GB/T 4585.2-1991交流系統(tǒng)用高壓絕緣子人工污穢試驗(yàn)方法固體層法

UDC：621.315.62：620.193.5K50中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T4585.2-91交流系統(tǒng)用高壓絕緣子人工污秒試驗(yàn)方法固體層法Artificialpollutiontestsonhigh-voltageinsulatorstobeusedona.c.systemssolid-layermethod1991-06-06發(fā)布1992-03-01實(shí)施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

(京)新登字023號(hào)中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)交流系統(tǒng)用高壓絕緣子人工污秒試驗(yàn)方法固體層法GB/T4585.2--91中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復(fù)興門外三里河北街16號(hào)郵政編碼：100045電話：63787337、637874471992年4月第一版204年12月電子版制作書號(hào)：155066·1-8617版權(quán)專有侵權(quán)必究舉報(bào)電話：（010）68533533

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)交流系統(tǒng)用高壓絕緣子人工污秒試驗(yàn)方法固體層法GB/T4585.2-91Artificialpollutiontestsonhigh-voltageinsulatorstobeusedona.c.systemssolid-layermethod本標(biāo)準(zhǔn)等效采用國際標(biāo)準(zhǔn)IEC507(1975）《交流系統(tǒng)用高壓絕緣子人工污移試驗(yàn)》中固體層法部主題內(nèi)客與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了交流系統(tǒng)用高壓絕緣子人工污移試驗(yàn)方法中的一般規(guī)定，污移物質(zhì)、試品制備、測(cè)試方法等內(nèi)容。本標(biāo)準(zhǔn)適用于戶外污移環(huán)境條件下使用的交流電力系統(tǒng)額定電壓為1～500kV瓷和玻璃絕緣子的耐污性能試驗(yàn)。本標(biāo)準(zhǔn)對(duì)半導(dǎo)體釉絕緣子除第9.3條及附錄B(參考件)規(guī)定外，其他部分均可參照本方法進(jìn)行試驗(yàn)2引用標(biāo)準(zhǔn)GB2900.8電工名詞術(shù)語絕緣子GB311.2～311.6高電壓試驗(yàn)技術(shù)3術(shù)語除了應(yīng)符合本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的術(shù)語外，還應(yīng)符合GB2900.8的規(guī)定3.1灰密灰蜜是沉積在一給定絕緣子的絕緣體表面的灰量除以該表面面積之值(見第7.3條）,以me/cm"表示。3.2耐受污層電導(dǎo)率耐受污層電導(dǎo)率是表征絕緣子耐污性能的一種參數(shù)，即絕緣子在規(guī)定試驗(yàn)電壓下按本標(biāo)準(zhǔn)第9.1條的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)時(shí)，能耐受住規(guī)定的污層電導(dǎo)率。3.3耐受鹽密耐受鹽密是表征絕緣子耐污性能的一種參數(shù)，即絕緣子在規(guī)定的試驗(yàn)電壓下按本標(biāo)準(zhǔn)第9.1條的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)時(shí)，能耐受住規(guī)