GPP制程簡(jiǎn)介read課件

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製程簡(jiǎn)介Preparedby：BiLidongDate：Sep-14-2007岑祥科技內(nèi)訓(xùn)教材WhatisGPPGPP(GlassPassivationPellet)？為使用玻璃作為鈍化保護(hù)層之小顆粒引申為使用玻璃作為鈍化保護(hù)層之元件GPP岑祥科技內(nèi)訓(xùn)教材WhyGPP

GPPOJ設(shè)備投資高低製程差異較複雜較簡(jiǎn)單封裝之比較較簡(jiǎn)單較複雜晶片製作成本較高較低電性比較IR較低IR較高信賴性比較較好尤其是高溫特性較差未來(lái)產(chǎn)品擴(kuò)充性較高較低岑祥科技內(nèi)訓(xùn)教材SMP+NN+Glass岑祥科技內(nèi)訓(xùn)教材DMP+NN+Glass岑祥科技內(nèi)訓(xùn)教材GPPProcessFlowWafer

CleanOxidation1stPhotoBOEEtchGridEtchPRStripOxideEtchSIPOSDep.2ndPhoto1stNiPlatingNiSintering2ndNiPlatingAuPlatingPGBurnoffGlassFiringLTO3rdPhotoPGCoatingRCAClean進(jìn)黃光室PRStripContactEtchNonSIPOS岑祥科技內(nèi)訓(xùn)教材擴(kuò)散後晶片晶片清洗NN+P+磷硼檢查生產(chǎn)流程卡確認(rèn)是否料、量、卡是否一致岑祥科技內(nèi)訓(xùn)教材Oxidation(熱氧化)排晶片進(jìn)熱氧化爐熱氧化出熱氧化爐收料將晶片一片一片排入石英舟之溝槽內(nèi)，並規(guī)定好方向?qū)⑴藕弥疅嵫趸⒅鬯腿霟嵫趸癄t利用高溫將SiO2形成至晶片表面將熱氧化完成之晶片拉出熱氧化爐將材料收起來(lái)並準(zhǔn)備進(jìn)黃光室排晶片熱氧化完成後出爐狀況灰色表示晶片黑色表示石英舟岑祥科技內(nèi)訓(xùn)教材熱氧化生成之方法與其特性比較

通入氣體矽晶片是否參與反應(yīng)成長(zhǎng)速率氧化層結(jié)構(gòu)乾氧O2是慢密實(shí)濕氧H2+O2是H2O是APCVDSiH4+O2否LPCVDSiH4+O2/TEOS否PECVDSiH4+N2O否快鬆散岑祥科技內(nèi)訓(xùn)教材1stPhoto(一次黃光)HMDS烤箱烘烤光阻塗佈軟烤對(duì)位曝光顯影將做完熱氧化之晶片送進(jìn)HMDS烤箱烘烤，確保無(wú)水分殘留，并于芯片表面覆蓋一層促進(jìn)接著劑將光阻以旋轉(zhuǎn)塗佈機(jī)均勻的塗佈在晶片表面將光阻內(nèi)之有機(jī)溶液以約90℃烘烤，以增加後續(xù)對(duì)位曝光之解析度將軟烤完成之晶片以對(duì)位曝光機(jī)進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移將曝光完成之晶片以顯影液將所須之圖形顯現(xiàn)出來(lái)硬烤將顯影完成之晶片送進(jìn)130℃之烤箱烘烤，使光阻固化岑祥科技內(nèi)訓(xùn)教材WhatisPR(光阻)光阻本身主要成份為：

1.)樹脂

2.)感光劑

3.)有機(jī)溶劑光阻可分為：

1.)正光阻照射到紫外光後會(huì)產(chǎn)生解離現(xiàn)象，接著使用顯影液去除

2.)負(fù)光阻照射到紫外光後會(huì)產(chǎn)生聚合現(xiàn)象，無(wú)法使用顯影液去除岑祥科技內(nèi)訓(xùn)教材一次黃光晶片NN+P+氧化層光阻岑祥科技內(nèi)訓(xùn)教材BOE蝕刻晶片NN+P+氧化層光阻岑祥科技內(nèi)訓(xùn)教材GridEtch(格子蝕刻)將BOE蝕刻完成之晶片送至格子蝕刻站，並準(zhǔn)備進(jìn)行格子蝕刻利用HF/HNO3/CH3COOH之混合酸將裸露出來(lái)之矽進(jìn)行蝕刻

HF：蝕刻SiO2

HNO3：將矽氧化成SiO2

CH3COOH：緩衝劑使蝕刻過(guò)程不要太劇烈控制蝕刻液之溫度及穩(wěn)定度可提升蝕刻之均勻性

岑祥科技內(nèi)訓(xùn)教材格子蝕刻晶片NN+P+氧化層光阻岑祥科技內(nèi)訓(xùn)教材光阻去除晶片NN+P+氧化層岑祥科技內(nèi)訓(xùn)教材SiO2Etch(氧化層蝕刻)BOE浸泡HF浸泡純水QDR沖洗混合酸浸泡純水QDR沖洗旋乾機(jī)旋乾利用BOE蝕刻晶片表面氧化層利用高純水(>12MΩ)快速?zèng)_洗晶片表面前站之殘餘物利用高純水(>12MΩ)快速?zèng)_洗晶片表面前站之殘餘物利用混合酸去除晶片表面之雜物利用旋乾機(jī)將晶片表面之水分帶離純水QDR沖洗利用HF蝕刻晶片表面氧化層利用高純水(>12MΩ)快速?zèng)_洗晶片表面前站之殘餘物岑祥科技內(nèi)訓(xùn)教材氧化層蝕刻晶片NN+P+岑祥科技內(nèi)訓(xùn)教材RCA清洗名稱使用之化學(xué)品配比使用之溫度作用SC1NH4OH+H2O2+H2O1：1：665~85℃去除微粒及有機(jī)物SC2HCL+H2O2+H2O1：1：665~85℃去除金屬離子岑祥科技內(nèi)訓(xùn)教材SIPOSDep.(SIPOS沉積)SIPOS(SemiInsolatedPolycrystallineOfSilicon)–半絕緣多晶矽利用LPCVD通入SiH4/N2O在適當(dāng)之溫度時(shí)間與氣體流量下，於晶片表面形成一層薄膜目的：

1.)可適度的提升崩潰電壓(VB)缺點(diǎn)：

1.)逆向漏電流較高岑祥科技內(nèi)訓(xùn)教材2ndPhoto(二次黃光)光阻玻璃塗佈軟烤對(duì)位曝光顯影將光阻玻璃以旋轉(zhuǎn)塗佈機(jī)均勻的塗佈在晶片表面將光阻內(nèi)之有機(jī)溶液以約90℃烘烤，以增加後續(xù)對(duì)位曝光之解析度將軟烤完成之晶片以對(duì)位曝光機(jī)進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移將曝光完成之晶片以顯影液將所須之圖形顯現(xiàn)出來(lái)硬烤將顯影完成之晶片送進(jìn)130℃之烤箱烘烤，使光阻固化岑祥科技內(nèi)訓(xùn)教材PGCoating(光阻玻璃塗佈)光阻玻璃(PG)：為光阻與玻璃粉以一定之比例調(diào)配而成之膠狀溶液岑祥科技內(nèi)訓(xùn)教材玻璃塗佈之方法與差異項(xiàng)目DBPGEPDoctorBladePhotoGlassElectronicPlating----光阻玻璃電泳法設(shè)備投資較低較高高黃光製程不需需要不需晶片製程較簡(jiǎn)單較麻煩最麻煩晶片產(chǎn)量高低最低後段切割不易簡(jiǎn)單簡(jiǎn)單岑祥科技內(nèi)訓(xùn)教材光阻玻璃塗佈NN+P+SIPOSSIPOSPG岑祥科技內(nèi)訓(xùn)教材二次黃光完成NN+P+SIPOSSIPOSPG岑祥科技內(nèi)訓(xùn)教材PGBurnOff(光阻燒除)排晶片光阻燒除爐光阻燒除出光阻燒除爐收料將晶片一片一片排入石英舟之溝槽內(nèi)，並規(guī)定好方向?qū)⑴藕弥⒅鬯腿牍庾锜隣t利用高溫將光阻燒除，以減少後續(xù)玻璃燒結(jié)氣泡殘留將光阻燒除完成之晶片拉出光阻燒除爐將材料收起來(lái)並準(zhǔn)備進(jìn)行玻璃燒結(jié)排晶片光阻燒除完成後出爐狀況灰色表示晶片黑色表示石英舟岑祥科技內(nèi)訓(xùn)教材GlassFiring(玻璃燒結(jié))排晶片玻璃燒結(jié)爐玻璃燒結(jié)出玻璃燒結(jié)爐收料將光阻燒除完成之晶片排入石英舟之溝槽內(nèi)，並規(guī)定好方向?qū)⑴藕弥⒅鬯腿牍庾锜隣t利用溫度將玻璃進(jìn)行融溶固化，以形成良好之絕緣層將玻璃燒結(jié)完成之晶片拉出玻璃燒結(jié)爐將材料收起來(lái)並準(zhǔn)備進(jìn)黃光室灰色表示晶片黑色表示石英舟岑祥科技內(nèi)訓(xùn)教材玻璃燒結(jié)NN+P+SIPOSSIPOSGlass岑祥科技內(nèi)訓(xùn)教材LTO(低溫氧化層沉積)LTO(LowTemperatureOxidation)

利用LPCVD於低溫下在晶片表面沉積一層氧化層WhyLTO

因?yàn)椴ＡХ壑疁囟绒D(zhuǎn)換點(diǎn)特性之故(依照不同之玻璃粉有不同之溫度轉(zhuǎn)換點(diǎn)，大約皆落於450~600℃)岑祥科技內(nèi)訓(xùn)教材低溫氧化層沉積NN+P+SIPOSSIPOSGlassSiO2岑祥科技內(nèi)訓(xùn)教材3rdPhoto(三次黃光)HMDS烤箱烘烤光阻塗佈軟烤對(duì)位曝光顯影將做完熱氧化之晶片送進(jìn)HMDS烤箱烘烤，確保無(wú)水分殘留，並於晶片表面覆蓋一層促進(jìn)接著劑將光阻以旋轉(zhuǎn)塗佈機(jī)均勻的塗佈在晶片表面將光阻內(nèi)之有機(jī)溶液以約90℃烘烤，以增加後續(xù)對(duì)位曝光之解析度將軟烤完成之晶片以對(duì)位曝光機(jī)進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移將曝光完成之晶片以顯影液將所須之圖形顯現(xiàn)出來(lái)硬烤將顯影完成之晶片送進(jìn)130℃之烤箱烘烤，使光阻固化岑祥科技內(nèi)訓(xùn)教材三次黃光NN+P+SIPOSSIPOSGlassSiO2PR岑祥科技內(nèi)訓(xùn)教材ContactEtch(接觸面蝕刻)BOE浸泡HF浸泡純水QDR沖洗混合酸浸泡純水QDR沖洗旋乾機(jī)旋乾利用BOE蝕刻晶片表面氧化層利用高純水(>12MΩ)快速?zèng)_洗晶片表面前站之殘餘物利用高純水(>12MΩ)快速?zèng)_洗晶片表面前站之殘餘物利用混合酸去除SIPOS利用旋乾機(jī)將晶片表面之水分帶離純水QDR沖洗利用HF蝕刻晶片表面氧化層利用高純水(>12MΩ)快速?zèng)_洗晶片表面前站之殘餘物岑祥科技內(nèi)訓(xùn)教材接觸面蝕刻N(yùn)N+P+SIPOSGlassSiO2PR岑祥科技內(nèi)訓(xùn)教材PR(photographyresistance)Strip(光阻去除)將接觸面蝕刻完成之晶片送至光阻去除站，並準(zhǔn)備進(jìn)行光阻去除利用硫酸將光阻劑去除乾淨(jìng)岑祥科技內(nèi)訓(xùn)教材光阻去除NN+P+SIPOSGlassSiO2岑祥科技內(nèi)訓(xùn)教材1stNi

(nickel)Plating(一次鍍鎳)於晶片表面以無(wú)電電鍍之方式鍍上一層鎳，以形成後段封裝所需之焊接面岑祥科技內(nèi)訓(xùn)教材一次鍍鎳NN+P+SIPOSGlassSiO2Ni岑祥科技內(nèi)訓(xùn)教材NiSintering(鎳燒結(jié))於一次鍍鎳完後會(huì)安排晶片進(jìn)爐做燒結(jié)之動(dòng)作其主要目的為：

1.)讓鎳與矽形成合金

2.)增加焊接之拉力岑祥科技內(nèi)訓(xùn)教材鎳燒結(jié)NN+P+SIPOSGlassSiO2Ni岑祥科技內(nèi)訓(xùn)教材2ndNiPlating(二次鍍鎳)鎳燒結(jié)完後晶片表面一樣會(huì)有多餘之鎳殘留，通常都使用硝酸來(lái)去除處理完之晶片會(huì)再鍍上一層鎳來(lái)提供焊接面岑祥科技內(nèi)訓(xùn)教