近期鑄造多晶硅的發(fā)展及其石英坩堝的應(yīng)用課件

近期鑄造多晶硅的發(fā)展及其石英坩堝的應(yīng)用

SIPV近期鑄造多晶硅的發(fā)展及其石英坩堝的應(yīng)用

-PV行業(yè)近況-鑄造多晶硅的發(fā)展

-近期發(fā)展-坩堝的應(yīng)用

-鑄造多晶硅配件市場(chǎng)容量-長(zhǎng)晶工藝對(duì)坩堝的需求

PV行業(yè)境況陽(yáng)光發(fā)電行業(yè)飛速增長(zhǎng)全球安裝量：09年7.5G，10年14G歐盟20-20-20計(jì)劃：PV占12%電力消耗，市場(chǎng)容量2020年前390G中國(guó)：2020年20G（17屆五中全會(huì)提出支柱產(chǎn)業(yè)）晶體硅太陽(yáng)電池占90%的市場(chǎng)份額多晶硅太陽(yáng)電池占主導(dǎo)地位，是發(fā)展方向—低能耗和規(guī)模生產(chǎn)PV行業(yè)境況

-Valencia會(huì)議資料鑄造多晶硅的發(fā)展-2000年中國(guó)第一條多晶硅片生產(chǎn)線（2MW）在SIPV寧波晶元太陽(yáng)能有限公司。2臺(tái)鑄造爐。2005年后飛速發(fā)展，2010年全國(guó)約2500臺(tái)鑄造爐.鑄造爐類別:

1.以Cystalox為代表的感應(yīng)加熱爐

2.

GTSOLAR為代表的電阻加熱爐-鑄造爐大小:

160KG-270KG-450KG-600KG

鑄造多晶硅的發(fā)展趨勢(shì)鑄造多晶硅由發(fā)達(dá)國(guó)家向發(fā)展中國(guó)家轉(zhuǎn)移。鑄造多晶硅產(chǎn)能增速驚人技術(shù)進(jìn)步(REC,DEUTHSOLAR,SCHOTTSOALRWAFER)高得率、大錠、高錠或多錠能耗考慮硅片適合于生產(chǎn)轉(zhuǎn)換效率接近于單晶硅太陽(yáng)電池的多晶硅片近期鑄造多晶硅的發(fā)展利用鑄造爐生長(zhǎng)單晶調(diào)整晶體生長(zhǎng)方向（垂直生長(zhǎng)）鑄錠尺寸

橫向（25pcs向36pcs)和縱向(高度向40cm發(fā)展）硅片的減薄---由200微米向160微米發(fā)展近期鑄造多晶硅的發(fā)展方向一:大尺寸？（籽晶）

-籽晶安放和熔融控制

-工藝可重復(fù)性

-成本方向二：垂直生長(zhǎng)

-熱場(chǎng)和工藝

-重復(fù)性近期鑄造多晶硅的發(fā)展

-單晶生長(zhǎng)

晶體生長(zhǎng)方向的調(diào)整

-晶體盡可能的垂直生長(zhǎng)，固液界面保持微凸

-減少硅片應(yīng)力

-改善少子壽命有效長(zhǎng)度---得率

-電池轉(zhuǎn)換效率的提升-節(jié)能坩堝的使用

-典型循環(huán)坩堝鑄造多晶硅對(duì)坩堝的要求

-尺寸精確性:SIN涂覆和結(jié)晶支撐的困難

-純度：-雜質(zhì)交換（盡管有SIN層）

-高溫強(qiáng)度問題

-表面特性和SIN層的附著力:粘錠和漏硅風(fēng)險(xiǎn)坩堝使用-問題案例漏硅危害:鑄錠失敗;熱場(chǎng)損失坩堝使用-問題案例粘錠危害:即使切除粘錠部分,可用部分才內(nèi)存在內(nèi)應(yīng)力或裂紋坩堝供應(yīng)供不應(yīng)求Visuvius,Creadye,SPM,zhongcai,泰國(guó),印度,韓國(guó),日本等.遍地的新投鑄造單晶對(duì)坩堝的可能要求一些廠家嚴(yán)重漏硅的發(fā)生坩堝的趨勢(shì)

-如何適應(yīng)鑄錠發(fā)展的需求420-480？高度增加硅錠25-36PCS？橫向發(fā)展坩堝壁的減薄坩堝的趨勢(shì)

-如何適應(yīng)鑄錠發(fā)展的需求高度增加:-關(guān)鍵是：有效長(zhǎng)度和得率。把多晶料變回爐料？高度和分凝得率：67%，70%，72%，80%？有效長(zhǎng)380，16PCS450KG.300-350-450-600，G5坩堝。80%---80H坩堝的趨勢(shì)

-如何適應(yīng)鑄錠發(fā)展的需求雜質(zhì)分凝現(xiàn)象：將含有雜質(zhì)的晶態(tài)物質(zhì)熔化后再結(jié)晶時(shí)，雜質(zhì)在結(jié)晶的固體和未結(jié)晶的液體中濃度不同的現(xiàn)象問題：-高度增加后雜質(zhì)富集層對(duì)分凝效果的影響-高度增增加后融融時(shí)間長(zhǎng)，坩堝雜質(zhì)擴(kuò)散

對(duì)硅錠中雜質(zhì)濃度的影響—對(duì)坩堝純度要求-長(zhǎng)晶時(shí)間增長(zhǎng)對(duì)坩堝的要求提高坩堝種類噴涂和免噴差異實(shí)例。少子壽命和有效長(zhǎng)度。CASE1：少子6.43有效長(zhǎng)度204cm得率68.8%CASE2：少子6.53有效長(zhǎng)度209cm得率70.5%差異：對(duì)產(chǎn)能100MW的硅片廠，差異約70萬片注：case1和case1均為SIPV上月實(shí)際統(tǒng)計(jì)結(jié)果原因：雜質(zhì)交換及導(dǎo)致縱向分凝差異坩堝的趨勢(shì)

-如何適應(yīng)鑄錠發(fā)展的需求減薄對(duì)縱向發(fā)展（高度增加）的益處：時(shí)間縮短