功能陶瓷電介質(zhì)陶瓷和絕緣陶瓷高介半導(dǎo)體電介質(zhì)陶瓷

功能陶瓷電介質(zhì)陶瓷和絕緣陶瓷高介半導(dǎo)體電介質(zhì)陶瓷第一頁(yè)，共52頁(yè)。大多數(shù)含TiO2的材料，無(wú)論其TiO2是以單相還是同其它化合物結(jié)合形式存在，當(dāng)處于還原氣氛下燒成時(shí)材料均將導(dǎo)電。而添加適量的雜質(zhì)原子對(duì)材料的抗還原性會(huì)產(chǎn)生很大影響。通常受主摻雜原子有利于提高材料的抗還原能力，而施主原子則將降低材料的抗還原性。若在空氣或氧氣下退火，大多數(shù)材料均可重新獲得高阻抗態(tài)。

阻擋層電容器(第三類介電材料)第二頁(yè)，共52頁(yè)。出現(xiàn)部分再氧化的介電材料示意圖第三頁(yè)，共52頁(yè)。阻擋層電容器的制備主要是根據(jù)被還原了的化合物可部分再氧化這一原理，它使得材料表而具有高阻抗特性，而內(nèi)部卻是導(dǎo)電的。因此材料的有效介電層厚度為簡(jiǎn)單氧化層厚度h0的兩倍。相對(duì)于全部被氧化的材料來(lái)說(shuō)，這種材料的介電常數(shù)得到了明顯的提高，且兩者介電常數(shù)之比為h/2h0(h是整個(gè)材料的厚度）。另一方面，若每個(gè)導(dǎo)電粒子均被絕緣阻擋層包圍，則整個(gè)陶瓷中均存在介電特性。

阻擋層電容器(第三類介電材料)第四頁(yè)，共52頁(yè)。(a)再氧化層元件將約0.5mm厚的BaTiO3或SrTiO3圓片經(jīng)過(guò)還原氣氛燒結(jié)等工藝，可制成高阻抗表面氧化層元件。在圓片的表面刷上銀電極涂層，并在大約800℃下煅燒。銀電極涂層含有PbO-Bi2O3-B2O3等可形成玻璃態(tài)的氧化物，外加約lmol%的受主雜質(zhì)，如銅。因此在鈦酸鹽表面形成大約10μm的絕緣薄層，它可使得電極和半導(dǎo)電鈦酸鹽相互隔離，并具有很高的電容特性。由于大部分電容器電壓作用于二個(gè)介電薄層上，從而使得工作電壓低，一般為10V左右，因此很容易獲得單位面積近于10mFm-2的電容值。

1.5.7半導(dǎo)體電介質(zhì)陶瓷阻擋層電容器(第三類介電材料)Reoxidizedlayerunits第五頁(yè)，共52頁(yè)。

(b)內(nèi)絕緣阻擋層導(dǎo)致材料具有很大有效介電常數(shù)的再氧化絕緣薄層，其性質(zhì)同壓敏電阻相似。由于在半導(dǎo)體晶粒表面上存在著肖特基絕緣阻擋層，這將使得它們具有與兩個(gè)背對(duì)背二極管相同的特性。由于其電流必須較低，因而工作電壓也受到限制。為了使材料滿足抗高壓性能的要求，在電極之間應(yīng)存在大量的這種陶瓷絕緣阻擋層，另外還含有晶界相，在氧化作用下，其中的氧離子和雜質(zhì)離子能擴(kuò)散到晶面。

阻擋層電容器(第三類介電材料)Barrier-layercapacitorsInternalbarrierlayers第六頁(yè)，共52頁(yè)。

(b)內(nèi)絕緣層這些材料的晶體尺寸大約為25微米，若晶體更小(<10μm)則將導(dǎo)致其很大一部分體積成為肖特基絕緣層，因而材料的電阻率大大提高。如果晶體尺寸大于50μm，則電極間僅含有少量的高阻抗阻擋層，元件容易被擊穿。摻入10%左右的硅和鋁，可導(dǎo)致晶界層形成，且這些離子在高溫下易于朝著氧離子遷移并形成相應(yīng)的高阻抗氧化層。添加適量的Dy或其它施主雜質(zhì)離子將給材料的還原處理帶來(lái)好處。

阻擋層電容器(第三類介電材料)第七頁(yè)，共52頁(yè)。

(b)內(nèi)絕緣層圓片或其它形狀的材料首先應(yīng)在空氣下預(yù)燒，以除去有機(jī)物質(zhì)，而后進(jìn)行高溫煅燒，材料中出現(xiàn)晶粒生長(zhǎng)。通入CO2或H2，可控制晶粒過(guò)分長(zhǎng)大。冷卻后在圓片的表面涂上含Cu,Mn,Bi,Ti等受主雜質(zhì)的氧化硼玻璃料，再在1300-1400℃燒成。受主離子沿著晶界擴(kuò)散，如同對(duì)含非貴重金屬電極的疊層電容器介電材料能形成保護(hù)作用一樣，它可大大改善晶粒的表面性質(zhì)。然而由于對(duì)晶粒的界面相組成和結(jié)構(gòu)的了解非常困難，因而有關(guān)其性能的更詳細(xì)情況目前還不完全清楚。

阻擋層電容器(第三類介電材料)第八頁(yè)，共52頁(yè)。

(b)內(nèi)絕緣層圓片或其它形狀的材料首先應(yīng)在空氣下預(yù)燒，以除去有機(jī)物質(zhì)，而后進(jìn)行高溫煅燒，材料中出現(xiàn)晶粒生長(zhǎng)。通入CO2或H2，可控制晶粒過(guò)分長(zhǎng)大。冷卻后在圓片的表面涂上含Cu,Mn,Bi,Ti等受主雜質(zhì)的氧化硼玻璃料，再在1300-1400℃燒成。受主離子沿著晶界擴(kuò)散，如同對(duì)含非貴重金屬電極的疊層電容器介電材料能形成保護(hù)作用一樣，它可大大改善晶粒的表面性質(zhì)。然而由于對(duì)晶粒的界面相組成和結(jié)構(gòu)的了解非常困難，因而有關(guān)其性能的更詳細(xì)情況目前還不完全清楚。

阻擋層電容器(第三類介電材料)第九頁(yè)，共52頁(yè)。

(c)計(jì)算模型設(shè)則每個(gè)單元的電容晶體塊狀材料的電容由于單位面積存在個(gè)小塊，則單位面積的電容C為:電介質(zhì)的有效相對(duì)介電常數(shù)可求得若則在實(shí)際中是可以得到這樣結(jié)果，且通常其tanδ為0.03。

阻擋層電容器(第三類介電材料)第十頁(yè)，共52頁(yè)。內(nèi)阻擋層電容器結(jié)構(gòu)示意圖第十一頁(yè)，共52頁(yè)。SrTiO3電容器元件比BaTiO3的對(duì)電場(chǎng)和溫度的穩(wěn)定性要好。當(dāng)它處于最大直流電場(chǎng)的作用下，電容僅降低約5%。向當(dāng)溫度在-20~+85℃范圍發(fā)生改變時(shí)，電容值的變化不超過(guò)±20%，有效介電常數(shù)為10000-20000。通常BaTiO3材料的有效介電常數(shù)高達(dá)50000，其性能和低溫?zé)傻你U-鈮陶瓷相似。絕緣阻擋電容器比疊層電容器成本便宜一些，在低壓范圍應(yīng)用時(shí)兩者各有優(yōu)點(diǎn)。

阻擋層電容器(第三類介電材料)第十二頁(yè)，共52頁(yè)。1.裝置瓷、電容器瓷、鐵電壓電瓷：ρV＞1012Ω?cm，防止半導(dǎo)化，保證高絕緣電阻率；半導(dǎo)體瓷：ρV＜106Ω?cm2.半導(dǎo)體瓷：傳感器用，作為敏感材料，電阻型敏感材料為主：

ρV或ρS對(duì)熱、光、電壓、氣氛、濕度敏感，故可作各種熱敏、光敏、壓敏、氣敏、濕敏材料。3.非半導(dǎo)體瓷——體效應(yīng)（晶粒本身）半導(dǎo)體瓷——晶界效應(yīng)及表面效應(yīng)

第十三頁(yè)，共52頁(yè)。1.BaTiO3半導(dǎo)體瓷

a.PTC熱敏電阻瓷→PTC熱敏電阻

b.半導(dǎo)體電容器瓷→晶界層電容器、表面層電容器2.NTC熱敏半導(dǎo)體瓷（由Cu、Mn、Co、Ni、Fe等過(guò)渡金屬氧化物燒成，二元、三元、多元系）→NTC熱敏電阻種類：第十四頁(yè)，共52頁(yè)。半導(dǎo)體陶瓷按照利用的物性分類可分為：1.利用晶粒本身性質(zhì)：NTC熱敏電阻；2.利用晶粒間界及粒界析出相性質(zhì)：PTC熱敏電阻器，半導(dǎo)體電容器（晶界阻擋層型）；3.利用表面性質(zhì)：半導(dǎo)體電容器（表面阻擋層型）；第十五頁(yè)，共52頁(yè)。（1）BaTiO3陶瓷半導(dǎo)化的途徑和機(jī)理

純BaTiO3陶瓷的禁帶寬度2.5~3.2ev，因而室溫ρV很高(>1010Ω?cm)，然而在特殊情況下，BaTiO3瓷可形成n型半導(dǎo)體，使BaTiO3成為半導(dǎo)體陶瓷的方法及過(guò)程，稱為BaTiO3瓷的半導(dǎo)化。

1．原子價(jià)控制法（施主摻雜法）

2．強(qiáng)制還原法

3．AST法

4.對(duì)于工業(yè)純?cè)?，原子價(jià)控制法的不足1BaTiO3陶瓷的半導(dǎo)化第十六頁(yè)，共52頁(yè)。1．原子價(jià)控制法（施主摻雜法）BaTiO3瓷的半導(dǎo)化機(jī)理用離于半徑與Ba2+相近的La3+、Y3+、Sb3+等三價(jià)離子置換Ba2+離子;用離于半徑與Ti4+相近的Nb5+、Ta5+等五價(jià)離子置換Ti4+離子.在室溫下，上述離子電離而成為施主，向BaTiO3提供導(dǎo)帶電子（使部分Ti4++e→Ti3+），從而ρV下降（102Ω?cm），成為半導(dǎo)瓷。N型（電子型）半導(dǎo)體：自由電子濃度遠(yuǎn)大于空穴濃度的雜質(zhì)半導(dǎo)體通過(guò)施主摻雜由電價(jià)控制而得到的半導(dǎo)體，稱之為價(jià)控半導(dǎo)體。施主摻雜濃度應(yīng)嚴(yán)格限制在較狹窄的范圍。否則，ρv迅速增大，會(huì)成為ρv很高的絕緣體。第十七頁(yè)，共52頁(yè)。

Ti3+=Ti4+·e,其中的e為弱束縛電子，容易在電場(chǎng)作用下運(yùn)動(dòng)而形成電導(dǎo)BaTiO3瓷的半導(dǎo)化機(jī)理第十八頁(yè)，共52頁(yè)。電導(dǎo)率與施主雜質(zhì)含量的關(guān)系

I區(qū)：電子補(bǔ)償區(qū)

II區(qū)：電子與缺位混合補(bǔ)償區(qū)

III區(qū)：缺位補(bǔ)償區(qū)

IV區(qū)：雙位補(bǔ)償區(qū)BaTiO3瓷的半導(dǎo)化機(jī)理實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)：施主摻雜量不能太大，否則不能實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)化，第十九頁(yè)，共52頁(yè)。

取決于氣氛與溫度2.強(qiáng)制還原法BaTiO3瓷的半導(dǎo)化機(jī)理BaTiO3陶瓷在真空、惰性氣氛或還原氣氛中燒成時(shí)，將生成氧空位而使部分Ti4+→Ti3+，可制得ρv為102~106Ω·cm的半導(dǎo)體陶瓷。（空穴型）燒成氣氛為CO時(shí)，化學(xué)式表達(dá)半導(dǎo)化的結(jié)構(gòu)：第二十頁(yè)，共52頁(yè)。3.SiO2摻雜或Al2O3、SiO2和TiO2共同摻雜

AST（Al2O3·SiO2·TiO2）法

當(dāng)材料中含有Fe、K等受主雜質(zhì)時(shí)，不利于晶粒半導(dǎo)化。加入SiO2或AST玻璃（Al2O3·SiO2·TiO2）可以使上述有害半導(dǎo)的雜質(zhì)從晶粒進(jìn)入晶界，富集于晶界，從而有利于陶瓷的半導(dǎo)化。

AST玻璃可采用Sol-Gel法制備或以溶液形式加入。BaTiO3瓷的半導(dǎo)化機(jī)理第二十一頁(yè)，共52頁(yè)。BaTiO3陶瓷的半導(dǎo)化AST摻雜的范圍較寬，重復(fù)性也較好。含有有害的受主雜質(zhì)的(如FeCu、Zn)等BaTiO3原料引入SiO2后，在較高溫度下，SiO2可與受主雜質(zhì)形成硅酸鹽玻璃相，避免其游離存在。這就限制甚至消除了其對(duì)半導(dǎo)化的不利影響。另一方面，SiO2本身不會(huì)與BaTiO3產(chǎn)生化學(xué)作用。Al2O3的引入也對(duì)BaTiO3的半導(dǎo)化有促進(jìn)作用。當(dāng)BaTiO3中含有過(guò)量TiO2時(shí)，可與Al2O3生成Al2TiO3，（Al3++e）2+占據(jù)Ba2+位置成為施主，從而使材料半導(dǎo)化。當(dāng)添加Al2O3、SiO2和TiO2后，經(jīng)過(guò)1240-1260℃燒結(jié)，形成玻璃集結(jié)于晶界位置，不但起到半導(dǎo)化作用，還使晶粒細(xì)化。如果受主雜質(zhì)的摩爾分?jǐn)?shù)過(guò)大(大于0.1%)則無(wú)法形成半導(dǎo)化瓷。第二十二頁(yè)，共52頁(yè)。對(duì)于工業(yè)純?cè)?，由于含雜量較高，特別是含有Fe3+、Mn3+(或Mn2+)、Cu+、Cr3+、Mg2+、Al3+(K+、Na+)等離子，它們往往在燒結(jié)過(guò)程中取代BaTiO3中的Ti4+離子而成為受主，防礙BaTiO3的半導(dǎo)化。例如：4.工業(yè)純?cè)显觾r(jià)控法的不足BaTiO3瓷的半導(dǎo)化機(jī)理第二十三頁(yè)，共52頁(yè)。BaTiO3陶瓷的半導(dǎo)化(2)影響B(tài)aTiO3陶瓷半導(dǎo)化的因素①加入物和雜質(zhì)的影響施主加入物摻雜濃度對(duì)ρv有直接的影響，需要控制。BaTiO3陶瓷中電價(jià)低于2價(jià)對(duì)Ba2+進(jìn)行置換的，或者電價(jià)低于4價(jià)對(duì)Ti4+進(jìn)行置換的雜質(zhì)稱為受主雜質(zhì)。如Fe、Mn、Cr、Na和K等。其加入量必須嚴(yán)格控制，否則，將不可能實(shí)現(xiàn)陶瓷材料的半導(dǎo)化。把居里峰移至需要的溫度：如Sn4+對(duì)Ti4+的置換或者Sr2+對(duì)Ba2+置換都使BaTiO3半導(dǎo)體陶瓷的居里溫度移向低溫，而Pb2+對(duì)Ba2+的置換則使居里溫度移向高溫。第二十四頁(yè)，共52頁(yè)。第二十五頁(yè)，共52頁(yè)。BaTiO3陶瓷的半導(dǎo)化(2)影響B(tài)aTiO3陶瓷半導(dǎo)化的因素②化學(xué)計(jì)量偏離率的影響TiO2過(guò)量時(shí)，ρv隨化學(xué)計(jì)量偏離率的變化要比Ba過(guò)量時(shí)的變化平緩。TiO2稍過(guò)量時(shí)，陶瓷材料的ρv可達(dá)到最低且穩(wěn)定。BaO過(guò)量的陶瓷材料耐電強(qiáng)度較高，因此也往往采用BaO過(guò)量的配方來(lái)生產(chǎn)BaTiO3半導(dǎo)陶瓷介質(zhì)。第二十六頁(yè)，共52頁(yè)。5.2.1BaTiO3陶瓷的半導(dǎo)化③燒成條件和冷卻條件的影響還原性氣氛、缺氧氣氛、中性氣氛和惰性氣氛都有利于BaTiO3陶瓷的半導(dǎo)化。對(duì)于施主摻雜的高純BaTiO3瓷料來(lái)說(shuō)，在缺氧氣氛中燒成時(shí)，不僅可以實(shí)現(xiàn)陶瓷材料的更充分半導(dǎo)化，而且往往可以有效地拉寬促使陶瓷半導(dǎo)化的施主摻雜的濃度范圍。保溫時(shí)間延長(zhǎng)，陶瓷材料的ρv逐漸升高。第二十七頁(yè)，共52頁(yè)。第二十八頁(yè)，共52頁(yè)。2半導(dǎo)體陶瓷介質(zhì)及其電容器半導(dǎo)體陶瓷電容器按其結(jié)構(gòu)、工藝可分為三類：

(表面)阻擋層型

(表面還原－再)氧化型晶界層型。第二十九頁(yè)，共52頁(yè)。第三十頁(yè)，共52頁(yè)。2半導(dǎo)體陶瓷介質(zhì)及其電容器阻擋層型當(dāng)半導(dǎo)體表面淀積一層金屬。形成金屬-半導(dǎo)體接觸時(shí)，可根據(jù)二者功函數(shù)的大小有歐姆接觸、中性接觸和阻擋層三種接觸形式。對(duì)于N型半導(dǎo)體而言，當(dāng)金屬的功函數(shù)大于半導(dǎo)體功函數(shù)時(shí)，為阻擋層接觸。這時(shí)半導(dǎo)體中的電子進(jìn)入金屬界面，形成正電荷積累的空間電荷區(qū)(即阻擋層)，同時(shí)產(chǎn)生自建電場(chǎng)并其有表面勢(shì)壘。隨著外加偏壓極性和大小改變，空間電荷及勢(shì)壘寬度發(fā)生變化，其勢(shì)壘電容效應(yīng)構(gòu)成了阻擋層電容。通常BaTiO3半導(dǎo)瓷的電極為氧化氣氛中的燒滲銀層。如果在瓷片兩面均制作阻擋層，則可作為無(wú)極性電容器應(yīng)用于交流電路中。這是一種低電壓大容量電容器。第三十一頁(yè)，共52頁(yè)。2半導(dǎo)體陶瓷介質(zhì)及其電容器阻擋層型：利用金屬電極與半導(dǎo)體陶瓷的表面形成很薄接觸勢(shì)壘層作為介質(zhì)層；氧化層型：利用在半導(dǎo)體陶瓷的表面上通過(guò)適當(dāng)?shù)难趸纬?.01~100μm的絕緣層作為介質(zhì)層。這兩種介質(zhì)都是以半導(dǎo)體陶瓷的表面層作為介質(zhì)層的，又稱為表面層型。這樣利用了鐵電陶瓷的很高的ε，有效地減薄了介質(zhì)層厚度，是制備微小型陶瓷電容器的有效途徑。第三十二頁(yè)，共52頁(yè)。表面型半導(dǎo)體陶瓷電容器表面型電容器的顯微結(jié)構(gòu)為晶粒半導(dǎo)而表面為高阻介質(zhì)層。整個(gè)結(jié)構(gòu)相當(dāng)于電容器的串聯(lián)。由于介質(zhì)層的電阻遠(yuǎn)大于半導(dǎo)體瓷的電阻，因此兩個(gè)介質(zhì)層承擔(dān)主要的壓降，半導(dǎo)體瓷的壓降可忽略不計(jì)。CCR以BaTiO3為主表面絕緣化體內(nèi)半導(dǎo)化第三十三頁(yè)，共52頁(yè)。優(yōu)點(diǎn)：比體積電容大工藝簡(jiǎn)單，價(jià)廉缺點(diǎn)：介質(zhì)損耗偏大工作電壓偏低絕緣電阻較小電容隨溫度變化大制備工藝：1280～1350℃燒成1000～1100℃還原處理900～950℃大氣中再氧化表面型半導(dǎo)體陶瓷電容器第三十四頁(yè)，共52頁(yè)。晶界層（BL）半導(dǎo)體陶瓷電容器BL電容器是利用陶瓷中的晶界效應(yīng)。顯微結(jié)構(gòu)為晶粒半導(dǎo)而晶界為高阻絕緣層(0.5～2μm)。整個(gè)結(jié)構(gòu)相當(dāng)于許多電容器的串聯(lián)和并聯(lián)。使整個(gè)晶界層陶瓷的ε非常高。GBCGCBRGRBSrTiO3為主GB2半導(dǎo)體陶瓷介質(zhì)及其電容器第三十五頁(yè)，共52頁(yè)。晶界電阻RB＞＞晶粒電阻RG時(shí)，可用串聯(lián)模型設(shè)比容為C（單位面積的容量）又設(shè)為晶界厚度為原材料（BaTiO3）的介電系數(shù)，又設(shè)晶粒直徑為d，材料總厚度D一般，則晶界層電容器的視在（表現(xiàn)）介電系數(shù)第三十六頁(yè)，共52頁(yè)。

將代入得設(shè)l=1μ，d=50μm，εb=1000（一般為2000～3000）得ε0=50000，可見(jiàn)晶界層電容器視在系數(shù)很大。

第三十七頁(yè)，共52頁(yè)。BL電容器的制備工藝：

與普通陶瓷電容器大致相同，差別僅在于晶界絕緣化工藝。首先在BaTiO3或（Ba，Sr）TiO3中進(jìn)行半導(dǎo)摻雜（Nb、Y、La、Dy），第一次燒結(jié)使其形成n型半導(dǎo)晶粒（n）。然后在瓷表面涂上高溫下形成玻璃相的氧化物（Pb、Mn、Cu、Bi、B的氧化物），進(jìn)行第二次燒結(jié)，涂覆的氧化物沿開(kāi)口氣孔和晶界迅速擴(kuò)散滲透到陶瓷內(nèi)部，此時(shí)液相擴(kuò)散進(jìn)入晶界，形成絕緣層（i），構(gòu)成nin結(jié)構(gòu)。晶界上形成薄薄的ρv可達(dá)1012～1013Ω·cm固溶體絕緣層，盡管陶瓷的晶粒內(nèi)部仍為半導(dǎo)體，但是整個(gè)陶瓷體表現(xiàn)為ε高達(dá)(2～8)×104，甚至更高的絕緣體介質(zhì)。第三十八頁(yè)，共52頁(yè)。

也可以在第二次氧化燒結(jié)時(shí)，在晶界形成化學(xué)的氧吸附及金屬空位（鍶空位），從晶界向晶粒表面擴(kuò)散，在晶粒表層形成高空位濃度的受主態(tài)或界面補(bǔ)償態(tài)。i：絕緣晶界層c：晶粒表面抵消層n：半導(dǎo)化晶粒BL電容器能帶圖第三十九頁(yè)，共52頁(yè)。2半導(dǎo)體陶瓷介質(zhì)及其電容器晶界層型應(yīng)用ε很高、抗潮性良好、可靠性高。與普通陶瓷電容器比較其ε隨溫度的變化較平緩、工作電場(chǎng)強(qiáng)度較高，是一種比較適宜的寬帶(約1GHz)旁路電容器。晶界層型制備工藝流程第四十頁(yè)，共52頁(yè)。第四十一頁(yè)，共52頁(yè)。第四十二頁(yè)，共52頁(yè)。施主摻雜劑消除受主雜質(zhì)對(duì)半導(dǎo)化毒害和促進(jìn)陶瓷材料半導(dǎo)化。第四十三頁(yè)，共52頁(yè)。用途彩電、激光器、雷達(dá)、電子顯微鏡、X光機(jī)及各種測(cè)試儀器的倍壓電源電路、交流電斷路器等中高壓電器線路，軍事天線的發(fā)射及接收設(shè)備。額定直流工作電壓：常規(guī)MLCC：50~200V高壓MLCC：0.5~20kV反鐵電陶瓷制造的儲(chǔ)能電容器具有儲(chǔ)能密度高和儲(chǔ)能釋放充分的突出特點(diǎn)。反鐵電陶瓷還可用來(lái)制作高壓電容器、高介電容器、陶瓷電阻等。3反鐵電介質(zhì)陶瓷（PbZrO3）第四十四頁(yè)，共52頁(yè)。領(lǐng)域用途具體設(shè)備和系統(tǒng)送電、配電、供電系統(tǒng)電壓分擔(dān)遮斷器，避雷器零相檢測(cè)相負(fù)載控制，漏電檢查載波耦合自動(dòng)檢測(cè)，負(fù)載集中控制高壓電源倍壓整流電路復(fù)印機(jī)電源，大型照明電源脈沖電壓發(fā)生電路激光電源，大型電磁開(kāi)關(guān)電源高頻感應(yīng)電路熱處理爐，冶煉熔爐視頻設(shè)備電容量補(bǔ)償視頻設(shè)備的陰極射線管中高壓陶瓷電容器用途第四十五頁(yè)，共52頁(yè)。分類及特點(diǎn)：

BaTiO3：鐵電體，介電常數(shù)大，但介電損耗較大，介電常數(shù)隨電壓變化大。

SrTiO3：常溫下順電體，介電常數(shù)隨電壓變化小，介質(zhì)損耗低，抗電強(qiáng)度高。但介電常數(shù)僅為250左右。純SrTiO3、BaTiO3難以滿足要求，必須進(jìn)行摻雜改性。SrTiO3作為中高壓電容器介質(zhì)優(yōu)于BaTiO3。反鐵電體PLZT：介電常數(shù)與鐵電陶瓷相近，耐壓較好，適于作中高壓電容器介質(zhì)材料。3反鐵電介質(zhì)陶瓷（PbZrO3）中高壓陶瓷電容器第四十六頁(yè)，共52頁(yè)。ST的電滯回線Tc=-250℃，常溫：順電體Tc=120℃，常溫：鐵電體BT的電滯回線PLZT的電滯回線反鐵電體PE3反鐵電介質(zhì)陶瓷（PbZrO3）第四十七頁(yè)，共52頁(yè)。反鐵電體與鐵電體不同之處在于：當(dāng)外加作用電場(chǎng)強(qiáng)度降至零時(shí)。反鐵電體沒(méi)有