標準解讀
《GB/T 34894-2017 微機電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù) 基于光學(xué)干涉的MEMS微結(jié)構(gòu) 應(yīng)變梯度測量方法》是一項國家標準,主要針對利用光學(xué)干涉技術(shù)對MEMS(微機電系統(tǒng))中的微結(jié)構(gòu)進行應(yīng)變梯度測量的方法進行了詳細規(guī)定。該標準適用于需要高精度檢測MEMS器件內(nèi)部應(yīng)力分布情況的研究與應(yīng)用場合。
標準中首先定義了相關(guān)術(shù)語和定義,明確了“應(yīng)變梯度”、“光學(xué)干涉法”等關(guān)鍵概念,為后續(xù)內(nèi)容的理解奠定了基礎(chǔ)。接著介紹了基于光學(xué)干涉原理進行MEMS微結(jié)構(gòu)應(yīng)變梯度測量的基本原理,包括但不限于白光干涉、激光干涉等不同類型的技術(shù)特點及其適用范圍。
隨后,《GB/T 34894-2017》詳細描述了實驗裝置的要求,如光源選擇、探測器配置以及樣品制備的具體步驟等,并給出了推薦的操作流程,旨在保證測試結(jié)果的一致性和準確性。此外,還特別強調(diào)了數(shù)據(jù)處理的重要性,提出了具體的算法模型用于從原始信號中提取有用信息,從而計算出準確的應(yīng)變梯度值。
對于測量過程中可能遇到的問題及解決辦法也有所涉及,比如如何校正非線性誤差、提高信噪比等技術(shù)難點。同時,標準還列舉了一些典型的案例分析,通過實際例子說明不同條件下采用本標準所推薦方法可以獲得的良好效果。
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....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2017-11-01 頒布
- 2018-05-01 實施




下載本文檔
GB/T 34894-2017微機電系統(tǒng)(MEMS)技術(shù)基于光學(xué)干涉的MEMS微結(jié)構(gòu)應(yīng)變梯度測量方法-免費下載試讀頁文檔簡介
ICS31200
L55.
中華人民共和國國家標準
GB/T34894—2017
微機電系統(tǒng)MEMS技術(shù)
()
基于光學(xué)干涉的MEMS微結(jié)構(gòu)
應(yīng)變梯度測量方法
Micro-electromechanicalsystemtechnology—Measuringmethod
forstraingradientmeasurementsofMEMSmicrostructures
usinganopticalinterferometer
2017-11-01發(fā)布2018-05-01實施
中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布
中國國家標準化管理委員會
GB/T34894—2017
目次
前言
…………………………Ⅲ
范圍
1………………………1
規(guī)范性引用文件
2…………………………1
術(shù)語和定義
3………………1
測量方法
4…………………1
影響測量不確定度的主要因素
5…………6
附錄資料性附錄光學(xué)干涉顯微鏡的典型形式和主要技術(shù)特點
A()…………………7
Ⅰ
GB/T34894—2017
前言
本標準按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標準由全國微機電技術(shù)標準化技術(shù)委員會提出并歸口
(SAC/TC336)。
本標準主要起草單位中機生產(chǎn)力促進中心天津大學(xué)國家儀器儀表元器件質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心
:、、、
中國電子科技集團公司第十三研究所南京理工大學(xué)
、。
本標準主要起草人胡曉東郭彤程紅兵于振毅李海斌崔波朱悅裘安萍
:、、、、、、、。
Ⅲ
GB/T34894—2017
微機電系統(tǒng)MEMS技術(shù)
()
基于光學(xué)干涉的MEMS微結(jié)構(gòu)
應(yīng)變梯度測量方法
1范圍
本標準規(guī)定了基于光學(xué)干涉顯微鏡獲取的微懸臂梁結(jié)構(gòu)表面形貌進行應(yīng)變梯度測量的方法
。
本標準適用于表面反射率不低于且使用光學(xué)干涉顯微鏡能夠獲取表面形貌的微懸臂梁結(jié)構(gòu)
4%。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
產(chǎn)品幾何技術(shù)規(guī)范表面結(jié)構(gòu)輪廓法術(shù)語定義及表面結(jié)構(gòu)參數(shù)
GB/T3505(GPS)、
微機電系統(tǒng)技術(shù)術(shù)語
GB/T26111(MEMS)
微機電系統(tǒng)技術(shù)微幾何量評定總則
GB/T26113(MEMS)
微機電系統(tǒng)技術(shù)基于光學(xué)干涉的微結(jié)構(gòu)面內(nèi)長度測量
GB/T34893—2017(MEMS)MEMS
方法
3術(shù)語和定義
和界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件
GB/T3505、GB/T26111GB/T34893—2017。
31
.
應(yīng)變梯度straingradient
結(jié)構(gòu)內(nèi)部單位長度的應(yīng)變變化值
。
4測量方法
41總則
.
411懸臂梁是薄膜力學(xué)特性測量中最常用的測量結(jié)構(gòu)如基于表面工藝制作的微懸臂梁通
..,MEMS,
過去除犧牲層釋放結(jié)構(gòu)層實現(xiàn)可動結(jié)構(gòu)在殘余應(yīng)力作用下釋放的微懸臂梁結(jié)構(gòu)將產(chǎn)生彎曲變形如
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