二氧化碳雪洗技術(shù)

二氧化碳雪清洗劑與其它二氧化碳清洗劑的區(qū)別：目前使用二氧化碳作為清洗劑的清洗方法有四種。第一種是使用堅(jiān)硬而致密的固體二氧化碳干冰，作為清洗劑。第二種是使用固體二氧化碳與二氧化碳?xì)怏w的混合物作為清洗劑。第三種是以液體二氧化碳溶劑作為清洗劑。第四種是以超臨界流體狀態(tài)的二氧化碳作為清洗劑的清洗。上述四種清洗的區(qū)別首先在于清洗的作用機(jī)理各不相同。第一種干冰清洗技術(shù)是利用干冰小球體的高速?zèng)_擊速度對(duì)污垢進(jìn)行機(jī)械沖擊的應(yīng)力作用和低溫冷凍作用進(jìn)而將污垢清除的，該技術(shù)是一種物體間的能量和動(dòng)量的轉(zhuǎn)移過(guò)程。第三種液體二氧化碳清洗技術(shù)，是利用液體二氧化碳溶劑的溶解作用將污垢清除的。第四種超臨界二氧化碳清洗技術(shù)，是利用超臨界流體的特殊性質(zhì)將污垢清除的。而第二種二氧化碳雪清洗則是利用處于高壓狀態(tài)下的液體或者氣態(tài)二氧化碳在減壓噴霧過(guò)程中形成的二氧化碳?xì)饬?，該氣流含有固體二氧化碳小顆粒，二氧化碳?xì)饬鞯母咚龠\(yùn)動(dòng)同時(shí)與污垢間的能量和動(dòng)量的轉(zhuǎn)移作用和高速氣流的清洗作用來(lái)清除污垢的。其他的區(qū)別還表現(xiàn)在，二氧化碳雪清洗是一個(gè)連續(xù)的過(guò)程，不像超臨界二氧化碳或液體二氧化碳清洗那樣需要以間斷的方式進(jìn)行。另外二氧化碳“雪”清洗對(duì)與污垢結(jié)合得很好的底基材料的剝離力的破壞作用也是相對(duì)比較小的。另一個(gè)顯著區(qū)別表現(xiàn)在價(jià)格方面，二氧化碳雪清洗設(shè)備的價(jià)格要比其他二氧化碳清洗設(shè)備的價(jià)格低十倍以上。二氧化碳雪清洗系統(tǒng)是怎樣形成的？無(wú)論使用液體二氧化碳還是氣體二氧化碳都可以作為二氧化碳雪清洗劑的來(lái)源當(dāng)它們從常溫高壓的鋼瓶出口迅速膨漲噴射出來(lái)時(shí)，形成的高速流體常形成一個(gè)固體和氣體二氧化碳的混合物，并集中射向被清洗的表面，這種流體在國(guó)外被稱為二氧化碳“雪”。所以我們不要誤解為存在一種二氧化碳的雪花，名稱只是對(duì)國(guó)外用語(yǔ)的直譯。要獲得二氧化碳雪的流體，通常必須使用一種稱為文丘里噴嘴的特殊噴嘴。其特殊設(shè)計(jì)的孔口和噴嘴使得噴射過(guò)程中能在焓值恒定的情況下發(fā)生膨漲并獲得一個(gè)高速的二氧化碳“雪”流體。文丘里管的構(gòu)造如圖一所示。文丘里管簡(jiǎn)稱文氏管又稱喉形管，既可用作測(cè)量流體流速的儀表，也可做高效率的氣體冷卻、凈化、吸收設(shè)備。結(jié)構(gòu)主要包括一段截面不同的管子，由兩端向中間縮小其最小處稱為喉頸，氣體流過(guò)時(shí)，由于管的截面縮小，流速加大而壓力降低，喉頸處流速最大，將裝有高壓二氧化碳的鋼瓶接上文丘里噴嘴，在噴射時(shí)就可以產(chǎn)生出含有固體二氧化碳的高速二氧化碳?xì)饬鳌?shí)際上二氧化碳雪的清洗作用是靠?jī)煞N清洗作用共同完成的一方面它利用的是固體二氧化碳與物體表面污染物之間的能量和動(dòng)量的轉(zhuǎn)移作用，這種作用使得二氧化碳雪可以去除各種尺寸的顆粒污垢，即使是微米大小的顆粒，目前可被去除的最小顆粒為0.03微米。而另一方面利用二氧化碳雪的特殊溶解作用，可將物體表面上的有機(jī)沉積物和薄膜去除。所以它對(duì)顆粒狀污垢和薄膜狀油污都有很好的清洗效果。二氧化碳雪清洗的機(jī)理？二氧化碳雪形成過(guò)程的相變由液體或氣體二氧化碳作為來(lái)源在噴射過(guò)程中形成較小的二氧化碳固體顆粒時(shí)，發(fā)生的是二氧化碳由氣相或液相轉(zhuǎn)變成固、氣兩相共存體系的相變過(guò)程。根據(jù)熱力學(xué)在一定溫度和壓力下二氧化碳的相態(tài)和相變過(guò)程可用下面的相圖表示。國(guó)二二強(qiáng)化糕的相圖相圖中的級(jí)坐標(biāo)是用psi＜磅/平方英寸）表不的洋內(nèi)軸.橫坐標(biāo)是以華氏濕度舊》表不的溫度軸，圖中固、液、氣一到優(yōu)碳存在一個(gè)?匚相共存的■:相點(diǎn)C。點(diǎn),〕它的溫度為-70.06F ?Q,壓強(qiáng)為76Psi1個(gè)大氣壓工存在一個(gè)臨界點(diǎn)G它的溫度為葭98P?L19/玉力為107Q6Pm28大氣壓兀在此臨界點(diǎn)以匕的一氧化碳被稱為超流體相或.超臨界相，在超臨界相中沒(méi)有單獨(dú)存在的液相與氣相，超臨界相的流體既具有-液體高密L；K■特.T"：體小，在此臨界點(diǎn)以上的二氧化碳被稱為超流體相或超臨界相，在超臨界相中沒(méi)有單獨(dú)存在的液相與氣相，超臨界相的流體既具有液體高密度的特點(diǎn)又具有氣體流動(dòng)性好擴(kuò)散性強(qiáng)的特點(diǎn)。相圖中的線是固、氣共存線，在此線上的壓力、溫度條件下，固體二氧化碳可不經(jīng)過(guò)液相而直接轉(zhuǎn)變成氣態(tài)二氧化碳即二氧化碳發(fā)生升華。同時(shí)也表示在此線上的溫度、壓力下，固相和氣相可以共存并且兩相可以相互轉(zhuǎn)化而不經(jīng)過(guò)液體的中間相。同樣在線上的溫度、壓力下固體二氧化碳可以與液體二氧化碳共存，并且兩相可以相互轉(zhuǎn)變。在線上的溫度、壓力下液體二氧化碳可以與氣體二氧化碳共存而且兩相可以相互轉(zhuǎn)化。而在域內(nèi)的溫度和壓力下二氧化碳只能以固體相存在，在區(qū)域的溫度、壓力范圍內(nèi)二氧化碳只能以液相存在。在區(qū)域內(nèi)的溫度、壓力下，二氧化碳只能以氣相存在。在常溫30℃、常壓1標(biāo)準(zhǔn)大氣壓，條件下穩(wěn)定存在的二氧化碳是氣態(tài)。所以在用二氧化碳雪清洗污垢后最終排出的二氧化碳是氣態(tài)的，而固體顆粒和有機(jī)污垢能從排出的二氧化碳?xì)饬魇蟹蛛x，氣體二化碳可被排放到外面并被進(jìn)一步回收利用。雖然通過(guò)上述相圖可以幫助我們了解二氧碳雪形成過(guò)程就是常溫高壓下的液體或氣體二氧化碳向氣、固兩相共存體系轉(zhuǎn)變的相變過(guò)程，但是二氧化碳的相圖并不能告訴我們二氧化碳雪清洗劑是如何具體由液體或氣體狀態(tài)的二氧化碳轉(zhuǎn)變成含固體二氧化碳的氣流束的。而二氧化碳的壓力焓圖卻可以幫助我們加深對(duì)二氧化碳雪形成過(guò)程中相變的理解。如果以氣體二強(qiáng)優(yōu)碳作為原料（:即母九點(diǎn)開(kāi)始工"1其用力在開(kāi)口處下降時(shí)，百分氣體一氧化碳就會(huì)液化，形成的液體的百分含量符逐漸增加，并且液缽小滴會(huì)進(jìn)一生成核固化J當(dāng)進(jìn)入氣制區(qū)域上1可的交界處（壓力妁為￡Opsi）時(shí)，氣體一氧化碳中所有的液體二氧化碳都變煩周休弁編占一里化碳總量的除艮如果是以^體二氧化碳作為原料（印以B*,開(kāi)始）當(dāng)其汽力在升n處下降卜寸液體一弱化碳中就會(huì)發(fā)生苗分氣化并有氣泡產(chǎn)生？并且氣體二氧化碳的百分含量會(huì)量漸增加直到達(dá)到氣一固共存線的數(shù)同時(shí)剩下的一氧化碳液體就精變城冏體」產(chǎn)生固體期占二氧化碳總量的4^產(chǎn)生的二氧化碳固體的斤分率認(rèn)定F所造的原料狀態(tài)，井受原料的土力和溫度的影響.這個(gè)壓力-ft圖給了我們變化過(guò)程始志、終態(tài)，以及在一軾化碳雪形成忖所發(fā)生的相態(tài)變化的有關(guān)信息、由此司知，一氧化碳雪既川口氣體一氧化碳產(chǎn)生也可力液體一氧化碳產(chǎn)生，陰種原料各有其優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn).使用氣體一軻化碳為原料時(shí)產(chǎn)生的一氧化碳再較少.但由于氣體比較容易被這濾,所以在一氧化碳?xì)怏w中含白的有機(jī)污染物較少，而且單位時(shí)間內(nèi)平均消耗的二軾化碳數(shù)量也較少.便印液體一氧化碳為原料則用產(chǎn)生更害的一啊碳消耗率也較高.所以如果清洗是非經(jīng)常性的，或是只對(duì)一小塊面枳上的污垢皿行清洗的詔，推薦使用氣體一軾化碳作為原料.liL對(duì)連續(xù)的底速清洗或?qū)Υ蠖孜蹓倪M(jìn)行清洗，建議采川液體一甄化碳來(lái)制備一氧化碳可較好■:在1軾化碳雪清洗設(shè)岱中，一般都選擇具有不對(duì)稱結(jié)構(gòu)的文丘里噴嘴設(shè)計(jì).因?yàn)檫@科噴嘴能使體系在較長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)保持等附條件，從向能產(chǎn)生更多的二氧化碳防n獲得的氣流速度最大井二保天氣流更加集中n如果使用直管噴嘴則不能保抒等箭的條件弁且一般不能產(chǎn)生所需數(shù)量的固體一軾化碳口32一一氧化碳再消洗的機(jī)理一氧化碳.既可以1;除顆粒污垢，乂能除去礦物加河、手指印、面脂、潤(rùn)滑油等薄膜狀污垢，具中的機(jī)理逋常是用卜而的理由解密的，工21一氧化碳雪去除固體顆粒注染物的機(jī)理一氧化碳雪清洗劑從物體表面上去除固體顆粒污染物的機(jī)理比較筒單，高速運(yùn)動(dòng)的一氧化碳雪在神擊周體顆粒物時(shí)，發(fā)生r動(dòng)量的沽移，這種動(dòng)量楊移作用能克服固體顆粒與物體表面之間的黏結(jié)力，使同體顆粒脫離物體表而，一日其離升r物體表面就很容易被高速的氣流帝走，但這與單純的高速氣流對(duì)表面顆粒施加的抻市作用是不同的.空氣動(dòng)力的沖擊蚱用大小是與顆粒面雙（或粒子直裙的平方）成正比的，而同體顆粒對(duì)物體表面的翻附力（包括范德華力、毛細(xì)管作用力、偶極吸引力等）也是隨同體顆粒的直仲變動(dòng)的.岬固體顆粒較大時(shí)，氣流的沖擊作用可.以超這顆粒與物體表而閉的黏附力，所以利用川以去除物體表面較大的同體顆粒，IIL重物體表面上的固體顆粒較小時(shí)，由f氣流的沖擊柞用下降得比顆粒與表面的黏附力更多，于是力溝垢粒子直校極小二十在微米級(jí)范圍卜僅利用空氣動(dòng)力的作.用就不能將這類污垢粒子去除.而在二氧化碳雪的高速氣流中畬有固瘁--氧化碳顆粒，周體二氧化碳顆粒與污垢顆粒間碰撞時(shí).發(fā)生動(dòng)量的轉(zhuǎn)移.固體二氧優(yōu)碳顆粒將沖擊動(dòng)量傳給「河垢顆粒弁?使其遠(yuǎn)離物體表面而后很容易被氣流帶走.所以在用二氧化碳再消.上是對(duì)詞】i110心嚷出的液化理論的補(bǔ)充】Hi1嘮廣支持Whit1QC期觀點(diǎn)孫，還提出冷凍破裂的新觀點(diǎn)，用來(lái)解稀為什么二氧化碳汽，利用液體二氧化碳的辯解作用不應(yīng)能有效工除免類等池性有機(jī)污端，而且還能有效去除液體二氧化碳對(duì)其搟解力不通的鞋汕、有機(jī)端化物、合成潤(rùn)滑油等尚有焰球上外的其它官能團(tuán)的有機(jī)物「『冷凍破裂Q理論的主要觀點(diǎn)川以簡(jiǎn)單理解為：這類有機(jī)污垢不是被液體一氧化碳溶解而除去的，而是在被1氧化碳否低阻作用的冷凍過(guò)程中破裂成小砰片向被高速氣流除夫的.沆周體顆粒時(shí)，表猊出去除救果與表面污垢的顆粒大小無(wú)關(guān)的特點(diǎn)，可以去除各種尺寸的顆粒污垢（最小的可被司除的顆粒污垢的粒曲在ft嘲米，即3卿米）所以用一甄化碳雪電道合用于在精密工皿清洗中去除微小的固體污垢粒子.見(jiàn)圖四n22一甄化碳汽清除有機(jī)污垢的機(jī)理U前用兩種理論解釋.一軾化碳行清除有機(jī)溝痂的機(jī)理，一種是whit1。也提出的理詒，它解釋r固體二氧化碳在磁搔過(guò)程中為什么能發(fā)生部分液化，而由于液態(tài)一氧化碳對(duì)有機(jī)再折有很好的溶解作用，所以--軻化碳雪能很m清除有機(jī)污垢，中于一氧化碳方?jīng)_擊被污染的表面時(shí)，碰撞過(guò)程中固體一氧化碳粒子受到的壓力增加「而?且這個(gè)用力可以大到超過(guò)固體一氧化碳粒子的屈服網(wǎng)力雨?三相點(diǎn)壓力（德朋出結(jié)果使得冏體二氧化碳粒子在與污圻相接觸的部位開(kāi)始發(fā)生液化，弁發(fā)生連續(xù)性的用服和犁性變形進(jìn)而增加「液相一甄化碳與有機(jī)污步間的接觸而枳.此時(shí)一氧化碳變成了氣體、液體、周體二氧化碳三相共存的體募.而液相一氧化碳就是有機(jī)污垢的最好溶劑，因此有機(jī)污垢就溶解在液相的一軻化噪中,得一甄化碳周體顆粒升始跳離物體表面時(shí)，附著界面上的用力卜降二氧化碳固體顆粒匕的液相部分就會(huì)重新發(fā)生固化，這樣有機(jī)污垢就被一氧優(yōu)碳固?體顆粒帶離物體表面，見(jiàn)圖五口另一種理論是MHi11在1佻/:提中的.實(shí)際對(duì)文物、之術(shù)品法打修且清洗對(duì)火災(zāi)后殘雷物品進(jìn)行修復(fù)清洗二用I以卜兩例脫明一氧化碳大清沆的高效性：美國(guó)人Whit1M1曾做過(guò)一個(gè)研究一氧優(yōu)硬皆清洗去除半導(dǎo)體晶片上做米級(jí)和語(yǔ)微米級(jí)顆粒污折有效性的實(shí)驗(yàn).具體作法是將微米級(jí)和亞微米縱針?biāo)徜\同瘁顆粒懸浮分散在乙醉中.并用噴搶將二噴射到一個(gè)兩英寸大小的葉晶片匕噴射一百進(jìn)行到沉積物能被肉眼可見(jiàn)為止,然后用一個(gè)裝各方能量分散光譜儀（E［總的|'|動(dòng)微探計(jì)來(lái)測(cè)量鋅鹽顆粒的數(shù)U和尺寸大小n在測(cè)量r10。幅后（每幅的面積大小是2工4X2嘴米）總共檢測(cè)出292鋅鹽顆粒，■（迎過(guò)推論在在晶片總共的1600幅而積匕固有，1我葉鋅鹽顆粒，）然后用一氧化碳雪對(duì)碎片M行清洗，井在清洗后再次用微探計(jì)邊打分析.發(fā)現(xiàn)整個(gè)砧片上灰剩下衿鋅過(guò)顆粒:r.計(jì)算表明用二氧化碳雪清洗對(duì)顆粒污垢的?去除率超過(guò)T9a映美國(guó)人Shcirnaii和岫itl口cki￡做了一個(gè)用:氧化碳雪清洗的實(shí)際應(yīng)用一甄化碳雪清洗包括以卜的實(shí)際同用領(lǐng)域：從金屬、陶瓷、梨料和玻璃表而去除各種污垢：從單晶循、璘化鈿仃膽御化鍍（GsAs）等平導(dǎo)體晶片表面除去各種微小的河垢n清洗各種光學(xué)鏡片：包括涂敷各種膜層的光學(xué)鏡片，在激光播、紅外光譜、紫外光譜儀上使用的光學(xué)鏡片及望遠(yuǎn)鏡鏡頭：對(duì)各種表面分析的樣品做分析前的消洗處叁，包括對(duì)做俄歌（Ai唁er）電子、X—射線電子分析取P⑥的樣品對(duì)包括真空管在內(nèi)的各種電真空兀器件進(jìn)行清洗:對(duì)要求高潔凈度的實(shí)驗(yàn)空、生產(chǎn)年:問(wèn)、潔凈空進(jìn)行清洗;對(duì)各種要求高潔凈度的底基材料的清洗;對(duì)要求高潔凈度的金屬和陶瓷部件進(jìn)行清洗對(duì)電子工業(yè)中的各科微電子和混合電路上的污垢進(jìn)行清洗：上委有以卜：點(diǎn)1防止清洗后清洗表面被重新河染造成清洗表面被重新污染的因素主要有四個(gè)11）顆粒污垢的重新玩積（2）被含在一弱優(yōu)碳鉀中的河垢所污染（而被清世設(shè)備和夾具上的如片污染￡號(hào)由十清洗方法不節(jié)引起的污染「卜而分別對(duì)這四種情況也行分析「L瞬止顆粒污折的重新沉枳為防止已被清除的顆粒污垢的亙新沉和，在設(shè)計(jì)清洗設(shè)備和體察時(shí)，必須考慮到使用通風(fēng)及捕獲等手段，以探正一H.從表面被清除后就不打能出汜枳問(wèn)來(lái)口一般是使用高流動(dòng)性的素流或用流的氯氣流o一步清沉已除?去顆粒污垢的表面,而作為循環(huán)使用的富氣必須經(jīng)過(guò)高壓精密過(guò)濾系統(tǒng)（RFPA）的過(guò)濾處理以保證氮?dú)獾母叨燃兺ｏw經(jīng)過(guò)過(guò)濾系統(tǒng)處理的氮?dú)獾牧鲃?dòng)方向也必須按嚴(yán)格規(guī)定，國(guó).，必須是從潔掙區(qū)吹向污濁區(qū).清沈的方向也是從已清潔的表面吹向尚未清沆的表面nL蕊?夫二軻化碳原料中的雜質(zhì)研究表叨在二氧優(yōu)碳原料中通常是含有碳?xì)浠衔锏扔袡C(jī)雜質(zhì)的，因此如果使用這類未經(jīng)過(guò)濾凈化處理的一氧化碳行進(jìn)行消洗時(shí)，必然會(huì)導(dǎo)二氧化碳雷清洗立晶片表面有機(jī)污垢的實(shí)驗(yàn).他力在碎晶片表面涂敷抗而用和指紋印等有機(jī)污垢，并采用手南線光電子能譜（XPS）分別對(duì)新制備的荏晶片、被有機(jī)污垢污染的葉晶片以及用一氧化碳用清洗后的硅晶片的污染情況進(jìn)行分折口（分折其中宵有的碳原子數(shù)在7、C；二0蘆段落的有機(jī)物所占的門(mén)分含量）「分忖結(jié)果表明：新制備的砧晶片的有機(jī)物主要是碳原子數(shù)在y.段落的有機(jī)物，在并晶片表面涂敷洗面脂和指紋卬等有?L河垢之后，碳原子數(shù)在q廣％的有機(jī)物所占的仃分含量比新制備的葉晶片增加T九所,而在用二軾化碳方清洗后基本上檢測(cè)不出有機(jī)污垢，不僅碳原子數(shù)在4的有雙物的含量大大降低，而且碳原子數(shù)在%，-。段落的有析物含量也比新制備的硅晶片上的少很多匚說(shuō)明用二軾化碳串清洗不僅川去除項(xiàng)晶片砧染的污染物，而且可以除去硅晶片上原有的有機(jī)污染物，對(duì)箱除各種好機(jī)污垢都有很好的效果.5使用二氧化碳雪清洗應(yīng)注意的問(wèn)題為了正確使用一氧化碳雪清洗網(wǎng)注意的問(wèn)題化處理口5L沏止清洗設(shè)備和夾具造成的河染一氧化碳雪清洗使用的設(shè)備、麻件以及鋼瓶、橡膠管等也都可能含有污垢顆版，向這些污垢顆粒會(huì)隨著流動(dòng)的氣體或液體二氧化碳原料經(jīng)嘖嘴到達(dá)被清洗物體匕所以在安裝清洗設(shè)備之前,所有的部件都應(yīng)用一氧化碳否認(rèn)其清湯過(guò)工51媯防止發(fā)生冉污染清洗過(guò)程還注意以卜兒個(gè)問(wèn)題A清洗這程必須遵循嚴(yán)格的狽序清沆的順序是從已清洗的區(qū)域向著待清沅的區(qū)域進(jìn)行，水k不能讓清洗曲射流對(duì)準(zhǔn)一個(gè)周圍是已清洗表面的未消注區(qū)域，結(jié)果便清洗卜來(lái)的河垢再次將清潔表面污染口清洗過(guò)程必須遵循嚴(yán)格的順序而不能隨意的邊彳，B注意防止空氣中的如氣冷凝由卜清洗過(guò)程中冷的一軻化碳雪流束會(huì)大大降低清洗表面的溫度，結(jié)果會(huì)造成周圍空氣中的水蒸氣在清洗表面冷凝.在一般清洗中濕氣冷凝并不對(duì)清洗造成重大的影響，因?yàn)樵趯?dǎo)熱性良好的清洗表面上往往不會(huì)造成濕氣冷凝r而在用一軾化碳否清洗玻璃九學(xué)鏡片等導(dǎo)熱性不好的物體

七3杼3I.“卜五g印―二戰(zhàn)地叫W際斌小I濾凈化處理的一氧化碳雪進(jìn)行清洗時(shí)，必然會(huì)導(dǎo)致碳?xì)浠衔锏扔袡C(jī)污垢在清洗表面的沉和.為了了解使用不同純度級(jí)別的二氧化碳原料對(duì)清洗效果的影響，She皿吩別使用了熔焊保護(hù)氣級(jí)、食品繳、工具級(jí)、醫(yī)用級(jí)和超臨界流體芻譜級(jí)SFO的一氧化碳原料，并用K一射線光電子能譜（圓茍時(shí)使用上述各種原料進(jìn)行二氧化碳雪消洗的洋晶片上的喉氫化合物污垢進(jìn)行檢測(cè)分析.為「比較一寸的方便，他是選定同憚大小的清洗而積，井川清洗前后表而上的碳理化合物濃度的比值作為判斷再污染的大小,《比七3杼3I.“卜五g印―二戰(zhàn)地叫W際斌小I濾凈化處理的一氧化碳雪進(jìn)行清洗時(shí)，必然會(huì)導(dǎo)致碳?xì)浠衔锏扔袡C(jī)污垢在清洗表面的沉和.為了了解使用不同純度級(jí)別的二氧化碳原料對(duì)清洗效果的影響，She皿吩別使用了熔焊保護(hù)氣級(jí)、食品繳、工具級(jí)、醫(yī)用級(jí)和超臨界流體芻譜級(jí)SFO的一氧化碳原料，并用K一射線光電子能譜（圓茍時(shí)使用上述各種原料進(jìn)行二氧化碳雪消洗的洋晶片上的喉氫化合物污垢進(jìn)行檢測(cè)分析.為「比較一寸的方便，他是選定同憚大小的清洗而積，井川清洗前后表而上的碳理化合物濃度的比值作為判斷再污染的大小,《比值小于1才說(shuō)明有清洗效果，比值大?「1說(shuō)明再污染嚴(yán)重）實(shí)驗(yàn)結(jié)果表叨除r使用超臨界流體色譜級(jí)（sro的一氧化碳雪清洗的硅晶片（STO的比值小于1外，其他的原料比值都大于L所以在使用二氧化碳雪邊行洋晶片等精密TJ也清洗時(shí)，必期使用超觸的超臨界流體色譜級(jí)一氧化碳，其他皴別的一甄化碳不道合用廣精密清洗中口如使用其他級(jí)別的--氧化碳進(jìn)行精密工業(yè)清洗，在使用前必須出行過(guò)據(jù)凈軻化碳雪清洗玻璃光學(xué)鏡片等導(dǎo)熱性不好的物體時(shí)，為防止?jié)駳饫浜？稍谇逑幢矶浇茉O(shè)軌空氣噴槍或紅外燈使?jié)駳饫淠郎p少到最少.但對(duì)卜要求清除微米或亞微米級(jí)泊垢粒子的精密TM清洗,就要求在使用一氧化碳%進(jìn)行清洗的過(guò)程中絕時(shí)不能發(fā)生濕氣冷凝.囚