標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 8760-1988 砷化鎵單晶位錯密度的測量方法》是一項國家標(biāo)準(zhǔn)，專門針對砷化鎵單晶材料中的位錯密度進行測定。該標(biāo)準(zhǔn)詳細規(guī)定了使用腐蝕坑法來測量砷化鎵單晶樣品表面位錯密度的具體步驟和技術(shù)要求。

首先，標(biāo)準(zhǔn)介紹了適用范圍，指出其適用于直徑不大于50mm的砷化鎵單晶圓片或棒材的位錯密度檢測。接著，定義了關(guān)鍵術(shù)語如“位錯”、“位錯密度”，以及用于描述測試結(jié)果的相關(guān)單位和符號。

在準(zhǔn)備階段，標(biāo)準(zhǔn)明確了樣品制備的要求，包括尺寸、形狀及表面處理等細節(jié)。為了確保測試準(zhǔn)確性，還特別強調(diào)了樣品清洗的重要性，并給出了推薦的清洗流程。

隨后，標(biāo)準(zhǔn)詳述了腐蝕液的選擇與配制方法。根據(jù)不同的實驗條件和個人偏好，可以選擇多種類型的腐蝕劑，但無論哪種，都必須嚴(yán)格按照給定的比例精確配比，并注意安全防護措施。

接下來是核心部分——腐蝕過程的操作指南。這一步驟中，溫度控制、時間設(shè)定等因素都被嚴(yán)格限定，以保證每次實驗條件下的一致性。此外，還提供了如何觀察并記錄腐蝕后形成坑點的方法。

最后，在數(shù)據(jù)分析章節(jié)里，標(biāo)準(zhǔn)說明了如何通過統(tǒng)計一定區(qū)域內(nèi)腐蝕坑的數(shù)量來計算出樣品的平均位錯密度值，并給出了相應(yīng)的公式。同時，也指出了誤差來源及減少誤差的方法。

整個文件通過對每一步驟的細致描述，為從事相關(guān)研究或生產(chǎn)的人員提供了一個科學(xué)、規(guī)范的操作框架，有助于提高測量結(jié)果的可靠性和可比性。


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  • 1988-02-25 頒布
  • 1989-02-01 實施
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UDC661.868.1.46：620.18H24中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB8760—88砷化鏢單晶位錯密度的測量方法GalliumarsenidesinglecrystalDeterminationofdislocationdensity1988-02-25發(fā)布1989-02-01實施家標(biāo)準(zhǔn)局國發(fā)布

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)UDC661.868.1.46：620.18砷化鏢單晶位錯密度的測量方法GB8760—88Galliumarsenidesinglecrystal-Determinationofdislocationdensity本標(biāo)準(zhǔn)適用于位錯密度為0～100000個/cm的砷化鏢單晶的位錯密度的測量。檢測面為1111)和100}面。1定義1.1位錯單品體中部分原子受應(yīng)力作用產(chǎn)生滑移，已滑移部分與未滑移部分的分界線稱為位錯線，簡稱位1.2位錯密度單位體積內(nèi)位錯線的總長度稱為位錯密度（cm/cm'）。本標(biāo)準(zhǔn)位錯密度指在單位表面積內(nèi)形成位錯腐蝕坑的個數(shù)（個/cm'）。2方法原理采用擇優(yōu)化學(xué)腐蝕技術(shù)顯示位錯。晶體中位錯線周圍的品格發(fā)生畸變，在晶體表面上的露頭處，對某些化學(xué)腐蝕劑優(yōu)先受到腐蝕。因此在品體的某一品面上缺陷露頭處容易形成由某些低指數(shù)面組成帶棱角的具有特定形狀的腐蝕坑或小丘。化學(xué)試劑3.1硫酸（H.SO.）.95%~98%，3.2過氧化氧（H,O,）,30%。3.3氫氧化鉀(KOH).78.2%，一級純。3.4去離子水。試樣制備4.1定向切割從單品鍵的待測部分經(jīng)定向后，切取厚度大于0.5mm的單品片，品向偏離要求小于8°。4.2研磨用302°金剛砂水漿研磨，使表面平整。清洗后，再用306*金剛砂水漿研磨，使表面光潔無劃痕，清洗·吹干。4.3位錯腐蝕坑顯示4.3.1化學(xué)拋光用新配制的H.SO，，：H.O，：H.O－3：1：1（體積比)拋光液，將試樣表面拋光成無損傷的鏡面。4.3.2位錯腐蝕將氫氧化鉀放在鉑或銀塔場內(nèi)加熱，待熔化并沒清后，溫度保持在400±

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