標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 30656-2014 碳化硅單晶拋光片》是一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，規(guī)定了碳化硅單晶拋光片的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存等方面的內(nèi)容。該標(biāo)準(zhǔn)適用于直徑不小于2英寸（約50.8mm）的碳化硅單晶拋光片，主要用于半導(dǎo)體器件制造等領(lǐng)域。

根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容，碳化硅單晶拋光片按照其表面狀態(tài)分為不同等級(jí)，包括但不限于光學(xué)級(jí)、電子級(jí)等，以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。對(duì)于材料特性方面，除了基本的物理尺寸如厚度、直徑外，還對(duì)晶體結(jié)構(gòu)完整性、導(dǎo)電類型及其濃度、位錯(cuò)密度等進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，并給出了相應(yīng)的測(cè)試方法。例如，使用X射線衍射法測(cè)定晶體取向偏差；通過(guò)霍爾效應(yīng)測(cè)量?jī)x來(lái)檢測(cè)載流子濃度與遷移率等參數(shù)。

此外，《GB/T 30656-2014》還明確了樣品制備過(guò)程中的清潔度控制要求，強(qiáng)調(diào)了在切割、研磨、拋光等工序中應(yīng)采取適當(dāng)措施避免污染或損傷晶圓表面。同時(shí)，也提供了關(guān)于如何正確標(biāo)識(shí)產(chǎn)品信息、選擇合適的包裝材料以確保長(zhǎng)途運(yùn)輸安全無(wú)損到達(dá)客戶手中的指導(dǎo)性意見。

最后，本標(biāo)準(zhǔn)為碳化硅單晶拋光片的質(zhì)量保證提供了全面而具體的規(guī)范依據(jù)，有助于提高行業(yè)內(nèi)產(chǎn)品質(zhì)量一致性及可追溯性。


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  • 2014-12-31 頒布
  • 2015-09-01 實(shí)施
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文檔簡(jiǎn)介

ICS29045

H83.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T30656—2014

碳化硅單晶拋光片

Polishedmonocrystallinesiliconcarbidewafers

2014-12-31發(fā)布2015-09-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

中華人民共和國(guó)

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

碳化硅單晶拋光片

GB/T30656—2014

*

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽(yáng)區(qū)和平里西街甲號(hào)

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號(hào)

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

:400-168-0010

年月第一版

20151

*

書號(hào)

:155066·1-50707

版權(quán)專有侵權(quán)必究

GB/T30656—2014

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)和全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司中國(guó)科學(xué)院物理研究所

:、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人陳小龍鄭紅軍張瑋郭鈺劉春俊劉振洲

:、、、、、。

Ⅰ

GB/T30656—2014

碳化硅單晶拋光片

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了及碳化硅單晶拋光片的要求檢驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則標(biāo)志包裝運(yùn)輸儲(chǔ)存

4H6H、、、、、、、

質(zhì)量證明書及訂貨單或合同內(nèi)容

()。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于及碳化硅單晶研磨片經(jīng)單面或雙面拋光后制備的碳化硅單晶拋光片產(chǎn)品

4H6H。

主要用于制作半導(dǎo)體照明及電力電子器件的外延襯底

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導(dǎo)體單晶晶向測(cè)定方法

GB/T1555

半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測(cè)試方法非接觸渦流法

GB/T6616

硅片彎曲度測(cè)試方法

GB/T6619

硅片翹曲度非接觸式測(cè)試方法

GB/T6620

硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法

GB/T6624

硅及其它電子材料晶片參考面長(zhǎng)度測(cè)量方法

GB/T13387

硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向射線測(cè)試方法

GB/T13388X

硅片直徑測(cè)量方法

GB/T14140

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

硅片平坦表面的表面粗糙度測(cè)量方法

GB/T29505

硅片平整度厚度及總厚度變化測(cè)試自動(dòng)非接觸掃描法

GB/T29507、

碳化硅單晶拋光片微管密度無(wú)損檢測(cè)方法

GB/T31351

半導(dǎo)體工藝材料試驗(yàn)使用電容式探測(cè)器對(duì)半絕緣半導(dǎo)電切片電阻率的非接觸測(cè)定

DIN50448

(Testingofmaterialsforsemiconductortechnology-Contactlessdeterminationoftheelectricalresis-

tivityofsemi-insulatingsemi-conductorslicesusingacapacitiveprobe)

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

六方空洞hexagonalvoid

獨(dú)立于晶片單晶區(qū)的具有六角形特征的空洞

。

32

.

微管micropipe

或碳化硅單晶拋光片中沿c軸方向延伸且徑向尺寸在一微米至幾十微米范圍的中空管道

4H6H。

33

.

多型polytype

由同種化

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