GB/T 4060-2007硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗(yàn)方法

犐犆犛７７．０４０．０１

犎１７

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜４０６０—２００７

代替ＧＢ／Ｔ４０６０—１９８３

硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗(yàn)方法

犘狅犾狔犮狉狔狊狋犪犾犾犻狀犲狊犻犾犻犮狅狀—犈狓犪犿犻狀犪狋犻狅狀犿犲狋犺狅犱—

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２００７０９１１發(fā)布２００８０２０１實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

書

中華人民共和國

國家標(biāo)準(zhǔn)

硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗(yàn)方法

ＧＢ／Ｔ４０６０—２００７

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京西城區(qū)復(fù)興門外三里河北街１６號

郵政編碼：１０００４５

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電話：（０１０）５１２９９０９０、６８５２２００６

２００８年２月第一版

書號：１５５０６６·１３０５３５

版權(quán)專有侵權(quán)必究

舉報(bào)電話：（０１０）６８５２２００６

書

犌犅／犜４０６０—２００７

前言

本標(biāo)準(zhǔn)是對國家標(biāo)準(zhǔn)ＧＢ／Ｔ４０６０—１９８３《硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗(yàn)方法》的修訂。

本標(biāo)準(zhǔn)與ＧＢ／Ｔ４０６０—１９８３相比，主要變動(dòng)如下：

———檢測雜質(zhì)濃度范圍擴(kuò)大為０．００２×１０－９～１００×１０－９；

———增加了“規(guī)范性引用文件”、“術(shù)語”、“允許差”、“計(jì)算”；

———將原標(biāo)準(zhǔn)中的第５章“檢驗(yàn)條件”修訂為“干擾因素”；

———將原標(biāo)準(zhǔn)中的取樣位置修訂為距多晶硅棒表面不低于５ｍｍ，距多晶硅棒底部不低于５０ｍｍ；

———將原標(biāo)準(zhǔn)中的試樣尺寸范圍修訂為直徑１５ｍｍ～２０ｍｍ，長度為１８０ｍｍ。

本標(biāo)準(zhǔn)自實(shí)施之日起，同時(shí)代替ＧＢ／Ｔ４０６０—１９８３。

本標(biāo)準(zhǔn)由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：峨眉半導(dǎo)體材料廠。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：羅莉萍、梁洪、覃銳兵、王炎、王向東。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ４０６０—１９８３。

Ⅰ

書

犌犅／犜４０６０—２００７

硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗(yàn)方法

１范圍

本標(biāo)準(zhǔn)適用于多晶硅沉積在硅芯上生長的多晶硅棒基硼的檢驗(yàn)。

本標(biāo)準(zhǔn)檢測雜質(zhì)濃度有效范圍：０．００２×１０－９～１００×１０－９。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

ＧＢ／Ｔ１５５１硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法

ＧＢ／Ｔ１５５４硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法

ＧＢ／Ｔ１５５５半導(dǎo)體單晶晶向測定方法

ＧＢ／Ｔ１３３８９摻硼摻磷硅單晶電阻率與摻雜劑濃度換算規(guī)程

ＧＢ／Ｔ１４２６４半導(dǎo)體材料術(shù)語

３術(shù)語和定義

ＧＢ／Ｔ１４２６４確立的下列術(shù)語和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

３．１

硅芯狊犾犻犿狉狅犱

小直徑硅棒，用以提供多晶沉積的基體。

３．２

生長層犵狉狅狑狋犺犾犪狔犲狉

在硅芯上沉積生長的多晶硅層。

３．３

樣芯狊犪犿狆犾犲犮狅狉犲

用空心鉆頭，從多晶棒上鉆取的圓柱體。

３．４

控制棒犮狅狀狋狉狅犾狉狅犱

從有均勻沉積生長層的已知其硼含量的多晶棒上取得的多晶硅圓柱體。

４方法提要

在真空度不低于１．３３×１０－２Ｐａ，以１．０ｍｍ／ｍｉｎ的速度區(qū)熔提純１４次成晶后，