標準解讀

《GB/T 37152-2018 納米技術(shù) 碳納米管材料 薄層電阻》是一項國家標準,其主要目的是規(guī)定了碳納米管材料薄層電阻的測量方法。該標準適用于各種形態(tài)(如薄膜、涂層等)的碳納米管材料,并為其提供了統(tǒng)一且可比較的測試手段。

標準中詳細描述了實驗所需儀器設(shè)備的要求,包括但不限于四探針測試儀、樣品制備工具等,確保不同實驗室間能夠獲得一致性和重復(fù)性良好的測試結(jié)果。對于樣品準備,標準給出了具體指導(dǎo),比如要求被測樣品表面平整無污染,厚度均勻等條件,以減少外部因素對測量值的影響。

此外,《GB/T 37152-2018》還明確了測試環(huán)境條件,例如溫度和濕度控制范圍,以及操作步驟,從放置樣品到記錄數(shù)據(jù)的過程都有明確規(guī)定。通過這些標準化流程,可以有效提高測量精度與可靠性。

在數(shù)據(jù)分析部分,本標準介紹了如何處理原始數(shù)據(jù)以計算出最終的薄層電阻值,并提出了誤差分析的方法,幫助使用者評估測量結(jié)果的有效性。同時,也指出了可能影響測量準確性的因素及相應(yīng)的解決措施。

該標準為碳納米管材料的研究開發(fā)及其應(yīng)用領(lǐng)域提供了一個科學(xué)合理的評價體系,促進了相關(guān)技術(shù)的進步與發(fā)展。


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....

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  • 2018-12-28 頒布
  • 2018-12-28 實施
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文檔簡介

ICS5910020

G13..

中華人民共和國國家標準

GB/T37152—2018/IEC/TS62607-2-12012

:

納米技術(shù)碳納米管材料薄層電阻

Nanotechnology—Carbonnanotubematerials—Sheetresistance

(IEC/TS62607-2-1:2012,Nanomanufacturing—Keycontrolcharacteristics—

Part2-1:Carbonnanotubematerial—Filmresistance,IDT)

2018-12-28發(fā)布2018-12-28實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T37152—2018/IEC/TS62607-2-12012

:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

術(shù)語和定義縮略語

2、………………………1

試樣制備方法

3……………2

碳納米管薄層電阻的測定

4………………3

數(shù)據(jù)分析結(jié)果說明

5/………………………5

附錄資料性附錄實例分析

A()…………6

參考文獻

………………………9

GB/T37152—2018/IEC/TS62607-2-12012

:

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準使用翻譯法等同采用納米制造關(guān)鍵控制特性第部分碳

IEC/TS62607-2-1:2012《2-1:

納米管材料膜電阻

》。

本標準做了下列編輯性修改

:

將標準名稱修改為納米技術(shù)碳納米管材料薄層電阻

———《》。

本標準由中國科學(xué)院提出

。

本標準由全國納米技術(shù)標準化技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC279)。

本標準起草單位深圳市標準技術(shù)研究院深圳市德方納米科技股份有限公司國家納米科學(xué)中心

:、、、

深圳市計量質(zhì)量檢測研究院

本標準主要起草人王益群金松孔令涌葛廣路王孝平高潔尚偉麗李中原

:、、、、、、、。

GB/T37152—2018/IEC/TS62607-2-12012

:

引言

含有碳納米管的新材料在下一代工業(yè)應(yīng)用主要有兩大趨勢

(CarbonNanotube,CNT):

應(yīng)用于場發(fā)射顯示柔性顯示和印刷類電子器件的導(dǎo)電復(fù)合

a)(field-emissiondisplays,FEDs)、

材料

;

機械應(yīng)用的納米復(fù)合材料充分利用其杰出的機械性能如高楊氏模量高彈性和高拉伸強度

b),,、

等優(yōu)勢

。

本標準主要涉及上述中導(dǎo)電復(fù)合材料目前導(dǎo)電復(fù)合材料大量應(yīng)用于電子工業(yè)所以有必要

a)。,,

建立檢測方法標準以評估其電學(xué)性能

應(yīng)用于導(dǎo)電復(fù)合材料的電學(xué)性能特征對制造商和使用者都非常重要本標準規(guī)定了用于導(dǎo)

CNT。

電復(fù)合材料的電學(xué)性能的簡單檢測方法

CNT。

GB/T37152—2018/IEC/TS62607-2-12012

:

納米技術(shù)碳納米管材料薄層電阻

1范圍

本標準規(guī)定了碳納米管薄層電阻檢測的標準方法以便于使用者結(jié)合其自身應(yīng)用情況作出恰當選

,

擇本標準目的在于評估經(jīng)同一生產(chǎn)程序制造的不同批次的產(chǎn)品其最終產(chǎn)品電導(dǎo)率的一致性控制

。,。

針對每項應(yīng)用應(yīng)建立起根據(jù)規(guī)定方法測得的參數(shù)與相關(guān)產(chǎn)品性能參數(shù)之間的關(guān)系本標準包括下列

,。

內(nèi)容

:

本文件所用術(shù)語的定義

a);

樣品的制備建議

b);

測量碳納米管薄層電阻的實驗程序概要

c);

結(jié)果分析與數(shù)據(jù)討論

d);

實例分析

e);

參考文獻

f)。

2術(shù)語和定義縮略語

、

注更為全面的納米科技術(shù)語系列標準正在由第一聯(lián)合工作組編寫

:IEC/ISO/TS80004IECTC113/ISOTC229

中并將包含在的不同部分本標準在使用中將與最新版本中術(shù)語和

,IEC/ISO/TS80004。IEC/ISO/TS80004

定義保持一致未被規(guī)定的術(shù)語引自科技文獻

。。

21術(shù)語和定義

.

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

211

..

單壁碳納米管single-wallcarbonnanotubeSWCNT

;

由單層石墨烯片層卷曲而成的碳納米管

。

注由單層石墨烯片卷曲而形成的無縫納米級圓柱形蜂窩結(jié)構(gòu)

:。

定義

[ISO/TS80004-3:2010,4.4]

212

..

多壁碳納米管multiwallcarbonna

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