標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 4059-2007 硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗方法》與《GB/T 4059-1983 硅多晶氣氛區(qū)熔磷檢驗方法》相比，在多個方面進行了修訂和完善。首先，新標(biāo)準(zhǔn)在名稱上有所變化，“硅多晶氣氛區(qū)熔磷檢驗方法”變更為“硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗方法”，更準(zhǔn)確地反映了檢測對象為硅材料中基于區(qū)熔技術(shù)處理后磷元素的存在情況。其次，在適用范圍部分，《GB/T 4059-2007》明確指出適用于通過氣氛區(qū)熔法制備的硅單晶及多晶材料中磷含量的測定，而舊版則沒有如此詳細的規(guī)定。

關(guān)于方法原理，《GB/T 4059-2007》保留了使用化學(xué)發(fā)光法測定樣品中微量磷的技術(shù)路線，但對具體操作步驟進行了細化，并增加了質(zhì)量控制要求，比如空白實驗、重復(fù)性限值等，以提高測試結(jié)果的準(zhǔn)確性與可靠性。此外，新版還引入了更加先進的儀器設(shè)備和技術(shù)手段，如高效液相色譜儀或原子吸收光譜儀的應(yīng)用建議，以及對實驗室環(huán)境條件的具體要求，旨在進一步提升分析精度和效率。

對于樣品制備過程，《GB/T 4059-2007》給出了更為詳盡的操作指南，包括取樣量、溶解方法、酸化處理等方面的具體參數(shù)設(shè)置，確保每一步驟都可追溯且易于執(zhí)行。同時，針對不同形態(tài)（固體、液體）的待測物也提供了差異化的處理方案，增強了標(biāo)準(zhǔn)的適用性和靈活性。


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  • 已被新標(biāo)準(zhǔn)代替，建議下載現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)GB/T 4059-2018
  • 2007-09-11 頒布
  • 2008-02-01 實施
?正版授權(quán)
GB/T 4059-2007硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗方法_第1頁
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文檔簡介

犐犆犛７７．０４０．０１

犎１７

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜４０５９—２００７

代替ＧＢ／Ｔ４０５９—１９８３

硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗方法

犘狅犾狔犮狉狔狊狋犪犾犾犻狀犲狊犻犾犻犮狅狀—犈狓犪犿犻狀犪狋犻狅狀犿犲狋犺狅犱—犣狅狀犲犿犲犾狋犻狀犵狅狀

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２００７０９１１發(fā)布２００８０２０１實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局

發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

書

中華人民共和國

國家標(biāo)準(zhǔn)

硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗方法

ＧＢ／Ｔ４０５９—２００７

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京西城區(qū)復(fù)興門外三里河北街１６號

郵政編碼：１０００４５

ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｓｐｃ．ｎｅｔ．ｃｎ

ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｇｂ１６８．ｃｎ

電話：（０１０）５１２９９０９０、６８５２２００６

２００８年２月第一版

書號：１５５０６６·１３０５３４

版權(quán)專有侵權(quán)必究

舉報電話：（０１０）６８５２２００６

書

犌犅／犜４０５９—２００７

前言

本標(biāo)準(zhǔn)是對ＧＢ／Ｔ４０５９—１９８３《硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗方法》的修訂。本標(biāo)準(zhǔn)修改采用了

ＡＳＴＭＦ１７２３—１９９６《用懸浮區(qū)熔法晶體生長和光譜學(xué)方法評價多晶硅棒的標(biāo)準(zhǔn)》。

本標(biāo)準(zhǔn)與ＡＳＴＭＦ１７２３１９９６的一致性程度是修改采用，其差異如下：

———刪去了ＡＳＴＭＦ１７２３１９９６第９章“危害”，因此，使用本標(biāo)準(zhǔn)時應(yīng)建立相應(yīng)的安全操作規(guī)范；

———刪去了ＡＳＴＭＦ１７２３１９９６第５章“意義和用途”、第１０章１０．２．３條“垂直取芯”、第１５章“關(guān)鍵詞”。

本標(biāo)準(zhǔn)與原標(biāo)準(zhǔn)相比，主要變化如下：

———檢測雜質(zhì)濃度范圍擴大為０．００２ｐｐｂａ～１００ｐｐｂａ；

———采用ＡＳＴＭＦ１７２３９６規(guī)定的施主雜質(zhì)測量范圍替代原ＧＢ／Ｔ４０５９—１９８３的測量范圍；

———依據(jù)ＡＳＴＭＦ１７２３９６增加了用低溫紅外光譜和熒光光譜分析法測量樣品中的磷雜質(zhì)含量的

方法；

———增加了“規(guī)范性引用文件”、“術(shù)語”、“允許差”、“計算”；

———刪去了原標(biāo)準(zhǔn)中的附錄Ａ；

———將原標(biāo)準(zhǔn)中的第５章“檢驗條件”修訂為“干擾因素”；

———將原標(biāo)準(zhǔn)中的取樣位置修訂為距多晶硅棒表面不低于５ｍｍ，距多晶硅棒底部不低于５０ｍｍ；

———將原標(biāo)準(zhǔn)中的試樣尺寸范圍修訂為直徑１５ｍｍ～２０ｍｍ、長度為１８０ｍｍ；

———將原標(biāo)準(zhǔn)中的“檢驗結(jié)果尺寸”修訂為１０ｍｍ～１５ｍｍ。

本標(biāo)準(zhǔn)自實施之日起，同時代替ＧＢ／Ｔ４０５９—１９８３。

本標(biāo)準(zhǔn)由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：峨眉半導(dǎo)體材料廠。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：羅莉萍、梁洪、覃銳兵、王炎、王向東。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ４０５９—１９８３。

Ⅰ

書

犌犅／犜４０５９—２００７

硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗方法

１范圍

本標(biāo)準(zhǔn)適用于多晶硅沉積在硅芯上生長的多晶硅棒基磷的檢驗。

本標(biāo)準(zhǔn)檢測雜質(zhì)濃度的有效范圍：０．００２×１０－９～１００×１０－９。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

ＧＢ／Ｔ１５５１硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法

ＧＢ／Ｔ１５５３硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測定光電導(dǎo)衰減法

ＧＢ／Ｔ１５５４硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗方法

ＧＢ／Ｔ１５５５半導(dǎo)體單晶晶向測定方法

ＧＢ／Ｔ１３３８９摻硼摻磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度

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