GB/T 24581-2022硅單晶中Ⅲ、Ⅴ族雜質(zhì)含量的測(cè)定低溫傅立葉變換紅外光譜法

ICS77040

CCSH.17

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T24581—2022

代替GB/T24581—2009

硅單晶中ⅢⅤ族雜質(zhì)含量的測(cè)定

、

低溫傅立葉變換紅外光譜法

TestmethodforⅢandⅤimpuritiescontentinsinglecrystalsilicon—

LowtemperatureFT-IRanalysismethod

2022-03-09發(fā)布2022-10-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T24581—2022

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替低溫傅立葉變換紅外光譜法測(cè)量硅單晶中族雜質(zhì)含量的測(cè)

GB/T24581—2009《Ⅲ、Ⅴ

試方法與相比除結(jié)構(gòu)調(diào)整和編輯性改動(dòng)外主要技術(shù)變化如下

》,GB/T24581—2009,,:

刪除了目的見(jiàn)年版的第章

a)“”(20091);

更改了硼磷砷鋁銻鎵的測(cè)定范圍并增加了銦含量的測(cè)

b)(B)、(P)、(As)、(Al)、(Sb)、(Ga),(In)

定見(jiàn)第章年版的第章

(1,20092);

更改了術(shù)語(yǔ)和定義見(jiàn)第章年版的第章

c)(3,20095);

增加了雜質(zhì)含量小于11-3的樣品的測(cè)量條件見(jiàn)

d)5.0×10cm(5.6);

增加了用次強(qiáng)吸收譜帶-1來(lái)計(jì)算磷元素的含量見(jiàn)

e)P(275cm)(P)(5.8);

增加了摻雜硅單晶對(duì)測(cè)量的影響見(jiàn)

f)(5.9);

更改了多晶轉(zhuǎn)變?yōu)閱尉У姆椒ㄒ?jiàn)年版的

g)(5.12,20098.1);

更改了傅立葉變換紅外光譜儀的要求見(jiàn)年版的

h)(7.4,20097.4);

增加了千分尺及其精度要求見(jiàn)

i)(7.5);

更改了非零響應(yīng)值譜線范圍見(jiàn)年版的

j)(9.2,200910.2);

更改了背景光譜的掃描次數(shù)見(jiàn)年版的

k)(9.7,200911.5);

更改了樣品的掃描次數(shù)見(jiàn)年版的

l)(9.10,200911.8);

表中增加了-1對(duì)應(yīng)的峰位置基線和積分范圍及校準(zhǔn)因子見(jiàn)

m)1P(275cm)、(10.1);

更改了雜質(zhì)含量的單位并對(duì)計(jì)算公式進(jìn)行了相應(yīng)的修約見(jiàn)年版的

n),(10.4,200913.1、13.2);

更改了測(cè)量結(jié)果的精密度見(jiàn)第章年版的第章

o)(11,200915);

更改了試驗(yàn)報(bào)告的內(nèi)容見(jiàn)第章年版的第章

p)(12,200914);

刪除了偏差關(guān)鍵詞見(jiàn)年版的第章章

q)、(200916、17)。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備與材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位樂(lè)山市產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)所青海芯測(cè)科技有限公司江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有

:、、

限公司亞洲硅業(yè)青海股份有限公司新特能源股份有限公司有研半導(dǎo)體硅材料股份公司四川永祥

、()、、、

股份有限公司陜西有色天宏瑞科硅材料有限責(zé)任公司江蘇鑫華半導(dǎo)體材料科技有限公司洛陽(yáng)中硅

、、、

高科技有限公司新疆協(xié)鑫新能源材料科技有限公司國(guó)標(biāo)北京檢驗(yàn)認(rèn)證有限公司有色金屬技術(shù)經(jīng)

、、()、

濟(jì)研究院有限責(zé)任公司宜昌南玻硅材料有限公司江蘇秦烯新材料有限公司義烏力邁新材料有限

、、、

公司

。

本文件主要起草人梁洪趙曉斌萬(wàn)濤薛心祿魏東亮王彬邱艷梅楊素心李素青李朋飛

:、、、、、、、、、、

趙培芝王永濤魏強(qiáng)楚東旭周延江劉文明劉紅何建軍皮坤林

、、、、、、、、。

本文件于年首次發(fā)布本次為第一次修訂

2009,。

Ⅰ

GB/T24581—2022

硅單晶中ⅢⅤ族雜質(zhì)含量的測(cè)定

、

低溫傅立葉變換紅外光譜法

1范圍

本文件描述了用低溫傅立葉變換紅外光譜法測(cè)定硅單晶中族雜質(zhì)含量的方法

Ⅲ、Ⅴ。

本文件適用于硅單晶中的族雜質(zhì)鋁銻砷硼鎵銦和磷含

Ⅲ、Ⅴ(Al)、(Sb)、(As)、(B)、(Ga)、(In)(P)

量的測(cè)定各元素的測(cè)定范圍以原子數(shù)計(jì)為10-314-3

,()1.0×10cm~4.1×10cm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

分子吸收光譜法術(shù)語(yǔ)

GB/T8322

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評(píng)價(jià)多晶硅棒的規(guī)程

GB/T29057

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T8322、GB/T14264。

4方法原理

將硅單晶樣品冷卻至以下此時(shí)紅外光譜主要是由雜質(zhì)元素引起的一系列吸收譜帶用一個(gè)

15K,。

連續(xù)白光光源照射樣品使其光線能量大于補(bǔ)償雜質(zhì)的能帶將紅外光束直接透射樣品采集透射光

,。,

譜該光譜扣除背景光譜后轉(zhuǎn)化為吸收光譜在雜質(zhì)元素特征吸收譜帶上建立基線并計(jì)算其吸收譜帶

,。

面積根據(jù)通用吸收定律及本文件給出的族雜質(zhì)元素校準(zhǔn)因子計(jì)算出族雜質(zhì)元素的含量

。Ⅲ、ⅤⅢ、Ⅴ。

5干擾因素

51為消除自由載流子的影響樣品應(yīng)冷卻至以下測(cè)量族雜質(zhì)元素將樣品固定在冷頭上

.,15KⅢ、Ⅴ。

時(shí)樣品和冷頭之間應(yīng)保持良好的接觸以獲得較高的熱傳導(dǎo)效率