標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 26225-2010 信息技術(shù) 移動(dòng)存儲(chǔ) 閃存盤通用規(guī)范》是由中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)發(fā)布的一項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn),旨在為閃存盤的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、測試及使用提供一套統(tǒng)一的技術(shù)要求與方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于基于USB接口的閃存存儲(chǔ)設(shè)備。
根據(jù)此標(biāo)準(zhǔn),閃存盤需滿足一定的物理特性要求,包括但不限于尺寸、重量以及外殼材料等;同時(shí),在電氣性能方面也有明確的規(guī)定,比如工作電壓范圍、電流消耗限制等。此外,還詳細(xì)定義了數(shù)據(jù)傳輸速率的要求,并對讀寫速度進(jìn)行了分類說明。
對于環(huán)境適應(yīng)性,《GB/T 26225-2010》同樣給出了具體指導(dǎo),涵蓋溫度、濕度等多個(gè)維度,確保產(chǎn)品能夠在各種條件下穩(wěn)定運(yùn)行。安全性也是考量的重點(diǎn)之一,包括電磁兼容性(EMC)、靜電放電抗擾度等方面都有嚴(yán)格規(guī)定。
在可靠性測試部分,標(biāo)準(zhǔn)列出了多種測試項(xiàng)目,如插拔壽命試驗(yàn)、高低溫循環(huán)測試等,以驗(yàn)證產(chǎn)品的長期使用性能。另外,還特別強(qiáng)調(diào)了標(biāo)簽信息的重要性,要求廠商必須在外包裝或產(chǎn)品本身上清晰標(biāo)注容量大小、型號(hào)等關(guān)鍵參數(shù)。
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....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2011-01-14 頒布
- 2011-05-01 實(shí)施
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GB/T 26225-2010信息技術(shù)移動(dòng)存儲(chǔ)閃存盤通用規(guī)范-免費(fèi)下載試讀頁文檔簡介
ICS3524040
L63..
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T26225—2010
信息技術(shù)移動(dòng)存儲(chǔ)
閃存盤通用規(guī)范
Informationtechnology—Mobilestorage—
Generalspecificationofflashdisk
2011-01-14發(fā)布2011-05-01實(shí)施
中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布
中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
GB/T26225—2010
目次
前言…………………………
Ⅲ
范圍………………………
11
規(guī)范性引用文件…………………………
21
術(shù)語和定義………………
32
要求………………………
42
試驗(yàn)方法…………………
54
檢驗(yàn)規(guī)則…………………
66
標(biāo)志包裝運(yùn)輸和貯存…………………
7、、8
附錄規(guī)范性附錄故障的分類及判據(jù)………………
A()9
Ⅰ
GB/T26225—2010
前言
本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出
。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國信息技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口
。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所普天信息技術(shù)研究院聯(lián)想北京有限公司方正科
:、、()、
技集團(tuán)股份有限公司北京華旗資訊數(shù)碼科技有限公司深圳市朗科科技有限公司集團(tuán)股份有限
、、、TCL
公司常州市音成電子有限公司北京大恒創(chuàng)新技術(shù)有限公司重慶禾興江源科技有限公司上海華虹集
、、、、
成電路有限責(zé)任公司北京紐曼理想數(shù)碼科技有限公司武漢天喻信息產(chǎn)業(yè)股份有限公司浙江欣成達(dá)
、、、
光電科技有限公司
。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人王立建張力張宇宏李高強(qiáng)熊國平任建強(qiáng)唐懷飛李諾秦柏江衛(wèi)強(qiáng)
:、、、、、、、、、、
謝春生嚴(yán)小平楊宇光熊安藝徐中強(qiáng)劉昌魁石磊王濤王元成
、、、、、、、、。
Ⅲ
GB/T26225—2010
信息技術(shù)移動(dòng)存儲(chǔ)
閃存盤通用規(guī)范
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了閃存盤的術(shù)語和定義要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則標(biāo)志包裝運(yùn)輸和貯存等相關(guān)
、、、、、、
內(nèi)容
。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于閃存盤以下簡稱產(chǎn)品其他包含閃存盤功能模塊的設(shè)備也可參考
(“”),。
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款凡是注日期的引用文件其隨后所有
。,
的修改單不包括勘誤的內(nèi)容或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)然而鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究
(),,
是否可使用這些文件的最新版本凡是不注日期的引用文件其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)
。,。
包裝儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志
GB/T191—2000(eqvISO780:1997)
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)概述和指南
GB/T242.1—2008(IEC60068-1:1988,IDT)
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)術(shù)語
GB/T2422—1995(IEC60068-5-2:1990,EQV)
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)低溫
GB/T2423.1—20082:A:(IEC60068-2-
1:2007,IDT)
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)高溫
GB/T2423.2—20082:B:(IEC60068-2-
2:2007,IDT)
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)恒定濕熱試驗(yàn)
GB/T2423.3—20062:Cab:
(IEC60068-2-78:2001,IDT)
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)和導(dǎo)則沖擊
GB/T2423.5—19955:Ea:(idt
IEC60068-2-27:1987)
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)和導(dǎo)則碰撞
GB/T2423.6—1995:Eb:(idt
IEC60068-2-29:1987)
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第二部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)自由跌落
GB/T2423.8—1995:Ed:(idt
IEC60068-2-32:1990)
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第部分試驗(yàn)方法試驗(yàn)振動(dòng)正弦
GB/T2423.10—20082:Fc:()
(IEC60068-2-6:1995,IDT)
計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣
GB/T2828.1—20031:(AQL)
計(jì)劃
(ISO2859-1:1999,IDT)
周期檢驗(yàn)計(jì)數(shù)抽樣程序及表適用于對過程穩(wěn)定性的檢驗(yàn)
GB/T2829—2002
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