標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 4937.3-2012 半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法 第3部分:外部目檢》是一項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn),專門針對半導(dǎo)體器件的外部檢查過程進(jìn)行了詳細(xì)規(guī)定。該標(biāo)準(zhǔn)適用于半導(dǎo)體器件在生產(chǎn)、使用或維修過程中需要進(jìn)行外觀質(zhì)量評估的情況。根據(jù)這一標(biāo)準(zhǔn),外部目檢主要是指通過肉眼或者借助于放大鏡等簡單工具對半導(dǎo)體器件表面狀況進(jìn)行觀察與判斷的過程。

標(biāo)準(zhǔn)中明確了目檢的具體要求,包括但不限于:

  • 檢查環(huán)境條件,如照明強(qiáng)度應(yīng)達(dá)到一定水平以確保能夠清晰地看到被檢物體;
  • 對于不同類型的半導(dǎo)體產(chǎn)品(如二極管、晶體管等),規(guī)定了各自特定的關(guān)注點(diǎn)及可能存在的缺陷類型;
  • 提供了如何記錄發(fā)現(xiàn)的問題以及后續(xù)處理建議的指導(dǎo)原則;
  • 強(qiáng)調(diào)了執(zhí)行目檢人員的專業(yè)技能要求,指出他們需要接受適當(dāng)培訓(xùn)才能勝任此項(xiàng)工作。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2012-11-05 頒布
  • 2013-02-15 實(shí)施
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GB/T 4937.3-2012半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第3部分:外部目檢_第1頁
GB/T 4937.3-2012半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第3部分:外部目檢_第2頁
GB/T 4937.3-2012半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第3部分:外部目檢_第3頁
GB/T 4937.3-2012半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第3部分:外部目檢_第4頁
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GB/T 4937.3-2012半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第3部分:外部目檢-免費(fèi)下載試讀頁

文檔簡介

ICS3108001

L40..

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T49373—2012/IEC6074932002

.-:

半導(dǎo)體器件

機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法

第3部分外部目檢

:

Semiconductordevices—

Mechanicalandclimatictestsmethods—

Part3Externalvisualexamination

:

(IEC60749-3:2002,IDT)

2012-11-05發(fā)布2013-02-15實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T49373—2012/IEC60749-32002

.:

前言

半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法由以下部分組成

GB/T4937《》:

第部分總則

———1:;

第部分低氣壓

———2:;

第部分外部目檢

———3:;

第部分強(qiáng)加速穩(wěn)態(tài)濕熱試驗(yàn)

———4:(HAST);

第部分穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命試驗(yàn)

———5:;

第部分高溫貯存

———6:;

第部分內(nèi)部水汽含量測試和其他殘余氣體分析

———7:;

第部分密封

———8:;

第部分標(biāo)志耐久性

———9:;

第部分機(jī)械沖擊

———10:;

第部分快速溫度變化雙液槽法

———11:;

第部分變頻振動(dòng)

———12:;

第部分鹽氣

———13:;

第部分引線牢固性引線強(qiáng)度

———14:();

第部分通孔安裝器件的耐焊接熱

———15:;

第部分粒子碰撞噪聲檢測

———16:(PIND);

第部分中子輻射

———17:;

第部分電離輻射總劑量

———18:();

第部分芯片剪切強(qiáng)度

———19:;

第部分塑封表面安裝器件的耐濕和耐焊接熱

———20:;

第部分可焊性

———21:;

第部分鍵合強(qiáng)度

———22:;

第部分高溫工作壽命

———23:;

第部分加速耐濕無偏置強(qiáng)加速應(yīng)力試驗(yàn)

———24:;

第部分溫度循環(huán)

———25:;

第部分靜電放電敏感度試驗(yàn)人體模式

———26:(ESD)(HBM);

第部分靜電放電敏感度試驗(yàn)機(jī)械模式

———27:(ESD)(MM);

第部分靜電放電敏感度試驗(yàn)器件帶電模式考慮中

———28:(ESD)(CDM)();

第部分門鎖試驗(yàn)

———29:;

第部分非密封表面安裝器件在可靠性試驗(yàn)前的預(yù)處理

———30:;

第部分塑封器件的易燃性內(nèi)部引起的

———31:();

第部分塑封器件的易燃性外部引起的

———32:();

第部分加速耐濕無偏置高壓蒸煮

———33:;

第部分功率循環(huán)

———34:;

第部分塑封電子元器件的聲學(xué)掃描

———35:;

第部分恒定加速度

———36:;

第部分手持電子產(chǎn)品用元器件桌面跌落試驗(yàn)方法

———37:;

GB/T49373—2012/IEC60749-32002

.:

第部分半導(dǎo)體器件的軟錯(cuò)誤試驗(yàn)方法

———38:;

第部分半導(dǎo)體元器件原材料的潮氣擴(kuò)散率和水溶解率測量

———39:。

本部分是的第部分

GB/T49373。

本部分按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本部分使用翻譯法等同采用半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分

IEC60749-3:2002《3:

外部目檢

》。

為便于使用本部分做了下列編輯性修改

,:

用小數(shù)點(diǎn)代替作為小數(shù)點(diǎn)的逗號(hào)

a)“.”“,”;

刪除國際標(biāo)準(zhǔn)的前言

b)。

本部分由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

本部分由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC78)。

本部分起草單位中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所

:。

本部分主要起草人陳海蓉李麗霞崔波

:、、。

GB/T49373—2012/IEC60749-32002

.:

半導(dǎo)體器件

機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法

第3部分外部目檢

:

1范圍

的本部分的目的是驗(yàn)證半導(dǎo)體器件的材料設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)標(biāo)志和工藝質(zhì)量是否符合適用

GB/T4937、、、

的采購文件的要求外部目檢是非破壞性試驗(yàn)適用于所有的封裝類型本試驗(yàn)用于鑒定檢驗(yàn)過程監(jiān)

。,。、

控批接收

、。

2試驗(yàn)設(shè)備

本試驗(yàn)使用的設(shè)備應(yīng)能證實(shí)器件是否符合要求包括能夠放大倍倍的光學(xué)設(shè)備和足夠大的

,3~10

視場例如帶照明的圓形放大鏡

。:。

3程序

根據(jù)相關(guān)詳細(xì)規(guī)范和第章的判據(jù)要求對器件進(jìn)行檢查若懷疑器件附著外來物時(shí)可用流速最

4。,

大為的清潔過濾空氣抽氣或吹氣處理后再檢查

27m/s()。

4失效判據(jù)

如果器件出現(xiàn)以下任一情況則判為不合格

,:

器件設(shè)計(jì)引出端標(biāo)識(shí)標(biāo)志內(nèi)容位置和清晰度材料結(jié)構(gòu)和工藝質(zhì)量不符合適用的采購

a)、、(、)、、

文件要求

;

可見的腐蝕污染破損引線彎曲度大或折斷密封破裂玻璃彎月形除外缺陷剝落起皮

b)、、(,,)、(、

或起泡鍍層損傷或底層金屬暴露涂層褪色不應(yīng)視為失效除非有起皮針孔或腐蝕

)、(,、);

引線未對準(zhǔn)或改變了原來的正常位置或引線形狀不符合規(guī)定或未加規(guī)定的彎曲帶狀引

c),。(

線對正常引線平面有扭曲

);

引線上粘有諸如漆或其他粘合物之類的無關(guān)材料

d);

任何不符合詳細(xì)規(guī)范或適用的采購文件要求缺少任何要求的特征或是存在影響器件正常使

e),,

用的明顯損傷

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