GB/T 17473.6-2008微電子技術用貴金屬漿料測試方法分辨率測定

犐犆犛７７．１２０．９９

犎６８

中華人民共和國國家標準

犌犅／犜１７４７３．６—２００８

代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．６—１９９８

微電子技術用貴金屬漿料測試方法

分辨率測定

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２００８０３３１發(fā)布２００８０９０１實施

中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局

發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

書

犌犅／犜１７４７３．６—２００８

前言

本標準代替ＧＢ／Ｔ１７４７３—１９９８《厚膜微電子技術用貴金屬漿料測試方法》（所有部分），本標準分

為７個部分：

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．１—２００８微電子技術用貴金屬漿料測試方法固體含量測定；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．２—２００８微電子技術用貴金屬漿料測試方法細度測定；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—２００８微電子技術用貴金屬漿料測試方法方阻測定；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．４—２００８微電子技術用貴金屬漿料測試方法附著力測試；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．５—２００８微電子技術用貴金屬漿料測試方法粘度測定；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．６—２００８微電子技術用貴金屬漿料測試方法分辨率測定；

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．７—２００８微電子技術用貴金屬漿料測試方法可焊性、耐焊性測定。

本部分為ＧＢ／Ｔ１７４７３—２００８的第６部分。

本部分代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．６—１９９８《厚膜微電子技術用貴金屬漿料測試方法分辨率測定》。

本部分與ＧＢ／Ｔ１７４７３．６—１９９８相比，主要有如下變動：

———將原標準名稱修改為微電子技術用貴金屬漿料測試方法分辨率測定；

———增加了固化型貴金屬漿料分辨率測定的內容；

———原“光刻膜絲網網徑２０２５μｍ不銹鋼絲網”改為“光刻膜絲網，絲網孔徑不大于５４μｍ”；

———增加６．３將印有固化型的試樣按其規(guī)定的工藝要求進行靜置、烘干、固化，固化后試樣膜厚控

制在１μｍ～１５μｍ；

———分辨率規(guī)格分級重新定義為０．１ｍｍ、０．２ｍｍ、０．３ｍｍ、０．４ｍｍ、０．５ｍｍ五個級別。

本部分由中國有色金屬工業(yè)協會提出。

本部分由全國有色金屬標準化技術委員會負責歸口。

本部分由貴研鉑業(yè)股份有限公司負責起草。

本部分起草人：劉成、趙汝云、陳伏生、馬曉峰、劉繼松、朱武勛。

本部分所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ１７４７３．６—１９９８。

Ⅰ

書

犌犅／犜１７４７３．６—２００８

微電子技術用貴金屬漿料測試方法

分辨率測定

１范圍

本部分規(guī)定了微電子技術用貴金屬漿料分辨率的測定方法。

本部分適用于微電子技術用貴金屬漿料的分辨率測定。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本部分的引用而成為本部分的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內容）或修訂版均不適用于本部分，然而，鼓勵根據本部分達成協議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本部分。

ＧＢ／Ｔ８１７０數值修約規(guī)則

３方法提要

漿料用絲網印刷成圖形。圖形按漿料正常使用時的條件燒結或固化要求進行燒結或固化，用顯微

鏡在一定的放大倍數下觀察和測量圖形的膜線寬度和線間距，進行漿料分辨率的測定。

４材料

４．１光刻膜絲網，絲網孔徑不大于５４μｍ。

４．２符合不同漿料使用要求的基片?；砻娲植诙炔淮笥冢保郸蹋恚ㄔ跍y距為１０ｍｍ的條件下測

量）。

５儀器與設備

５．１絲網印刷機。

５．２紅外烘干機，最高使用溫度３５０℃，控溫精度±５℃。

５．３隧道式燒結爐，最高使用溫度１０００℃，控溫精度±１０℃。

５．４電熱鼓風式烘箱，最高使用溫度３００℃，控溫精度±５℃。

５．５讀數顯微鏡，放大倍數２５Ｘ～１００Ｘ，讀數精度０．０１ｍｍ以上。

５．６光切測厚儀或電子千分尺，讀數精度１μｍ以上。

６測定步驟

測試在溫度２０℃～２５℃、相對濕度４５％～７５％和大氣壓力８６ｋＰａ～１０６ｋＰａ環(huán)境下進行。

６．１將樣品攪拌均勻，不得引入雜質。用絲網印刷機在基片上印出圖形，印刷圖案為與表１的膜線寬

度和線間距相等的五組４線條圖形組成。

６．２將印有燒結型漿料的基片水平放置５ｍｉｎ。用紅外烘干機在１５０℃～３００℃的條件下烘干，試樣的

烘干膜厚度控制在１０μｍ～３５μｍ。將烘干后的試樣置于隧道燒結爐內，按漿料燒成溫度曲