標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 26074-2010 鍺單晶電阻率直流四探針測量方法》是一項國家標(biāo)準(zhǔn)，規(guī)定了使用直流四探針技術(shù)測定鍺單晶材料電阻率的具體方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于圓形或方形截面的鍺單晶棒、片材等樣品，在室溫條件下對其電阻率進(jìn)行準(zhǔn)確測量。
根據(jù)此標(biāo)準(zhǔn)，測量過程需遵循以下步驟：
- 準(zhǔn)備工作：首先確保實驗環(huán)境穩(wěn)定，溫度控制在（23±2）℃范圍內(nèi)；選擇合適的探針間距，并保證四個探針排列成一條直線且接觸良好。
- 儀器校準(zhǔn)：使用已知電阻率的標(biāo)準(zhǔn)樣品對測量系統(tǒng)進(jìn)行校正，以消除設(shè)備本身可能帶來的誤差。
- 樣品準(zhǔn)備：選取待測鍺單晶樣本，其表面應(yīng)平整光滑無明顯缺陷。對于非圓柱形樣品，需要加工成特定尺寸以便于測量。
- 放置探針：將四根探針按照預(yù)定間距依次緊密貼合地放置于樣品表面上，其中兩根用于施加電流I，另外兩根用來檢測電壓V。
- 數(shù)據(jù)采集與處理：開啟電源使電流通過外側(cè)兩個探針流入樣品中，同時利用內(nèi)側(cè)兩根探針讀取相應(yīng)位置上的電位差。依據(jù)所獲得的數(shù)據(jù)計算出電阻值R，再結(jié)合樣品幾何參數(shù)求得體積電阻率ρv。
- 重復(fù)性檢查：為提高結(jié)果可靠性，應(yīng)在不同位置多次重復(fù)上述操作并記錄數(shù)據(jù)，最終取平均值作為最終結(jié)果。
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2011-01-10 頒布
- 2011-10-01 實施
文檔簡介
ICS77.040.99H17中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T26074-2010錯單晶電阻率直流四探針測量方法Germaniummonocrystal-Measurementofresistivity-DClinearfour-pointtprobe2011-01-10發(fā)布2011-10-01實施中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布中國國家標(biāo)準(zhǔn)化餐理委員會
GB/T26074-2010前本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會（SAC/TC203/SC2)歸口本標(biāo)準(zhǔn)由南京中錯科技股份有限公司負(fù)責(zé)起草。本標(biāo)準(zhǔn)參加起草單位：北京國品輝紅外光學(xué)科技有限公司、云南臨滄鑫圓錯業(yè)股份有限公司。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：張莉萍、焦欣文、王學(xué)武、普世坤。
GB/T26074—2010錯單晶電阻率直流四探針測量方法范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用直流四探針法測量錯單品電阻率的方法本標(biāo)準(zhǔn)適用于測量試樣厚度和從試樣邊緣與任一探針端點的最近距離二者均大于探針間距的4倍緒單品的電阻率以及測量直徑大于探針間距的10倍、厚度小于探針間距4倍錯單品圓片(簡稱圓片)的電阻率。測量范圍為1×10-·cm～1×10°·cm.2方法原理測量原理見圖1。排列成一直線的四探針垂直壓在半無窮大的試樣平坦表面上。外探針1、4間通電流（A）·內(nèi)探針2.3間電壓U（V)。在滿足一定條件下.四探針附近試樣電阻率.可用公式(1)及公式（2)計算：：··························（1）-（+去-元--)·（2）式中一探針系數(shù)：探針1、2間的距離，單位為厘米(cmn)；探針2、3間的距離，單位為厘米（cm）探針3
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