù)系統(tǒng)有限公司溫州三實(shí)電器有限公司浙江新力熔斷器

、、、

有限公司樂清市滬熔特種熔斷器有限公司西安中熔電氣有限公司庫柏西安熔斷器有限公司上海電

、、、、

器設(shè)備檢測(cè)所

。

本部分主要起草人吳慶云張麗麗林海鷗李全安賴文輝劉雙庫賈煒李傳上李振飛周綱

:、、、、、、、、、、

黃旭雄方徑林鄭愛國(guó)石曉光張懿易穎

、、、、、。

本部分所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB13539.4—1992;

———GB/T13539.4—2005、GB/T13539.7—2005;

———GB/T13539.4—2009。

Ⅱ

GB/T135394—2016/IEC60269-42012

.:

低壓熔斷器

第4部分半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體

:

的補(bǔ)充要求

1總則

除規(guī)定外補(bǔ)充下列要求

IEC60269-1:2006,。

半導(dǎo)體設(shè)備保護(hù)用熔斷體應(yīng)符合所有要求并且還應(yīng)符合本部分規(guī)定的補(bǔ)充

IEC60269-1:2006,

要求

。

11范圍和目的

.

本部分的補(bǔ)充要求適用于安裝在具有半導(dǎo)體裝置的設(shè)備上的熔斷體該熔斷體適用于標(biāo)稱電壓不

,

超過交流或直流的電路如適用還可用于更高的標(biāo)稱電壓的電路

1000V1500V。,。

注1此類熔斷體通常稱為半導(dǎo)體熔斷體

:“”。

注2在多數(shù)情況下組合設(shè)備的一部分可用作熔斷器底座由于設(shè)備的多樣性難以作出一般的規(guī)定組合設(shè)備

:,。,;

是否適合作熔斷器底座宜由用戶與制造廠協(xié)商但是如果采用獨(dú)立的熔斷器底座或熔斷器支持件他們

,。,,

應(yīng)符合的相關(guān)要求

IEC60269-1:2006。

注3專用于太陽能光伏系統(tǒng)的保護(hù)

:IEC60269-6。

本部分的目的是確定半導(dǎo)體熔斷體的特性從而在相同尺寸的前提下可以用具有相同特性的其他

,,

型式的熔斷體替換半導(dǎo)體熔斷體因此本部分中特別規(guī)定了

。,:

熔斷體的下列特性

a):

額定值

1);

正常工作時(shí)的溫升

2);

耗散功率

3);

時(shí)間電流特性

4)-;

分?jǐn)嗄芰?/p>