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文檔簡介

學(xué)復(fù)題一題.據(jù)電介質(zhì)中高斯定律,下列法正確的是若電位移矢量沿一閉合曲面的通量等于零,則這個曲面內(nèi)一定沒有自由電荷若合曲面內(nèi)沒有自由電荷,則電位移矢量沿該閉合曲面的通量等于零;()閉合面沒有自由電,則面的電位移矢一定于;()電移只由的有.化電荷與自由電荷的最大區(qū)別電場,而極化電荷;自電荷能激發(fā)靜電場,而極化電荷則只能產(chǎn)生渦旋電場;自由電荷有正負(fù)兩種電荷而極化電荷則沒有正負(fù)之分;自由荷能獨自由運(yùn)動,極化荷不能脫離電質(zhì)中子而單移動.個帶電量

q

,半為的薄金屬殼充滿了相對電容率為

r

的均介,殼為真空則球殼的電勢為(A)

q

(B)

q

r

R

(C)0(D)

q

r

r

(r).兩個徑相同的屬球,為心,一為實心把兩者自立時的容加以比,則()()

空球電容值大兩球容值相

()()

實心電容值大大小關(guān)定如圖所示,先接通開關(guān),電器電然后開當(dāng)容器板間的距增大時,假定容器處于干燥的空中,則()

電容上電減小

()

電容器板間的場減小()

電容器板間的電小

以上法均正41.電場中電定.(A)閉合L上處相

L

ElK

t

,中為電場的電電場是電場的電場不是閉合曲電場中能對電電勢42.關(guān)于產(chǎn)生感應(yīng)電流條件,下面說法正確的是體在磁動都產(chǎn)電流只要導(dǎo)體在磁場中做切割感線運(yùn)動時,導(dǎo)體中都能產(chǎn)生感應(yīng)電流閉合電路的一部分導(dǎo)體,在磁場里做切割磁感線運(yùn)動時,導(dǎo)體中就會產(chǎn)生感電流閉合電路的一分導(dǎo)體在場里沿感方向運(yùn)時導(dǎo)體中會生感應(yīng)流43.體組一矩框,勻速率v場的空間入個勻場,后從場出,在無磁場間運(yùn)。下圖哪一圖確示線框中電流時間的函數(shù)關(guān)。圖)圖)圖)圖)44.豎向下的強(qiáng)場中,細(xì)懸掛一條水平線。若強(qiáng)場磁感強(qiáng)大小為,導(dǎo)質(zhì)量為m,導(dǎo)磁中長為,水平導(dǎo)線內(nèi)通有電流時,線的力大為())mg)

(B))mg)()))

()BIL)mg)在無限長載流直導(dǎo)線的側(cè)放著一可以自由運(yùn)動的矩形載流導(dǎo)線框電流方向如圖,導(dǎo)線框?qū)ⅲǎ┚€框向靠近時動線僅向平動線離AB,同動導(dǎo)框僅平動離開AB46一載有電流I的導(dǎo)線在平面內(nèi)的形狀如圖所示,O點的磁強(qiáng)小00000000I()

I08

I;()

I08R

;I()

I;().如所的流線圓心產(chǎn)生的磁感應(yīng)強(qiáng)度大為IA)IC)

I02RI04R

I;)2RI;)4R

I02I02

;.兩長導(dǎo)線相互行置于真空中,如圖所示,條線的電流為II方向

兩條導(dǎo)線到P點距都是點的應(yīng)度(A)豎上下(C)水右左49.如所,兩根長導(dǎo)線沿半徑方向到環(huán)的B兩點,兩導(dǎo)線的夾角,環(huán)徑根線在很處與電相連,從而在導(dǎo)線中形成流環(huán)中心點磁感應(yīng)強(qiáng)為(A)0

I0(C)

I02R

sin

(D)

I02R

COS長線通有電流其彎成如所示形狀O點處的磁感應(yīng)強(qiáng)度為(A)(C)

II004II08R

II08RII0R51.在圓流所的平面內(nèi),選取一同心形閉回路由環(huán)理知()dl,且環(huán)任點L3IIIIII

LL

?dl?dl?l

00

00B=L52.ABD53.AC

(I0II03

2

BD

(II)0(I)02

1

2

3BSn

B

2

sin

Bcos55.d(A)

d

d

d

(D)

d56.衍射實驗波垂入射寬=衍30處波成波帶數(shù)目(A)2

(B)4

(C)6

(D)857.束波色垂入置屏幕形衍射樣果央亮紋側(cè)第紋置BC

(B)

(C)3(D)2色行束射寬1.0mm2.0幕寬mm入射波100(B)400(C)500(D)600nm4射質(zhì)率介射質(zhì)率介2321nn59.光真和中時確述:()長不,中波速小不變率不變,介質(zhì)中的波速小小,波速變真空中波長色在射為的均勻透明媒質(zhì)中,從沿某一路徑傳播到B點,路徑的長為則B光動相記為則(A)當(dāng)=32有(B)當(dāng)l=3,(C)當(dāng)l=有

(D)當(dāng)l=

,有

楊氏雙縫干涉實驗是分陣法光束涉(C)分陣面法多光束干

(B)分幅雙光干(D)振幅法多光束干62.如示膜折,入射介射為,透射,且<<,入光線兩質(zhì)交界面的射光分別為和產(chǎn)波損的情況是光產(chǎn)生波損失不生半損光都生半損光不半失光不生波損,光生半波損63.一束波長為光由空氣垂直入射到折射率為的透膜上明放空氣,要透射光得到干涉加強(qiáng)薄最小厚為(A)

4(B)

(4)(C)

2(D)

(2)在照相機(jī)鏡鍍有一層折射率于玻璃的介質(zhì)薄膜增一長的透光能量。假設(shè)光線垂直入射,則介質(zhì)膜的最小厚度為()

(B)

()

()n65.哪年美國的物理學(xué)家梅曼發(fā)了世界上第一臺紅寶激光器?()

;

;

;。66.是誰立統(tǒng)一的磁場理并了磁的在?()

;

;67.長照射寬度的縫上,單縫后面放一透鏡在凸鏡焦平上放一屏用觀測衍射條紋今得上明紋一側(cè)三暗紋另側(cè)三個條之的離透的焦是....68.如圖所示,為一矩,邊長分別為l和

l

,在DC延長線CA=l

處的A點有點電荷

在CF點電

使單位電從

路徑運(yùn)動到F點,則場力所做的功于()

l

;

()

;()

l

()

l

。6RQR2

32

rP=________________R+Q

37C112

5acbR恒細(xì)圈過圍封閉通

B置安F

子運(yùn)而不運(yùn)______子運(yùn)最子運(yùn)非運(yùn)當(dāng)運(yùn)至某速v運(yùn)夾角α此測出f運(yùn)m_____________________粒垂R/271212則磁應(yīng)度變?yōu)?。.在單縫夫瑯禾費(fèi)衍實驗中,設(shè)第一級暗紋的衍射角很,若鈉黃≈nm)中央明紋寬度為mm,則=442n(1m=10

9

的藍(lán)紫色光的中央明紋寬度為____________________。.如果單縫夫瑯禾費(fèi)衍射第一級暗紋發(fā)生在衍射角為位所色長(1n=10m),則縫寬度為_____________________m。.惠更斯-菲涅耳原理的基本容:波陣上各個面積元上,所發(fā)出的子波觀察點P的

決了P點的振動及光強(qiáng)。.單色光垂直照射楊氏雙縫時,減小雙縫間距,則條紋間。49.將波行單色光垂直投射一狹縫上,若對應(yīng)于衍射圖樣的第一級暗紋位置的衍射的絕值的度等________________.50.瑯費(fèi)衍射實驗中衍角很小,若鈉(央明條為m,紫色光的中央明紋寬度為

nm。三、題第章靜電第靜電1題號:如下所示,一半徑

的無長導(dǎo),位長度帶電為外有半徑為,單位度帶量導(dǎo),兩體同,內(nèi)圓面間滿相電容為

r

的勻電介質(zhì)體內(nèi)電布體心處的電設(shè)外筒面外任意一點勢零P點與中心軸的距離介中的P化強(qiáng)畫Er線2.題號半徑

的金球帶荷

Q

罩一半徑為

R

同心屬殼殼量

Q

厚度計內(nèi)兩球面間充滿相對電容率

r

的勻電介質(zhì)。)球面統(tǒng)內(nèi)外的電場分布球心的電)電介質(zhì)中極化強(qiáng)度)畫

r曲線。3題號:一半徑為R電率為電質(zhì)球的中心放有點電荷q求電質(zhì)、電位移的布;(2)電質(zhì)內(nèi)、外電場強(qiáng)度和電勢的分布(3)體表面極化電荷的密度4.題號如圖所示,帶電量為、半徑為R的金屬球置于介電常量為徑為R的均勻介質(zhì)球內(nèi)。求1)質(zhì)層、外的、的布)質(zhì)層內(nèi)、表上的束縛荷面密。5.題號如圖示真空中的形容的內(nèi)外面半徑分別為和所電荷為

。求)該統(tǒng)各區(qū)間的場強(qiáng)分布)該系統(tǒng)區(qū)間的電勢分布)系統(tǒng)的電容。6題號:(電面度σ無限大均帶電面,若該平面為電勢點,試求電平x空間電勢分。(圖示真中球電器的、半分為和R,所帶電量為。電容的容。第十一章定電流的作業(yè)1.題號40941001如下圖所示,一段通有電流的圓形線它的半徑為,對心的張角為求該圓弧形電流所激發(fā)的在圓心磁度2.題號40941002一限長載流導(dǎo)線部彎成圓弧,如圖所示,圓弧形半徑為,線的電為A?;⌒沃行腛點磁應(yīng)度3.題號40941003一段導(dǎo)線彎圖a)所形狀,后將同長的線再彎圖b)示。導(dǎo)線以電流后求兩個中P點磁感應(yīng)強(qiáng)度之比()()4.題號40941004A和為個交置的形線圈其圓心重合A線半徑R,AA匝,通電流;線半徑,ABB線公共中心處磁感應(yīng)強(qiáng)度

匝,通電流A。兩B5.題號40942005如所示限導(dǎo)中部被彎成半圓形狀,環(huán)的徑r當(dāng)導(dǎo)線中通有電流時求直環(huán)面軸線上距離點為的點磁應(yīng)度大。6題號:40943011如圖所示,設(shè)在真空中,有一半徑為的圓形流線的流為,通稱圓電流,)通過心并垂直于圓形導(dǎo)平面線上任意點處的感強(qiáng)度處的磁感強(qiáng)度。7題號:40943018一根無限長導(dǎo)線彎成如圖形狀,設(shè)線段都同平內(nèi)(面第是徑為的四分之一圓弧,其余直線。導(dǎo)線中通有流求圖中點的磁感強(qiáng)。8.一根限長的同軸電纜,由一半徑為的導(dǎo)體圓和一徑為R的同的筒成的厚不計。在兩個體大相而方相的流I流,內(nèi)導(dǎo)體柱的電圓柱截均分,圖示求同軸電在各域

r

)r

)r

中磁感強(qiáng)度9題號:41041001圖的空形半別為R和,體內(nèi)流,設(shè)電均分在體的橫截面上。導(dǎo)體內(nèi)部各點的磁感應(yīng)強(qiáng)度。導(dǎo)體內(nèi)壁和外壁上各點的磁感應(yīng)強(qiáng)度。10.號41043003有同電,內(nèi)軸是一半為的柱導(dǎo)體,電流軸向流動,且電流在橫面上的分布是均勻,外套一個厚度計半徑為的同軸圓筒形導(dǎo)體,如下圖所示。兩導(dǎo)體中的電均為I,且流向相,體磁可考。試算下處磁強(qiáng):()

r

R

;()

R

rR

;()

r

R

;同畫前項的r。()內(nèi)外圓面(

rR

)滿對導(dǎo)率為的均勻磁質(zhì)時,該區(qū)域的r磁感度是何11題號:41141001在同平面有長直導(dǎo)線和矩形匝圈,線圈的邊與直導(dǎo)線行如圖所示若直線的流為IA矩形線圈的電為IA,求矩線所受的場。12.號41143006值分圖所根限導(dǎo)載電流I矩路載有電流,形路長導(dǎo)共。試計算)流作在矩形回各邊上的力的小和方向流I作用回路上合力大和向13題號:41241001值分測定離子質(zhì)量的質(zhì)譜儀如圖所示,離子S產(chǎn)生質(zhì)量m,電為的子,離子的初很小,可看作靜止的,經(jīng)電勢差加速后離子進(jìn)入磁感度為的勻磁場并沿一半圓形軌到達(dá)離入口處距離為的感底片上,試由此計算運(yùn)動子的量。章:感應(yīng)業(yè)1(分)在長電導(dǎo)附有矩線,形圈直線同平內(nèi)線圈以率速向右動,求當(dāng)圈運(yùn)動圖位置,即與直導(dǎo)為時,中的感應(yīng)電動勢大小和方向。已AC=DE=a,,I

aACvdE

bD2(分有一長密繞的為l,截面為線圈的總數(shù)為管介質(zhì)的磁率為,求自系。3題10)在一長通電導(dǎo)線附近有矩形線圈,矩形線與直導(dǎo)線在同平面內(nèi),設(shè)直線的流為且IIsin0

,如圖示,邊與直線距為求)圈一刻電的式)始刻線中感電勢的大小和向知AC=DE=a,CD=EA=b)I

aACd

bE

D164題)在長為橫積為的螺線管上繞有匝線,線圈的自感系數(shù)若在線圈中通以電流I,線圈中自電動勢大。05題分如圖示金屬AB以勻率平于長導(dǎo)移此線通電流,求桿中感應(yīng)電動勢的大?。U的端勢?I

vABa

b6.在同一平內(nèi)有一長直導(dǎo)線一矩形單線圈,線圈的長與長直導(dǎo)線平行,如圖所示。若直線的流為I20A形電流為矩形線所的場。2(設(shè)矩形線圈的短邊為和da為和cd)17第十四章光學(xué)業(yè)1題號:50341001在楊氏縫干涉實驗中用波長n的納燈作光源屏距離nm問(1)當(dāng)縫間距mm時兩相鄰明條紋中心間距是多少?假設(shè)縫距mm,兩相明條中間距又是多?2題號:洛埃鏡干涉如所示光波長.

,試鏡右緣到第一明的離。3題號:在雙縫涉實驗中,用長單色光照射,屏幕距雙縫的距離=300mm,測得中央明紋惻的兩第級明紋間為縫間的。4.題:在雙干實中縫間的距離單光垂照射縫屏縫的距離,測得中明紋兩惻兩個第五條暗紋間距為22.78mm,求所用光波長。cfcfcfcf5.題單光照射到相距為雙縫上,雙縫與屏幕的垂直距離為求從第一級明紋到同側(cè)的第四級明紋間距離為,單光的波長)入射光的波長為,求相兩明紋間的距。6.題:一束.激垂照射雙,縫后的上察中明和第級明紋的間隔為求縫的間距(2)在央紋以還能到條明?7.題:一鏡的折射率=1.60為直射的長=500nm的盡可能少射在透表面鍍一層射率的明薄膜,求鍍膜的最小厚。8.題:一鏡的折射率=1.60為垂直入的波長光盡能少反射在鏡面鍍一層射率的明薄膜,求鍍膜的最小厚。9.題:用鈉(m觀??吹诎淡h(huán)半徑為rmm第條暗環(huán)徑

r

,求所用平凸鏡的曲半R。19ooo10.題號一塊1μ的率.的透明膜片設(shè)波長介直射求射光中哪波的最強(qiáng)

的見光垂11.題號白光直射空中厚為380n的肥皂膜上,肥皂膜的折射率為,在可光范內(nèi)400nm-760nm些波長的光在反射中增強(qiáng)12.題號兩塊度10cm的璃片,一端互相接為mm的片開形空劈膜.波為nm的平行光垂直照射,觀察反射,在全部10的長度內(nèi)呈現(xiàn)多少條明紋(1-9

m)13.題號牛環(huán)涉中鏡玻間以種質(zhì),十明紋直由0.0140m變?yōu)?。求體的折射率(1)用波長不同的光觀察牛頓環(huán),A,=4500A,到用的第k個1暗環(huán)用時第+1個環(huán)重合,已知透鏡的曲率半徑190cm.求時k暗環(huán)的半徑.(2)如頓中長A的第5個波長為的6個明環(huán)重,未知長

.20mm學(xué)復(fù)案題.)答案).:.答).答).).).).).).()47.答案()答案(D)答:答)答)答)答)答)答)答)答)答)答)答)答)答案)答)答)答案()答案)[答案B]答案()

題131.答:VR132.答:4rR0.答案:到.答:.答案:垂直.案在場的作用,質(zhì)面產(chǎn)生極化荷的現(xiàn)象.:I38.答:8R39.答:40.答:BL.案:和磁場方向平行.答案:與磁場向垂直f43.答:qv.2。.答:.答:×10m.答案干涉或相干疊加.答案:變大答:答:m21RRUERRUEEE三、題.題號:答.題號解根高斯定理,可得出整個系統(tǒng)的電場分布rRERE

r

r

(3分r

方向徑矢向)(2)心的電分V

EREE

E

r

(

)

(3)化:

Q

(2分方向與電場強(qiáng)方向一同分(4)曲分.題號:答.題號:答案.題號解答評分準(zhǔn)r

(由高斯定得電場分布:

Q

r

()r

()電勢分布:rRURrrU

(()rR

)

()RIdRId()極板間的電勢差:UR

4

0

(

11R12

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