標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 4585.2-1991 交流系統(tǒng)用高壓絕緣子人工污穢試驗(yàn)方法 固體層法》是一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),主要規(guī)定了在實(shí)驗(yàn)室條件下對(duì)用于交流系統(tǒng)的高壓絕緣子進(jìn)行人工污穢試驗(yàn)的具體方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于評(píng)估高壓絕緣子在受污染環(huán)境下的電氣性能。
根據(jù)這項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn),固體層法指的是將特定成分的污穢物以固體形式均勻涂抹于待測(cè)試的絕緣子表面,并通過(guò)控制一定的條件來(lái)模擬自然環(huán)境中絕緣子可能遇到的污濕狀況。具體步驟包括:
- 準(zhǔn)備試樣:選擇符合要求的高壓絕緣子作為測(cè)試對(duì)象。
- 制備污穢物質(zhì):按照標(biāo)準(zhǔn)中給出的比例混合鹽類和其他添加劑,形成污穢物。
- 污穢處理:將制備好的污穢物均勻地涂覆到絕緣子表面上。
- 干燥過(guò)程:讓涂有污穢物的絕緣子自然干燥或通過(guò)加熱等方式加速干燥。
- 測(cè)試前處理:向已干燥的絕緣子施加一定量的水分(如霧化水),使其達(dá)到規(guī)定的濕潤(rùn)狀態(tài)。
- 進(jìn)行電氣試驗(yàn):在上述條件下對(duì)絕緣子進(jìn)行耐壓試驗(yàn)或其他相關(guān)電氣性能檢測(cè)。
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- 1991-06-06 頒布
- 1992-03-01 實(shí)施
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GB/T 4585.2-1991交流系統(tǒng)用高壓絕緣子人工污穢試驗(yàn)方法固體層法-免費(fèi)下載試讀頁(yè)文檔簡(jiǎn)介
UDC:621.315.62:620.193.5K50中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T4585.2-91交流系統(tǒng)用高壓絕緣子人工污秒試驗(yàn)方法固體層法Artificialpollutiontestsonhigh-voltageinsulatorstobeusedona.c.systemssolid-layermethod1991-06-06發(fā)布1992-03-01實(shí)施國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布
(京)新登字023號(hào)中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)交流系統(tǒng)用高壓絕緣子人工污秒試驗(yàn)方法固體層法GB/T4585.2--91中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復(fù)興門外三里河北街16號(hào)郵政編碼:100045電話:63787337、637874471992年4月第一版204年12月電子版制作書號(hào):155066·1-8617版權(quán)專有侵權(quán)必究舉報(bào)電話:(010)68533533
中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)交流系統(tǒng)用高壓絕緣子人工污秒試驗(yàn)方法固體層法GB/T4585.2-91Artificialpollutiontestsonhigh-voltageinsulatorstobeusedona.c.systemssolid-layermethod本標(biāo)準(zhǔn)等效采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)IEC507(1975)《交流系統(tǒng)用高壓絕緣子人工污移試驗(yàn)》中固體層法部主題內(nèi)客與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了交流系統(tǒng)用高壓絕緣子人工污移試驗(yàn)方法中的一般規(guī)定,污移物質(zhì)、試品制備、測(cè)試方法等內(nèi)容。本標(biāo)準(zhǔn)適用于戶外污移環(huán)境條件下使用的交流電力系統(tǒng)額定電壓為1~500kV瓷和玻璃絕緣子的耐污性能試驗(yàn)。本標(biāo)準(zhǔn)對(duì)半導(dǎo)體釉絕緣子除第9.3條及附錄B(參考件)規(guī)定外,其他部分均可參照本方法進(jìn)行試驗(yàn)2引用標(biāo)準(zhǔn)GB2900.8電工名詞術(shù)語(yǔ)絕緣子GB311.2~311.6高電壓試驗(yàn)技術(shù)3術(shù)語(yǔ)除了應(yīng)符合本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的術(shù)語(yǔ)外,還應(yīng)符合GB2900.8的規(guī)定3.1灰密灰蜜是沉積在一給定絕緣子的絕緣體表面的灰量除以該表面面積之值(見(jiàn)第7.3條),以me/cm"表示。3.2耐受污層電導(dǎo)率耐受污層電導(dǎo)率是表征絕緣子耐污性能的一種參數(shù),即絕緣子在規(guī)定試驗(yàn)電壓下按本標(biāo)準(zhǔn)第9.1條的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)時(shí),能耐受住規(guī)定的污層電導(dǎo)率。3.3耐受鹽密耐受鹽密是表征絕緣子耐污性能的一種參數(shù),即絕緣子在規(guī)定的試驗(yàn)電壓下按本標(biāo)準(zhǔn)第9.1條的規(guī)定進(jìn)行試驗(yàn)時(shí),能耐受住規(guī)
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