Ramtron推出FM14C88 F-RAM并口儲(chǔ)存器

第第頁Ramtron推出FM14C88F-RAM并口儲(chǔ)存器RamtronInternationalCorporation推出并口F-RAM存儲(chǔ)器FM14C88，適合RAID(磁碟陣列)存儲(chǔ)服務(wù)器及主機(jī)總線適配卡(HBAcard)等應(yīng)用。

與nvSRAM相比，F(xiàn)M14C88的讀寫速度更快,工作電壓更低。FM14C88的容量為256Kb、工作電壓為2.0至3.6V，采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)300mil寬度的32腳SOIC封裝，具有高速訪問、無延遲(NoDelay?)寫入、幾乎無限的讀寫次數(shù)及低功耗等特點(diǎn)，是取代BBSRAM(電池供電的SRAM)或非易失性SRAM(nvSRAM)等存儲(chǔ)器的理想方案。

Ramtron市場拓展經(jīng)理李鴻鈞稱：“FM14C88的引腳和功能與CY14B256L和STK14C88-3等nvSRAM兼容，具有實(shí)時(shí)非易失性寫入和快速上電運(yùn)作等優(yōu)勢(shì)，不像nvSRAM需要大電容或BBSRAM需要電池來支持?jǐn)嚯姇r(shí)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。對(duì)比BBSRAM和nvSRAM等方案,FM14C88更能節(jié)省成本和基板空間，簡化生產(chǎn)，提高產(chǎn)品的可靠性。”

關(guān)于FM14C88

FM14C88是配置為32Kx8的標(biāo)準(zhǔn)并口非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(F-RAM)，讀寫操作與標(biāo)準(zhǔn)SRAM相似，能夠在斷電后保存數(shù)據(jù)，并提供超過635年(55℃)的數(shù)據(jù)保存能力，消除BBSRAM(電池供電的SRAM)或非易失性SRAM(nvSRAM)方案中電池，電容的不可靠性、高成本和設(shè)計(jì)復(fù)雜性等問題。F-RAM具有寫入速度快，幾乎無限的讀寫次數(shù)(寫入次數(shù)大約為1014次)等特點(diǎn)，使其成為RAID存儲(chǔ)服務(wù)器及工業(yè)自動(dòng)化等應(yīng)用的理想選擇。

FM14C88在系統(tǒng)內(nèi)的工作方式與其它SRAM器件類似，可以用作標(biāo)準(zhǔn)SRAM的兼容替代器件。只需開啟芯片的使能引腳或改變地址，就可進(jìn)行讀寫操作。由于F-RAM存儲(chǔ)器采用獨(dú)特的鐵電存儲(chǔ)器工藝，具有非易失性的特點(diǎn)，所以非常適合需要頻繁或快速寫入數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)應(yīng)用。FM14C88可在整個(gè)工業(yè)環(huán)境溫度范圍(-40°C至+85°C)工作。

FM14C88F-RAM器件的特性包括：

·無延遲(NoDelay?)寫入

·頁面模式工作頻率高達(dá)33MHz

·無需大型存儲(chǔ)電容器，不存在與電容相關(guān)的品質(zhì)和成本問題

·即時(shí)進(jìn)行非易失性寫入操作

·上電恢復(fù)時(shí)間為250ms，比nvSRAM快100倍

·引腳和功能與CY14B256L和STK14C88-3兼容

·60ns存取時(shí)間，90ns讀寫周期時(shí)間

·電源電壓2.0V–3.6V

·90mA待機(jī)電流(典型值)

·7mA工作電流(典型值)

·32腳“綠色”/RoHSSOI