Lecture26 第六章 MOS場效應晶體管 (2)課件

Chap.6MOSFET

Lecture26：§6.5&§

6.8MOS場效應晶體管及其I-V特性Prof.GaobinXuMicroElectromechanicalSystemResearchCenterofEngineeringandTechnologyofAnhuiProvinceofHefeiUniversityofTechnologyHefei,Anhui230009,ChinaTel.:E-mail:Outline1、基本結構與工作原理2、線性區(qū)I-V特性3、飽和區(qū)I-V特性4、截止區(qū)I-V特性5、亞閾值區(qū)I-V特性MOSFET結構示意圖一、基本結構和工作原理場區(qū)場區(qū)有源區(qū)1.基本結構以源極作為電壓的參考點。當漏極加上正電壓VD，而柵極未加電壓時，從源極到漏極相當于兩個背靠背的PN結。從源到漏的電流只不過是反向漏電流。當柵極加上足夠大的正電壓VG時，中間的MOS結構發(fā)生反型，在兩個N+區(qū)之間的P型半導體形成一個表面反型層（即導電溝道）。于是源和漏之間被能通過大電流的N型表面溝道連接在一起。這個溝道的電導可以用改變柵電壓來調制。背面接觸(稱為下柵)，可以接參考電壓或負電壓，這個電壓也會影響溝道電導。2.工作原理線性區(qū)：溝道作用相當于一個電阻反型層寬度減小到零，溝道夾斷二、MOSFET的I-V特性分析I-V特性的主要假設：1.忽略源區(qū)和漏區(qū)體電阻和電極接觸電阻。2.溝道內摻雜均勻。3.載流子在反型層內的遷移率為常數(shù)。4.長溝道近似和漸近溝道近以，即假設垂直電場和水平電場是互相獨立的。5.長溝道近似（矩形溝道近似），即沿溝道長度方向上溝道寬度的變化量與溝道長度相比可以忽略柵極上加一正電壓使半導體表面反型。若加一小的漏源電壓，電子將通過溝道從源流到漏。溝道的作用相當于一個電阻，且漏電流ID和漏電壓VD成正比，這是線性區(qū)?？捎靡粭l恒定電阻的直線來表示。2.1線性區(qū)I-V特性yx支撐感應載流子電荷QI在加上源漏之間的電壓VD之后，在y處建立電位V(y)，感應溝道電荷修正為：由于溝道內載流子分布均勻，不存在濃度梯度，溝道電流只含電場作用的漂移項，且漂移電流為電子電流：(6-5-1)(6-5-2)由閾值電壓的方程：由于，QB與溝道電壓有關?？紤]溝道電壓作用：QB修正為：(6-5-6)強反型條件變化修正為：于是，漏電流方程需要修正，即：(6-5-7)(6-5-4)VTH與V有關(考慮柵電壓對QB影響)VTH與V無關(不考慮柵電壓對QB影響)進一步增加漏極電壓，會使夾斷點向源端移動，但漏電流不會顯著增加或者說基本不變，達到飽和；器件的工作進入飽和區(qū)。使MOS管進入飽和工作區(qū)所加的漏一源電壓為VDsat。由：超過這一點，漏極電流可以看成是常數(shù)(6-5-9)(6-5-8)飽和區(qū)線性區(qū)溝道被夾斷后，當VGS不變時，在漏-源電壓VDS

>VDsat后，隨著VDS的增加只是漏端空間電荷區(qū)展寬，對溝道厚度增加幾乎沒有作用。當漏一源電壓繼續(xù)增加到VDS比VDsat大得多時，超過夾斷點電壓VDsat的那部分，即（VDS－VDsat）將降落在漏端附近的夾斷區(qū)上，因而夾斷區(qū)將隨VDS的增大而展寬，夾斷點將隨VDS的增大而逐漸向源端移動，柵下面半導體表面被分成反型導電溝道區(qū)和夾斷區(qū)兩部分。導電溝道中的載流子在漏源電壓的作用下，源源不斷地由源端向漏端漂移，當這些載流子通過漂移到達夾斷點時，立即被夾斷區(qū)的強電場掃入漏區(qū)，形成漏極電流。漏－源飽和電流隨著溝道長度的減小(由于VDS增大，漏端耗盡區(qū)擴展所致)而增大的效應稱為溝道長度調變效應。這個效應會使MOS場效應晶體管的輸出特性曲線明顯發(fā)生傾斜，導致它的輸出阻抗降低。用溝道調制系數(shù)λ來描述溝道長度調制效應：飽和區(qū)的電流:(6-77)(6-78)(6-79)2.3截止區(qū)I-V特性若柵電壓小于閾值電壓，不會形成反型層，結果是MOSFET像是背對背連接的兩個PN結一樣，相互阻擋任何一方的電流流過。晶體管在這一工作區(qū)域與開路相似。截止在平衡時，沒有產生、復合，根據(jù)電流連續(xù)性要求，電子濃度是隨距離線性變化的，即：表面勢：因此當：漏電流