標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 32281-2015 太陽能級硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的測定 二次離子質(zhì)譜法》是一項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn)，規(guī)定了采用二次離子質(zhì)譜法（SIMS）來測定太陽能級硅材料中的氧、碳、硼以及磷含量的方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于單晶硅、多晶硅及其相關(guān)制品的質(zhì)量控制與研究開發(fā)領(lǐng)域。

在具體操作過程中，首先需要準(zhǔn)備樣品，通常情況下，樣品為經(jīng)過適當(dāng)處理后的硅片或硅料。處理方式可能包括表面清洗等步驟以去除污染物并確保測試結(jié)果準(zhǔn)確反映材料內(nèi)部元素的真實(shí)濃度。接著使用SIMS設(shè)備進(jìn)行分析，在高真空環(huán)境下通過聚焦的一次離子束轟擊樣品表面，從而激發(fā)出包含待測元素信息的二次離子。這些二次離子被收集并通過質(zhì)量分析器根據(jù)其質(zhì)荷比分離，最終形成信號強(qiáng)度隨時間變化的譜圖。

對于每種目標(biāo)元素而言，《GB/T 32281-2015》都給出了相應(yīng)的檢測條件設(shè)置建議，如一次離子種類、加速電壓及電流大小等參數(shù)的選擇；同時也明確了數(shù)據(jù)處理方法，比如如何校正背景信號干擾、如何利用已知濃度的標(biāo)準(zhǔn)樣本來建立定量分析曲線等。此外，還強(qiáng)調(diào)了實(shí)驗(yàn)室內(nèi)不同批次間重復(fù)性要求以及實(shí)驗(yàn)室間一致性檢驗(yàn)的重要性，旨在提高測量結(jié)果的可靠性和可比性。

本標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)描述了從樣品制備到最終報告生成整個流程的技術(shù)細(xì)節(jié)，并提供了關(guān)于儀器維護(hù)保養(yǎng)方面的指導(dǎo)，有助于保證長期穩(wěn)定的高質(zhì)量數(shù)據(jù)分析能力。


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....

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  • 正在執(zhí)行有效
  • 2015-12-10 頒布
  • 2017-01-01 實(shí)施
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GB/T 32281-2015太陽能級硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的測定二次離子質(zhì)譜法_第2頁
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GB/T 32281-2015太陽能級硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的測定二次離子質(zhì)譜法-免費(fèi)下載試讀頁

文檔簡介

ICS7704030

H17..

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T32281—2015

太陽能級硅片和硅料中氧碳硼和

、、

磷量的測定二次離子質(zhì)譜法

Testmethodformeasurinoxencarbonboronandhoshorusinsolar

gyg,,pp

siliconwafersandfeedstock—Secondaryionmassspectrometry

2015-12-10發(fā)布2017-01-01實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T32281—2015

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會材料分會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位江蘇協(xié)鑫硅材料科技發(fā)展有限公司北京合能陽光新能源技術(shù)有限公司中鋁寧

:、、

夏能源集團(tuán)有限公司寧夏銀星多晶硅有限責(zé)任公司洛陽鴻泰半導(dǎo)體有限公司新特能源股份有限

、、、

公司

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人薛抗美夏根平肖宗杰盛之林范占軍蔣建國林清香徐自亮王澤林

:、、、、、、、、、

宋高杰劉國霞

、。

Ⅰ

GB/T32281—2015

太陽能級硅片和硅料中氧碳硼和

、、

磷量的測定二次離子質(zhì)譜法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽能級硅片和硅料中氧碳硼和磷元素體含量的二次離子質(zhì)譜檢測方法

、、(SIMS)。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于檢測各元素體含量不隨深度變化且不考慮補(bǔ)償?shù)奶柲芗墕尉Щ蚨嗑Ч杵蚬枇?/p>

、

中氧碳硼和磷元素的體含量各元素體含量的檢測上限均為即203檢測

、、。0.2%(<1×10atoms/cm),

下限分別為氧含量163碳含量163硼含量143和

≥5×10atoms/cm、≥1×10atoms/cm、≥1×10atoms/cm

磷含量143四種元素體含量的測定可使用配有銫一次離子源的儀器一次

≥2×10atoms/cm。SIMS

完成

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃

GB/T2828.11:(AQL)

半導(dǎo)體材料術(shù)語

GB/T14264

有關(guān)表面分析的術(shù)語

ASTME673(Terminologyrelatingtosurfaceanalysis)

3術(shù)語和定義

和界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264ASTME673。

4方法提要

41將機(jī)械拋光后具有平坦分析表面的多晶硅或硅單晶樣品一個或多個標(biāo)準(zhǔn)樣品及測試樣品裝入

.()

樣品架內(nèi)樣品架在空氣氣氛中烘烤后送入儀器的分析室

。100℃1h,SIMS。

42用銫一次離子束轟擊標(biāo)準(zhǔn)樣品表面分析16121128和31的負(fù)離子譜圖計(jì)算硅中氧

.(Cs),O、C、BSiP,、

碳硼和磷的相對靈敏度因子

、(RSF)。

43為減少儀器的氧碳背景含量用銫一次離子束對樣品架中所有樣品進(jìn)行預(yù)濺射二次離子強(qiáng)度不

.、,,

做分析預(yù)濺射時間的長短取決于儀器和所需的氧碳背景含量

。、。

44用銫一次離子束以兩個不同濺射速率轟擊每個樣品同一測量區(qū)域通過降低波束光柵面積調(diào)整第

.,

二次濺射速率

。

45為了達(dá)到最優(yōu)的測試能力兩個濺射速率以及濺射測量時間取決于所使用的儀器通常第二個

.,。,

濺射速率采用儀器最大濺射速率第一個濺射速率的數(shù)值低于第二個濺射速率的二分之一

,。

46負(fù)的二次離子16121128和31經(jīng)過質(zhì)譜儀質(zhì)量分析被電子倍增器或者同樣高靈敏度

.O、C、BSiP,(EM)

的離子探測器檢測二次離子計(jì)數(shù)強(qiáng)度是時間的函數(shù)硅的基體元素如28的負(fù)二次離子計(jì)數(shù)率由

,。(Si)

法拉第杯或其他合適的探測器檢測如果測試過程中使用多個檢測器應(yīng)通過測試標(biāo)準(zhǔn)離子信

(FC)。

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