模電第五章場效應(yīng)管

定義：場效應(yīng)管是一種利用半導(dǎo)體內(nèi)的電場效應(yīng)來限制其電流大小的半導(dǎo)體器件。分類：場效應(yīng)管（FET）{

結(jié)型（JFET）

絕緣柵型（MOSFET）P溝道JFETN溝道JFET{{N溝道MOSFETP溝道MOSFET{{耗盡型D耗盡型D增加型E（耗盡型）耗盡型：場效應(yīng)管沒有加偏置電壓時，就有導(dǎo)電溝道存在增強型：場效應(yīng)管沒有加偏置電壓時，沒有導(dǎo)電溝道增加型E§5·1金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管

（MOSFET）5.1.1N溝道增加型MOSFET1、結(jié)構(gòu)和符號P型襯底N+N+sgdB○○○○gdsB○○○○gdsBN溝道增加型N溝道耗盡型2、工作原理（N溝道增加型）（1）、VGS=0，沒有導(dǎo)電溝道源區(qū)、襯底和漏區(qū)形成兩個背靠背的PN結(jié)，無論VDS的極性如何，其中總有一個PN結(jié)是反偏的。因此漏源之間的電阻很大，即沒有導(dǎo)電溝道，iD＝0。P型襯底N+N+sgdBiD＝02、工作原理（N溝道增加型）（2）、VDS=0，VGS

對導(dǎo)電溝道的影響P型襯底N+N+sgdBVGGVGS>VT時，導(dǎo)電溝道起先形成,這種依靠柵源電壓的作用才形成導(dǎo)電溝道的FET稱為增加FET。在漏源電壓作用下起先導(dǎo)電時的柵源電壓VGS叫做開啟電壓VTPNNsgdBVGGVDSPNNsgdBVGGVDSPNNsgdBVGGVDSVGD>VTVGD=VTVGD<VT預(yù)夾斷夾斷（3）、VGS確定，VDS對導(dǎo)電溝道的影響由左到右，VDS漸漸增大,(1)、輸出（漏極）特性曲線iD=f（VDS）|VGS=常數(shù)iDVDS0恒流區(qū)可變電阻區(qū)擊穿區(qū)VGS=VT3、特性曲線(1)、輸出（漏極）特性曲線iD=f（VDS）|VGS=常數(shù)iDVDS0恒流區(qū)可變電阻區(qū)擊穿區(qū)VGS=VT3、特性曲線1、截止區(qū)：VGS＜VT導(dǎo)電溝道未形成。2、可變電阻區(qū)：VDS≤（VGS－VT）iD的表達式見5.1.2－4式3、飽和區(qū)：VGS≥VT，且VDS≥（VGS－VT）時，區(qū)內(nèi)V-I特性表達式為(2)、轉(zhuǎn)移特性曲線：iD=f（vGS）|vDS=常數(shù)iD(mA)vGS(V)0VT2VTIDO在飽和區(qū)內(nèi)，iD受VDS影響很小，不同VDS下的轉(zhuǎn)移特性基本重合。其中它是時的iD。在飽和區(qū)內(nèi)有：(2)、轉(zhuǎn)移特性曲線：iD=f（vGS）|vDS=常數(shù)轉(zhuǎn)移特性曲線可以由函數(shù)式畫出，也可以干脆從輸出特性曲線上用作圖法求出。iDVDS0恒流區(qū)可變電阻區(qū)擊穿區(qū)iD(mA)vGS(V)0VT2VTIDO5.1.2N溝道耗盡型MOS管1、結(jié)構(gòu)和符號2、工作原理和特性曲線(詳見課本)P型襯底N+N+sgdB+++++++++○○○○gdsB5.1.2N溝道耗盡型MOS管1、結(jié)構(gòu)工作原理:由于正離子的作用，也和增加型接入柵源電壓并VGS>VT時相像，可形成導(dǎo)電溝道。當外加VGS>0時，使溝道變寬，VGS＜0時，使溝道變窄，從而使漏極電流減小。當VGS減小到某值時，以致感應(yīng)的負電荷消逝，耗盡P型襯底N+N+sgdB+++++++++區(qū)擴展到整個溝道，溝道完全被夾斷。這時即使有漏源電壓，也不會有漏極電流。此時的柵源電壓稱為夾斷電壓（截止電壓）VP。在飽和區(qū)內(nèi)，5.1.2N溝道耗盡型MOS管2、特性曲線在飽和區(qū)內(nèi)，/VIDSS為零柵壓的漏極電流，稱為飽和漏極電流。5.1.3P溝道MOSFET管1、結(jié)構(gòu)和符號N型襯底P+P+sgdB○○○○gdsBP溝道增強型○○○○gdsBP溝道耗盡型對增加型MOS管，溝道產(chǎn)生的條件是：可變電阻區(qū)與飽和區(qū)的界線為:在飽和區(qū)內(nèi)（iD假定正向為流入漏極）：PMOS管正常工作時，VDS和

VT必為負值，電流方向與NMOS管相反。5.1.4溝道長度調(diào)制效應(yīng)在志向狀況下，當MOSFET工作于飽和區(qū)時，漏極電流與漏極電壓無關(guān)。而實際MOS管的輸出特性還應(yīng)考慮溝道長度調(diào)制效應(yīng)，即VGS固定，VDS增加時，iD會有所增加。輸出特性的每根曲線會向上傾斜。因此，考慮到溝道長度調(diào)制參數(shù)λ，iD式子應(yīng)修正為對于典型器件近似有溝道長度L單位為μm。（1）開啟電壓VT:VDS為某確定值（如為10V）使iD等于一微小電流（如50μA）時的VGS。這是增加型FET的參數(shù)。（2）夾斷電壓VP:VDS為某確定值（如為10V）使iD等于一微小電流（如20μA）時的VGS。這是耗盡型FET的參數(shù)。（3）飽和漏極電流IDSS:VGS=0且︱VDS︱＞︱VP︱時對應(yīng)的漏極電流。常令︱VDS︱＝10V，VGS=0測出的iD就是。這是耗盡型FET的參數(shù)。（4）直流輸入電阻RGD:漏源間短路，柵源間加確定電壓時的柵源直流電阻，MOS管的RGS可達109Ω～1015Ω。一、直流參數(shù)二、溝通參數(shù)（1）輸出電阻:5.1.5MOSFET的主要參數(shù)（見P208－210）當不考慮溝道的調(diào)制效應(yīng)（λ＝0）時，當考慮溝道的調(diào)制效應(yīng)（λ≠0）時，對增強型MOS管可導(dǎo)出因此，是一個有限值，一般在幾十千歐到幾百千歐之間。（2）低頻跨導(dǎo)gm:低頻跨導(dǎo)反映了vGS對iD的限制作用。gm可以在轉(zhuǎn)移特性曲線上求得，單位是mS(毫西門子)。對N溝道增加型MOSFET管，可利用5.1.6和5.1.17式近似估算考慮到和上式又可改寫為上式表明，iD越大，gm愈大。三、極限參數(shù)（1）最大漏極電流IDM（2）最大漏源電壓V（BR）DS（3）最大柵源電壓VGS（BR）（4）最大耗散功率PDM表5.1.1還列出了另外的幾個主要參數(shù)。§5·2場效應(yīng)管放大電路一、直流偏置電路及靜態(tài)分析1、直流偏置電路（1）簡潔的共源放大電路（N溝道增加型MOS管）UORg2VDDRL++--RdiDRg1Ui··Cb1Cb2Rg2VDDRdRg1直流通路假設(shè)管的開啟電壓為VT，NMOS管工作于飽和區(qū)，則見例5.2.1綜上分析，對于N溝道增加型MOS管的直流計算，可實行如下步驟：①設(shè)MOS管工作于飽和區(qū)，則有

VGSQ＞VT，IDQ＞0,且VDSQ＞（VGSQ－VT）.②利用飽和區(qū)的電流－電壓關(guān)系曲線分析電路。③假如出現(xiàn)VGSQ＜VT，則MOS管可能截止，假如VDSQ＜（VGSQ－VT），則MOS管可能工作在可變電阻區(qū)。④假如初始假設(shè)被證明是錯誤的，則必需作出新的假設(shè)，同時重新分析電路。P溝道MOS管電路的分析與N溝道類似，但要留意其電源極性與電流方向不同。（2）帶源極電阻的NMOS共源放大電路由圖得當NMOS管工作于飽和區(qū)，則有RRg2VDD+-RdiDRg1viCb1Cb2-VSSRS見例5.2.2和例5.2.31、直流偏置電路圖5.2.3例5.2.3如圖已知NMOS管參數(shù)：VT=1V,Kn=160μA/V2,VT=1V,Kn=160μA/V2,VDD=VSS=5V,IDQ=0.25mA,VDQ=2.5V,試求電路參數(shù)。解：首先假設(shè)管工作于飽和區(qū)，運用下式求得則計算計算是否滿足飽和條件：確定分析正確與否。（3）靜態(tài)工作點的確定SDQDDGSQRIVRRRU-+=2122)1(-=TGSQDODQUUII聯(lián)立方程求解得UGSQ和IDQ。VDDRL++--RGRDiDR1R2RSCeUiUO··實際N溝道增加型MOS管放大電路分析：2、圖解分析與BJT放大電路的圖解分析類似。先求VGS，然后作直流負載線，其與輸出特性VGS曲線的交點即為靜態(tài)工作點。然后作溝通負載線，即可分析其動態(tài)情形。教材上的電路是特例，VGS已知，直流負載線與溝通負載線相同。圖5.2.43、小信號模型分析假如輸入信號很小，場效應(yīng)管工作在飽和區(qū)時，和BJT一樣，將場效應(yīng)管也看作一個雙口網(wǎng)絡(luò)，對N溝道增加型場效應(yīng)管，可近似看成iD不隨VDS變更，則由5.1.6式得式中第一項為直流或靜態(tài)工作點電流IDQ;其次項是漏極信號電流id，它同vgs是線性關(guān)系；依據(jù)5.1.18式，第三項當vgs是正弦波時，輸出電壓將產(chǎn)生諧波或非線性失真。我們要求第三項必需遠小于其次項，即這也就是線性放大器必需滿足的小信號條件。據(jù)此，忽視第三項可得考慮到NMOS管的柵流為0，柵源間的電阻很大，可看成開路，而因此可得NMOS管的低頻小信號模型：3、小信號模型分析○○○○gdsBsgd+-+-Vgs·gmVgs·Vds·Id·低頻模型a考慮λ≠0場效應(yīng)管的輸出電阻rds為有限值時，其低頻模型如右模型bgd+-+-Vgs·gmVgs·Vds·Id·低頻模型brdss3、小信號模型分析○○○○gdsB在Vbs=0時，可得高頻小信號模型如下，圖中rgs可看作無限大，可忽視。gsd+-+-gmVgs·Vds·Id·rgsrdsCgdCgsCds高頻模型Cgs+Cgb對于后面介紹的結(jié)型場效應(yīng)管，其低頻和高頻小信號模型分別對應(yīng)于如上的低頻模型圖b和高頻模型。具體應(yīng)用見例5.2.4-5.2.6例5.2.5RRg2VDD+-RdiDRg1viCb1Cb2-VSSRS圖5.2.2例5.2.63、三種基本放大電路的性能比較(見P221表5.2.1)5.3結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)工作原理

輸出特性轉(zhuǎn)移特性

主要參數(shù)

5.3.1

JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理

5.3.2

JFET的特性曲線及參數(shù)

5·3結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）N型溝道P+P+dsgdgsN溝道JFET結(jié)構(gòu)和符號1、結(jié)構(gòu)與符號dgsP溝道JFET符號一、JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理

JFET是利用半導(dǎo)體內(nèi)的電場效應(yīng)進行工作的，也稱為體內(nèi)場效應(yīng)器件。

源極，用S或s表示N型導(dǎo)電溝道漏極，用D或d表示

P型區(qū)P型區(qū)柵極，用G或g表示柵極，用G或g表示符號符號5.3.1JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理4.1結(jié)型場效應(yīng)管1.結(jié)構(gòu)#

符號中的箭頭方向表示柵結(jié)正向偏置時，柵極電流的方向是由P指向N。(1)、vDS=0，vGS對導(dǎo)電溝道的影響2、工作原理（以N溝道為例，工作時vGS必需為負）NP+P+dsgvGS=0VGGP+P+dsgvGS<0P+P+sgdVGGvGS=VP耗盡層vGS由0變負，由左至右依次變得更負上述分析表明，變更的vGS大小，可以有效地限制溝道電阻的大小。若在漏源極間加上固定的正向電壓vDS，則由漏極流向源極的電流iD將受的vGS限制，︱vGS︱增大時，溝道電阻增大，iD削減。︱vGS︱進一步增大到某確定值︱VP︱時，溝道全部被夾斷，溝道電阻將趨于無窮大，相應(yīng)的柵源電壓稱為夾斷電壓VP。(2)、vGS=0，vDS

對導(dǎo)電溝道的影響VDDdsNdsgVDDvPvDS＜dsVDDAvPvDS=dNsVDDvDS＞vPA即(3)、vDS>0，vGS

對導(dǎo)電溝道的影響NdsgVDDdsVDDdNsVDDVDDdsA(a)(b)(c)(d)A點處：上述分析表明，增加vDS，楔形導(dǎo)電溝道又阻礙漏極電流iD的提高，但在vDS較小時，導(dǎo)電溝道靠近漏端區(qū)域仍較寬，這時阻礙的因素是次要的，故iD隨vDS上升幾乎成比例地增大，構(gòu)成輸出特性曲線的上升段。當vDS增加到兩耗盡層在A點相遇時，稱為預(yù)夾斷，此時A點耗盡層兩邊的電位差vGD用夾斷電壓VP來描述。在預(yù)夾斷點A處，有如下關(guān)系：當時，有溝道一旦在A點預(yù)夾斷后，隨著vDS上升,夾斷長度會增加，亦即A點將向源極方向延長。但從源極到夾斷處的溝道上，溝道內(nèi)電場基本不隨vDS變更而變更，所以，iD不隨vDS上升而上升，漏極電流趨于飽和。假如柵源間接一可調(diào)負電源，由于柵源電壓愈負，耗盡層愈寬，溝道電阻就愈大，相應(yīng)的iD就愈小。因此變更柵源電壓可得一族曲線。2.工作原理4.1結(jié)型場效應(yīng)管①VGS對溝道的限制作用當VGS＜0時（以N溝道JFET為例）整體理解當溝道夾斷時，對應(yīng)的柵源電壓VGS稱為夾斷電壓VP（或VGS(off)）。對于N溝道的JFET，VP<0。PN結(jié)反偏耗盡層加厚溝道變窄。VGS接著減小，溝道接著變窄。②VDS對溝道的限制作用當VGS=0時，VDSIDG、D間PN結(jié)的反向電壓增加，使靠近漏極處的耗盡層加寬，溝道變窄，從上至下呈楔形分布。當VDS增加到使VGD=VP時，在緊靠漏極處出現(xiàn)預(yù)夾斷。此時VDS夾斷區(qū)延長溝道電阻ID基本不變③

VGS和VDS同時作用時當VP<VGS<0時，導(dǎo)電溝道更簡潔夾斷，對于同樣的VDS，

ID的值比VGS=0時的值要小。在預(yù)夾斷處VGD=VGS-VDS=VP綜上分析，可得下述結(jié)論：1、JFET柵極、溝道之間的PN結(jié)是反向偏置的，因此，其iG＝0，輸入電阻的阻值很高。2、JFET是電壓限制電流器件，iD受vGS限制。3、對于確定的vGS，預(yù)夾斷前，iD與vDS呈近似線性關(guān)系；預(yù)夾斷后，iD趨于飽和。P溝道JFET工作時，其電源極性與N溝道JFET的電源極性相反。溝道中只有一種類型的多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，

所以場效應(yīng)管也稱為單極型三極管。1、輸出（漏極）特性曲線：iD=f（vDS）|VGS=常數(shù)IDSSVP可變電阻區(qū)恒流區(qū)擊穿區(qū)iDvDS00-5-7-2-3-45.3.2JFET的特性曲線及參數(shù)2、轉(zhuǎn)移特性曲線：iD=f（vGS）|VDS=常數(shù)iD(mA)vGS(V)0VpIDSS曲線方程：（VPVGS0）iD=IDSS

（1-vGS/VP

）2輸出特性、轉(zhuǎn)移特性曲線間的聯(lián)系iDvDS00-5-7-2-3-4-6-4-20vGSiDIDSS4.1結(jié)型場效應(yīng)管#

JFET有正常放大作用時，溝道處于什么狀態(tài)？5.3.2JFET的特性曲線及參數(shù)(整體理解）2.轉(zhuǎn)移特性VP1.輸出特性夾斷狀態(tài)！（1）夾斷電壓VP:漏極電流約為零時的VGS值。（2）飽和漏極電流IDSS:VGS=0時對應(yīng)的漏極電流。（3）最大漏源電壓V（BR）DS（4）最大柵源電壓VGS（BR）（5）直流輸入電阻RGS:對于結(jié)型場效應(yīng)三極管，反偏時RGS約大于107Ω。（6）低頻跨導(dǎo)gm:低頻跨導(dǎo)反映了vGS對iD的限制作用。gm可以在轉(zhuǎn)移特性曲線上求得，單位是mS(毫西門子)。3、主要參數(shù)（7）輸出電阻:（8）最大耗散功率PDM5.3.3JFET放大電路的小信號模型分析法1、JFET的小信號模型前已述及，結(jié)型場效應(yīng)管，其低頻和高頻小信號模型分別對應(yīng)于增加型場效應(yīng)管的低頻模型圖b和高頻模型。即gd+-+-Vgs·gmVgs·Vds·Id·低頻模型brdssdgs＋－＋－gsd+-+-Vgs·gmVgs·Vds·Id·rdsCgdCgsCds高頻模型dgs＋－＋－2、小信號模型分析FET放大電路（1）、共源極放大電路RDgsd+-+-dIRL-+R2R1RGiU·gsU·gmUgs·OU··①有源極旁路電容Ce的狀況等效電路VDDRL++--RGRDiDR1R2RCeUiUO··

rds忽略·LmgsLgsmiOuR’gUR’UgUUA-=·-==····DoRR≈21//RRRRGi+=LgsmLDDoR’UgRRIU-=-=)//(···RDgsd+-+-dIRL-+R2R1RGiU·gsU·gmUgs·oU··

rds忽略2、小信號模型分析FET放大電路（2）、共源極放大電路①有源極電阻的狀況等效電路VDD++--RGRDiDR1R2RUiUO··rdsgsd+-+-dIRD-+R2R1RGiU·gsU·gmUgs·OU··Rrdsgsd+-+-dIRD-+R2R1RGiU·gsU·gmUgs·OU··R1、電壓增益如有RL則代替式中的RDrdsgsd+-+-dIRD-+R2R1RGiU·gsU·gmUgs·OU··R2、輸入電阻3、輸出電阻3、分析FET放大電路的靜態(tài)工作點例5.3.1求有源極電阻的共源極放大電路的Q點。VDD++--RGRDiDR1R2RUiUO··解：由圖得DDDGSRIVRRRV-+=212把題目給定的電路參數(shù)代入得把以上2式代入1式得JFET的確工作在飽和區(qū)，與假設(shè)一樣。5.5各種放大器件電路性能比較（1）與BJT比較①電壓限制器件；輸入電阻很大②只有一種載流子參與導(dǎo)電，單極型（2）各種FET的比較JFET、MOSFET、MESFET比較見表5.5.12、FET運用留意事項5.5.1各種FET的特性及運用留意事項1、特性比較①MOS管B的接法:一般P襯底接低電位，N襯底接高電位。②FET的s、d可互換運用（若S、B已連，則不能換）。③JFET的g、s間電壓不能接反（燒管）；MOS不行開路存放。④焊接FET時，電烙鐵必需接地，MOS管最好斷電焊接。5.5.2各種放大器件電路性能比較通用組態(tài)電路反相電壓放大器電壓跟隨器電流跟隨器組態(tài)命名依據(jù)及特征輸出電壓與輸入電壓反相AV很大輸出電壓與輸入電壓同相AV約等于1輸出電流與輸入電流相等典型電路共射極電路共源極電路共集電極電路共漏極電路共基極電路共柵極電路用途電壓增益高輸入電阻、電容均較大，適于中間放大級輸入（出）電阻高（低）可作阻抗變換，用于輸入（出）級或緩沖級輸入電阻、電容均較小，適于高頻、寬帶電路(2)選用放大器件和電路元件參數(shù)例5．5．1試設(shè)計一放大電路，要求其噪聲低，能與具有高內(nèi)阻的信號源匹配，且有較高的上限頻率(>1MHz)。(1)確定電路方案；(2)選用放大器件和電路元件參數(shù)；(3)導(dǎo)出其中頻區(qū)源電壓增益AVSM、Ri和RO的表達式；(4)算出電路的上限截止頻率。解：(1)確定電路方案JFET噪聲低，而由它構(gòu)成的倒相電壓放大電路具有電壓增益較高和輸入電阻高的特點，因此第一級選用JFET共源電路；為消退密勒效應(yīng)，其次級選用BJT電流跟隨器。整個電路為共源—共基串接組態(tài)，如圖5．5．1所示。在圖5.5.1中，T1選用JFETCS146,其工作點上的參數(shù)為：gm1=18mS,Cgs=18pF,Cgd=0.9pF;T2選用BJT3DG4,其工作點上的參數(shù)為：β=100,其它電路元件參數(shù)如圖所示。（3）求AVSM、Ri和RO先畫出中頻小信號模型電路圖如下：由圖可得2式正好說明其次級為電流跟隨器。因此有故考慮到即整個電路的中頻區(qū)源電壓增益近似等于共源電路的電壓增益，后面看到，因無密勒效應(yīng)，電路上限頻率得以提高。電路的輸入電阻和輸出電阻為：Ri≈RgRO≈Rc(4）求上限頻率先看圖5.5.1電路和它的高頻小信號模型電路(a)由于R2很小，因此對輸入電路的作用，可近似看作Cgs與Rg并聯(lián)，而Rg﹥﹥Rs可看作開路。其次，得（b）圖由圖b得由BJT放射極端看進去的輸出入納為于是圖b可變?yōu)閳DC考慮到密勒電容求法：由P552定理據(jù)此可得d圖這說明密勒效應(yīng)對輸入回路影響較小。而對輸出回路的密勒效應(yīng)較明顯，但比起仍可忽略。由d圖可知，其高頻段電壓增益具有三階低通特性的形式，故得小結(jié)1.第4章探討的BJT是電流限制電流器件，有兩種載流子參與導(dǎo)電，屬于雙極型器件；而FET是電壓限制電流器件，只依靠一種載流子導(dǎo)電，因而屬于單極型器件。雖然這兩種器件的限制原理有所不同，但通過類比可發(fā)覺，組成電路的形式極為相像，分析的方法照舊是圖解法(亦可用公式計算)和小信號模型分析法。2.在FET放大電路中，VDS的極性確定于溝道性質(zhì)，N(溝道)為正，P(溝道)為負；為了建立合適的偏置電壓VGS，不同類型的FET，對偏置電壓的極性有不同要求：增加型MOSFET的VGS與VDS同極性，耗盡型MOSFET的VGS可正、可負或為零，JFET的VGS與VDS極性相反。3.按三端有源器件三個電極的不同連接方式，兩種器件(BJT，JFET、MESFET和MOSFET)可以組成六種組態(tài)。但依據(jù)輸出量與輸入量之間的大小與相位關(guān)系的特征，這六種組態(tài)又可歸納為三種組態(tài)，即反相電壓放大器、電壓跟隨器和電流跟隨器。這為放大電路的綜合設(shè)計供應(yīng)了有好用意義的思路。4.由于FET具有輸入阻抗高、噪聲低(如JFET)等一系列優(yōu)點，而BJT的β高，若FET和BJT結(jié)合運用，就可大為提高和改善電子電路的某些性能指標。BiFET模擬集成電路是按這一特點發(fā)展起來的，從而擴展了FET的應(yīng)用范圍。5.由于GaAs的電子遷移率比硅大約5-10倍，高速CaAsMESFET正被用于高頻放大和高速數(shù)字邏輯電路中，其互導(dǎo)gm可達100mS，甚至更高。6.MOS器件主要用于制成集成電路。由于微電子工藝水平的不斷提高，在大規(guī)模和超大規(guī)模模擬和數(shù)字集成電路中應(yīng)用極為廣泛，同時在集成運算放大器和其他模擬集成電路中也得到了快速的發(fā)展，其中BiCMOS集成電路更具有特色，因此，MOS器件的廣泛應(yīng)用必需引起讀者的高度重視。作業(yè)：5.2.3;5.2.6;5.3.7;5.5.1;5.5.4;場效應(yīng)管放大電路一章習題選講一般的問題分析：1，直流偏置電路由于FET是電壓限制器件，要求建立合適的直流偏置電壓VGS。接受的方法主要有自偏壓和分壓式自偏壓，前者適用于耗盡型FET，后者適用于各種類型的FET，應(yīng)用較廣。2．靜態(tài)分析和雙極性三極管一樣，對場效應(yīng)管放大電路的靜態(tài)分析也可以接受圖解法或解析法，圖解法的步驟與雙極型三極管放大電路的圖解法相像。留意的是解析法要驗證管是否工作在飽和區(qū)。

3．動態(tài)分析場效應(yīng)管放大電路中除偏置電路元件及電源外，還有隔直流電容和旁路電容等元件，它們的作用與雙極型三極管阻容耦合放大電路中的相同。在正確偏置的基礎(chǔ)上，依據(jù)動態(tài)信號(變更量)的傳輸方式，場效應(yīng)管放大電路也有三種基本組態(tài)，即共源極、共漏極和共柵極電路。對場效應(yīng)管動態(tài)工作狀況的分析也可接受圖解法或微變等效電路法。對于每一種接法的電路，求解場效應(yīng)管放大電路的性能指標的方法均與雙極型三極管放大電路相像。場效應(yīng)管放大電路的靜態(tài)分析場效應(yīng)管是電壓限制器件，它沒有偏流，關(guān)鍵是建立適當?shù)臇旁雌珘篣GS。1.自偏壓電路分析結(jié)型場效應(yīng)管常用的自偏壓電路如圖5.22所示。在漏極電源作用下這種電路不宜用增加型MOS管，因為靜態(tài)時該電路不能使管子