YS/T 26-2016硅片邊緣輪廓檢驗方法

ICS77040

H21.

中華人民共和國有色金屬行業(yè)標準

YS/T26—2016

代替

YS/T26—1992

硅片邊緣輪廓檢驗方法

Testmethodsforedgecontourofsiliconwafers

2016-07-11發(fā)布2017-01-01實施

中華人民共和國工業(yè)和信息化部發(fā)布

YS/T26—2016

前言

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準代替硅片邊緣輪廓檢驗方法與相比本標準主要變動

YS/T26—1992《》。YS/T26—1992,

如下

:

增加了規(guī)范性引用文件術(shù)語和定義干擾因素等

———、、;

增加了非破壞性檢驗方法方法

———B、C。

本標準由全國有色金屬標準化技術(shù)委員會提出并歸口

(SAC/TC243)。

本標準起草單位洛陽單晶硅集團有限責任公司有研半導體材料有限公司浙江金瑞泓科技股份

:、、

有限公司

。

本標準主要起草人田素霞李戰(zhàn)國苗利剛焦二強安瑞陽邵成波王文衛(wèi)

:、、、、、、。

本標準所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為

:

———YS/T26—1992。

Ⅰ

YS/T26—2016

硅片邊緣輪廓檢驗方法

1范圍

本標準規(guī)定了硅片邊緣輪廓包含切口的檢驗方法

()。

本標準適用于檢驗倒角硅片的邊緣輪廓包含切口砷化鎵等其他材料晶片邊緣輪廓的檢驗可參

(),

照本標準執(zhí)行

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導體材料術(shù)語

GB/T14264

3術(shù)語和定義

界定的術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T14264。

4方法提要

本標準規(guī)定了方法三種測試方法其測試原理分別如下

A、B、C,:

方法沿硅片徑向劃開形成剖面借助光學比較儀或投影顯微鏡形成一個硅片邊緣區(qū)域的

a)A:,,

剖面聚焦圖形將圖形與邊緣輪廓模板坐標圖比較確定邊緣輪廓是否合格本方法是破壞性

,,。

的限于圓周上離散點的檢查包括參考面常用于直徑不大于硅片參考面倒角邊緣

,,,150mm

輪廓的檢測

;

方法將硅片放置在平行光路下硅片邊緣投影到顯示屏上邊緣輪廓的圖像與邊緣輪廓模

b)B:,,

板坐標圖比較確定邊緣輪廓是否合格本方法是非破壞性的可檢查除了參考面和切口外硅

,。,

片輪廓上所有的點常用于直徑不大于硅片除參考面和切口外邊緣輪廓的檢測

,200mm;

方法將硅片放置在光源下光源照在硅片邊緣相機將硅片邊緣不包括參考面或切

c)C:,,CCD()

口的輪廓形狀的圖像導入電腦通過專用分析軟件對檢測圖像進行分析然后將輪廓形狀的圖

,,

像和測試結(jié)果顯示在顯示屏上測試原理如圖所示本方法是無接觸非破壞性的可以測

,1。、,

試硅片邊緣和切口的輪廓形狀并能測量出輪廓尺寸該方法操作簡單便捷可以直觀的確定

,。,

硅片邊緣和切口是否合適適用于各種尺寸夾角和形狀的硅片邊緣輪廓的檢測本方法適用

,、。