標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 37051-2018 太陽(yáng)能級(jí)多晶硅錠、硅片晶體缺陷密度測(cè)定方法》是一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，主要針對(duì)太陽(yáng)能級(jí)多晶硅錠和硅片中晶體缺陷密度的測(cè)量方法進(jìn)行了規(guī)定。該標(biāo)準(zhǔn)適用于評(píng)估太陽(yáng)能級(jí)多晶硅材料的質(zhì)量，特別是對(duì)于晶體缺陷如位錯(cuò)等微觀結(jié)構(gòu)不完美性的定量分析。

根據(jù)此標(biāo)準(zhǔn)，晶體缺陷密度指的是單位體積內(nèi)存在的晶體缺陷數(shù)量。這些缺陷可能包括但不限于位錯(cuò)、堆垛層錯(cuò)以及其他類型的點(diǎn)缺陷或線缺陷。準(zhǔn)確測(cè)定這些缺陷的數(shù)量對(duì)于理解材料性能及其對(duì)最終光伏器件效率的影響至關(guān)重要。

在具體操作上，《GB/T 37051-2018》提供了詳細(xì)的步驟來(lái)指導(dǎo)如何準(zhǔn)備樣品、選擇適當(dāng)?shù)臏y(cè)試設(shè)備（如掃描電子顯微鏡SEM）、設(shè)置實(shí)驗(yàn)參數(shù)以及進(jìn)行數(shù)據(jù)分析。此外，還明確了不同類型缺陷識(shí)別的標(biāo)準(zhǔn)，并給出了計(jì)算缺陷密度的方法。通過(guò)遵循這些指南，可以確保不同實(shí)驗(yàn)室之間獲得一致且可比的結(jié)果，從而提高行業(yè)內(nèi)的標(biāo)準(zhǔn)化水平。

該文件強(qiáng)調(diào)了正確處理樣品的重要性，包括切割、拋光及清洗過(guò)程中的注意事項(xiàng)，以避免引入額外的人為損傷或污染。同時(shí)，也提到了關(guān)于數(shù)據(jù)記錄與報(bào)告格式的具體要求，旨在促進(jìn)信息交流的一致性和透明度。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2018-12-28 頒布
  • 2019-04-01 實(shí)施
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文檔簡(jiǎn)介

ICS29045

H80.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T37051—2018

太陽(yáng)能級(jí)多晶硅錠硅片晶體

、

缺陷密度測(cè)定方法

Testmethodfordeterminationofcrystaldefectdensityin

PVsiliconingotandwafer

2018-12-28發(fā)布2019-04-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T37051—2018

目次

前言

…………………………Ⅰ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

方法概要

3…………………1

試劑和材料

4………………1

儀器和設(shè)備

5………………2

試樣制備

6…………………2

測(cè)試步驟

7…………………2

數(shù)據(jù)處理

8…………………4

精密度

9……………………5

干擾因素

10…………………5

報(bào)告

11………………………6

GB/T37051—2018

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC203)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位英利集團(tuán)有限公司中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院江西賽維太陽(yáng)能高科技

:、、LDK

有限公司泰州中來(lái)光電科技有限公司晉能清潔能源科技有限公司鎮(zhèn)江仁德新能源科技有限公司天

、、、、

津英利新能源有限公司

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人李鋒李英葉段青春張偉吳翠姑馮亞彬裴會(huì)川程小娟唐駿

:、、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T37051—2018

太陽(yáng)能級(jí)多晶硅錠硅片晶體

、

缺陷密度測(cè)定方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽(yáng)能級(jí)多晶硅錠硅片的晶體缺陷密度測(cè)定方法包含方法概要試劑和材料儀器

、,、、

和設(shè)備試樣制備測(cè)試步驟數(shù)據(jù)處理精密度干擾因素和報(bào)告

、、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于太陽(yáng)能級(jí)多晶硅錠硅片晶體缺陷密度的測(cè)定

、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

測(cè)量方法與結(jié)果的準(zhǔn)確度正確度和精密度第部分確定標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量方

GB/T6379.2—2004()2:

法重復(fù)性與再現(xiàn)性的基本方法

潔凈室及相關(guān)受控環(huán)境第部分空氣潔凈度等級(jí)

GB/T25915.1—20101:

太陽(yáng)能級(jí)鑄造多晶硅塊

GB/T29054

太陽(yáng)電池用多晶硅片

GB/T29055

3方法概要

用硝酸氫氟酸混合液對(duì)硅片表面進(jìn)行化學(xué)拋光再使用重鉻酸鉀氫氟酸混合液腐蝕硅片硅晶體

、,、,

缺陷被優(yōu)先腐蝕使用顯微鏡觀察試樣腐蝕表面可觀察到硅片的晶體缺陷特征并對(duì)缺陷計(jì)數(shù)

,,。

通過(guò)對(duì)不同位置的硅錠取樣硅片樣片測(cè)量得到不同部位硅片樣片的晶體缺陷密度其最終結(jié)果可

,,

以表征硅錠的晶體缺陷密度

。

4試劑和材料

41重鉻酸鉀分析純

.:。

42氫氟酸質(zhì)量分?jǐn)?shù)電子級(jí)

.:40%,。

43硝酸質(zhì)量分?jǐn)?shù)電子級(jí)

.:65%,。

44化學(xué)腐蝕拋光液V氫氟酸V硝酸

.:∶=1∶4。

45去離子水電導(dǎo)率小于或等于

.:1μS/cm。

46無(wú)水乙醇密度分析純

.:0.79g/mL,。

47重鉻酸鉀溶液質(zhì)量濃度稱取重鉻酸鉀置于燒杯中用去離子水完全溶解后移入

.:44g/L。44g,,

容量瓶中用去離子水稀釋至刻度混勻

1000mL,

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