光電測試技術(shù)復習資料

PPT中簡答題匯總答：價帶：原子中最外層電子稱為價電子，與價電子能級相對應的能帶稱為價帶；E(valence)V導帶：價帶以上能量最低的允許帶稱為導帶；E(conduction)C禁帶：導帶與價帶之間的能量間隔稱為禁帶。Eg(gap)E(donor)DE（acceptor）A半導體對光的吸收主要表現(xiàn)為本征吸收。子與空穴，這種吸收過程叫本征吸收。產(chǎn)生本征吸收的條件：入射光子的能量（h）要大于等于材料的禁帶寬度Eν g用。擴散長度：表示非平衡載流子復合前在半導體中擴散的平均深度。擴散系數(shù)D（表示擴散的難易）與遷移率μ（表示遷移的快慢）的愛因斯坦關(guān)系式：D=(kT/q)μ kT/q漂移主要是多子的貢獻，擴散主要是少子的貢獻。p-n結(jié)光伏效應原理。當P-N結(jié)受光照時，多子區(qū)的電子）被勢壘擋住而不能過結(jié)，只有少子（P區(qū)的電子和N區(qū)的空穴和結(jié)區(qū)的電子空穴對）,這導致在NP場，其方向由P區(qū)指向N區(qū)。熱釋電效應應怎樣解釋？熱釋電探測器為什么只能探測調(diào)制輻射？在某些絕緣物質(zhì)中，由于溫度的變化引起極化狀態(tài)改變的現(xiàn)象稱為熱釋電效應。因為在恒定光輻射作用下探測器的輸出信號電壓為零輻射不會有響應。簡述紅外變象管和象增強器的基本工作原理。電子流使熒光面發(fā)光。電場作用下投射到熒光屏上。簡述光導型攝像管的基本結(jié)構(gòu)和工作過程基本結(jié)構(gòu)包括兩大部分：光電靶和電子槍。掃描，將電學圖象轉(zhuǎn)換成僅隨時間變化的電信號（視頻信號）傳送出去。CCD攝像器件的基本結(jié)構(gòu)和工作過程?；窘Y(jié)構(gòu)：光電二極管陣列，CCD移位存儲器，輸出機構(gòu)。CCD移位寄存器，通過輸出機構(gòu)串行地轉(zhuǎn)移出去。敘述半導體激光器和發(fā)光二極管的發(fā)光原理半導體激光器發(fā)光原理：PN結(jié)正偏時結(jié)區(qū)發(fā)生粒子數(shù)反轉(zhuǎn)，導帶中的電子產(chǎn)生自發(fā)輻射和受激輻射，在諧振腔中形成了光振蕩，從諧振腔兩端發(fā)射出激光。P區(qū)注入到N區(qū)的空穴和由N區(qū)注入到PPN結(jié)附近分別與N區(qū)的電子和P敘述電光調(diào)制器克爾盒的工作原理改變其振動方向，在檢偏器光軸方向上產(chǎn)生光振動的分量。試述聲光偏轉(zhuǎn)器的工作原理。變化，因超聲波與光的相互作用產(chǎn)生的聲光效應，就是聲光偏轉(zhuǎn)器的工作原理。PPT中計算題匯總（波長發(fā)出激光的功率為，計算出300K1015/cm3硼原子的硅片中電子和空穴的濃度及費米能級，畫出其（當K時，nV。i（k：波耳茲曼常數(shù)，1.38×10-23J/K，1C約相當于6.25×10^18個電子的電量。）為P型半導體，則空穴濃度為p=Na=1015/cm3電子濃度為n=n2/Na=2.25x105/cm3iN費米能級為E E kTfp i

na=Ei-0.29evi3.（a）求在300K時，本征硅的電導率；108（5x1022個/cm3，遷移率μ=1350cm2/(V·s),μ=480cm2/(V·s)）n p基本電荷e＝1.6×10^-19庫侖.具有1級倍增極的光電倍增管均勻分壓V，0.1lx2cm24，光電子的收集率為(b)設(shè)計前置放大電路，使輸出的信號電壓為200mV，求放大器的有關(guān)參數(shù)，并畫出原理圖kathode(陰極),anticathode（陽極）有一光電倍增管的光電陰極面積為105，陽極額定電流為200μA，求允許的最大光照RRL=2KΩ的負載電阻串聯(lián)后接于Vb=12V輸出電壓為V1有光照時負載上的輸出電壓為V2=2V。求光敏電阻的暗電阻和亮（2）若光敏電阻的光電導靈敏度Sg=6x10-6s/lx,求光敏電阻所受的照度？已知光敏電阻的暗電阻R=10MΩ,100lx時亮電阻R=5kΩ，用此光敏電阻控制D繼電器，其原理電路如圖所示，如果繼電器的線圈電阻為4kΩ，繼電器的吸合電流為2mA,問需要多少照度時才能使繼電器吸合？如果需要在400lx如何改進？下圖是用硒光電池制作照度計的原理圖，已知硒光電池在100lx照度下，最佳功率輸出時的V =0.3V,I=1.5mA,如果選用100uA表頭作照度指標表頭內(nèi)阻為1kΩ指針滿刻度值為m m100lx，試計算電阻R和R值。1 2下圖為一理想運算放大器，對光電二極管2CU2受光照時，運放輸出電壓V0=0.6V。在E=100lx的光照下，輸出電壓V1=2.4V。求2的電流靈敏度。已知一熱釋電探測器的z（取△，能否決定其光敏面面積？CCDN=1024的電荷輸出，求電荷轉(zhuǎn)移損失率=2CU12CU10.2uA,3DG6C的β=50400uW時的拐點電壓求