GB/T 17473.1-1998厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法固體含量測(cè)定

ICS77.040.01115中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T17473.1-1998厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法固體含量測(cè)定TestmethodsofpreciousmetalpastesusedforthickfilmmicroelectronicsIDeterminationofsolidsscontent1998-08-19發(fā)布1999-03-01實(shí)施國(guó)家質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

GB/T17473.1-1998前漿料中固體含量是漿料品質(zhì)的一項(xiàng)重要指標(biāo)，漿料固體含量的變化直接影響到厚膜微電子電路的厚和電性能的變化。目前我國(guó)尚未制定出該測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)。經(jīng)對(duì)IEC、ASTM.DIN.BS國(guó)外標(biāo)準(zhǔn)的檢索，也未檢索到該方法的相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)。本標(biāo)準(zhǔn)的制定參照了GB2793—1995《膠粘劑不揮發(fā)物含量的測(cè)定》、美國(guó)材料與實(shí)驗(yàn)協(xié)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)ASTMF66一1984《微電子生產(chǎn)用光刻膠測(cè)試方法》ASTMD2369-1995《涂料揮發(fā)物含量測(cè)試方法》ASTMD4713—1992《熱固性和液體印刷油墨系統(tǒng)的非揮發(fā)物含量測(cè)試方法》并結(jié)合我國(guó)實(shí)際應(yīng)用情況而制定的。本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)有色金屬工業(yè)總公司提出本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)有色金屬工業(yè)總公司標(biāo)準(zhǔn)計(jì)量研究所歸口。本標(biāo)準(zhǔn)由昆明貴金屬研究所負(fù)責(zé)起草本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：張曉民。

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料固體含量測(cè)定測(cè)試方法GB/T17473.1-1998Testmethodsofpreciousmetalpastesusedforthickfilmmicroelectronics-Determinationofsolidscontent1范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了貴金屬漿料中固體含量的測(cè)試方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于各種貴金屬漿料中固體含量的測(cè)定。非貴金屬漿料中固體含量的測(cè)定亦可參照使用2引用標(biāo)準(zhǔn)下列標(biāo)準(zhǔn)所包含的條文，通過(guò)在本標(biāo)準(zhǔn)中引用而構(gòu)成為本標(biāo)準(zhǔn)的條文。本標(biāo)準(zhǔn)出版時(shí)，所示版本均為有效。所有標(biāo)準(zhǔn)都會(huì)被修訂，使用本標(biāo)準(zhǔn)的各方應(yīng)探討使用下列標(biāo)準(zhǔn)最新版本的可能性。GB/T2421—1989電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程總則GB/T8170—1987數(shù)值修約規(guī)則方法原理根據(jù)貴金屬漿料在一定溫度下灼燒前后的質(zhì)量差測(cè)定其固體含量4儀器與設(shè)備分析天平：感量為0.0001g。4.2箱式電阻爐;溫度范圍為室溫～1000℃，控溫精度為士20℃。5試樣5.1將送檢試樣充分?jǐn)嚢杈住?測(cè)試步驥6.1試驗(yàn)環(huán)境試驗(yàn)環(huán)境按GB/T2421規(guī)定進(jìn)行。6.2稱樣在已校準(zhǔn)的天平上，稱取兩份1g的試樣,準(zhǔn)確到0.001g,于已恒重的柑揭中6.3灼燒6.3.1高溫?zé)蓾{料：將柑場(chǎng)置于箱式電阻爐中，微開(kāi)爐門，升溫至150℃，保溫30min,維續(xù)升溫至400C,再保溫30min,關(guān)上爐門，繼續(xù)升溫至850C，保溫30min,然后冷卻到室溫，取出，置于干燥器中6.3.2中溫?zé)傻臐{料：將塔揭置于箱式電