斯托克斯位移是指熒光光譜較相應(yīng)的吸收光譜紅移

斯托克斯位移是指熒光光譜較相應(yīng)的吸收光譜紅移，熒光光譜較相應(yīng)的吸收光譜紅移，這被稱為斯托克位移(Stokesshift)。枷MR48 48雙加祐炒|hhl|斯托克斯位移固體吸收光子(吸收)的能量將大于輻射光子(發(fā)光)，因此發(fā)光光譜與吸收光譜相比，將向能量較低的方向偏移(紅移)，兩個(gè)光子能量的差值稱為斯托克斯譜位移。能量的差值主要是由于晶體中熱質(zhì)子的損耗，在該過程相反過程中使得晶體得到冷卻.熒光光譜發(fā)生向短波方向的位移被稱為反斯托克位移(Anti-Stoke’sshift)。摻雜了硫氧化釓的硫氧化釔是常用的工業(yè)反斯托克斯染料，它在近紅外范圍有吸收峰而激發(fā)峰在可視光譜的范圍內(nèi)。上轉(zhuǎn)換發(fā)光對(duì)于上轉(zhuǎn)換發(fā)光(Upconversionemission)而言，它是指處于固體晶格中的稀土離子吸收兩個(gè)或者兩個(gè)以上的低頻率的光子，然后在釋放出一個(gè)高頻率光子的過程。其中吸收的單個(gè)光子的能力要比釋放出來的單個(gè)光子的能量低燒結(jié)工藝1工藝流程圖如下：配料--混合磨細(xì)--預(yù)燒--二次磨細(xì)--造粒--成型--排塑--燒結(jié)成瓷--外形加工--被電極--高壓極化--老化測(cè)試。一、 配料：進(jìn)行料前處理，除雜去潮，然后按配方比例稱量各種原材料，注意少量的添加劑要放在大料的中間。二、 混合磨細(xì)：目的是將各種原料混勻磨細(xì)，為預(yù)燒進(jìn)行完全的固相反應(yīng)準(zhǔn)備條件一般采取干磨或濕磨的方法。小批量可采取干磨，大批量可采取攪拌球磨或氣流粉碎的方法，效率較高。三、 預(yù)燒：目的是在高溫下，各原料進(jìn)行固相反應(yīng)，合成壓電陶瓷此道工序很重要。會(huì)直接影響燒結(jié)條件及最終產(chǎn)品的性能。四、 二次細(xì)磨：目的是將預(yù)燒過的壓電陶瓷粉末再細(xì)振混勻磨細(xì)，為成瓷均勻性能一致打好基礎(chǔ)。五、 造粒：目的是使粉料形成高密度的流動(dòng)性好的顆粒。方法可以手工進(jìn)行但效率較低，高效的方法是采用噴霧造粒。此過程要加入粘合劑。六、 成型：目的是將制好粒的料壓結(jié)成所要求的預(yù)制尺寸的毛坯。七、 排塑：目的是將制粒時(shí)加入的粘合劑從毛坯中除掉。八、 燒結(jié)成瓷：將毛坯在高溫下密封燒結(jié)成瓷。此環(huán)節(jié)相當(dāng)重要。九、 外形加工：將燒好的制品磨加工到所需要的成品尺寸。十、被電極：在要求的陶瓷表面設(shè)置上導(dǎo)電電極。一般方法有銀層燒滲、化學(xué)沉積和真空鍍膜。十一、高壓極化：使陶瓷內(nèi)部電疇定向排列，從而使陶瓷具有壓電性能。十二、老化測(cè)試：陶瓷性能穩(wěn)定后檢測(cè)各項(xiàng)指標(biāo)，看是否達(dá)到了預(yù)期的性能要求。壓電陶瓷的制造特點(diǎn)是在直流電場(chǎng)下對(duì)鐵電陶瓷進(jìn)行極化處理，使之具有壓電效應(yīng)。一般極化電場(chǎng)為3?5kV/mm，溫度100?150°C，時(shí)間5?20min。這三者是影響極化效果的主要因素。性能較好的壓電陶瓷，如鋯鈦酸鉛系陶瓷，其機(jī)電偶合系數(shù)可高達(dá)0.313?0.694。居里溫度theCurietemperature居里點(diǎn)也稱居里溫度或磁性轉(zhuǎn)變點(diǎn)，是指材料可以在鐵磁體和順磁體之間改變的溫度，即鐵磁體從鐵磁相轉(zhuǎn)變成順磁相的相變溫度。也可以說是發(fā)生二級(jí)相變的轉(zhuǎn)變溫度。低于居里點(diǎn)溫度時(shí)該物質(zhì)成為鐵磁體，此時(shí)和材料有關(guān)的磁場(chǎng)很難改變。當(dāng)溫度高于居里點(diǎn)溫度時(shí)，該物質(zhì)成為順磁體，磁體的磁場(chǎng)很容易隨周圍磁場(chǎng)的改變而改變。這時(shí)的磁敏感度約為10的負(fù)6次方。退火是一種金屬熱處理工藝，指的是將金屬緩慢加熱到一定溫度，保持足夠時(shí)間，然后以適宜速度冷卻。目的是降低硬度，改善切削加工性；消除殘余應(yīng)力，穩(wěn)定尺寸，減少變形與裂紋傾向；細(xì)化晶粒，調(diào)整組織，消除組織缺陷。準(zhǔn)確的說，退火是一種對(duì)材料的熱處理工藝，包括金屬材料、非金屬材料。而且新材料的退火目的也與傳統(tǒng)金屬退火存在異同。XRD即X-raydiffraction的縮寫，X射線衍射，通過對(duì)材料進(jìn)行X射線衍射，分析其衍射圖譜，獲得材料的成分、材料內(nèi)部原子或分子的結(jié)構(gòu)或形態(tài)等信息的研究手段旋轉(zhuǎn)涂布；將要涂布的稀溶液放在平面底板上，裝有底板的旋轉(zhuǎn)機(jī)開始由慢到快旋轉(zhuǎn)，用離心力將底板上的溶液涂布成厚度從微米到納米的薄膜。這樣的工藝過程，稱為旋轉(zhuǎn)涂布。它是微電子學(xué)工業(yè)用來生產(chǎn)光刻和光致抗蝕薄膜的最常用方法。旋轉(zhuǎn)涂布：將要涂布的稀溶液放在平面底板上，放有底板的旋轉(zhuǎn)機(jī)開始由慢到快旋轉(zhuǎn)，由于離心力將底板上的稀溶液涂布成薄膜；這樣的工藝過程，稱為旋轉(zhuǎn)涂布。用旋轉(zhuǎn)涂布出來的薄膜厚度，可以達(dá)到從微米致納米范圍。這是在平面底板上制造薄和均勻聚合物薄膜和微電子學(xué)工業(yè)生產(chǎn)薄膜的通用方法。如以溶膠-凝膠為前體的氧化層微細(xì)加工；廣泛用來涂布光刻和光致抗蝕薄膜等。壓電性所謂壓電性就是能實(shí)現(xiàn)機(jī)械能與電能相互轉(zhuǎn)化的性能，包括正壓電性和逆壓電性。對(duì)壓電材料沿著極化方向施加壓力或拉力（使材料產(chǎn)生這一方向上的形變）時(shí)，會(huì)有電流產(chǎn)生，施加力的方向不同，電流方向不同；反之，在極化方向施加電壓時(shí)，會(huì)產(chǎn)生這一方向上的形變，電壓方向不同，產(chǎn)生的形變也不同（伸長或收縮）MPR即準(zhǔn)同型相界：由于成分不同，在溫度-成分相圖上，隨著成分的改變,相也會(huì)發(fā)生改變，那么分離兩種相的邊界就稱為準(zhǔn)同型相界。通常在這個(gè)成分下是兩相共存的。例如最常見的PZT壓電陶瓷：在相圖上我們很容易看到在室溫下，在富鋯區(qū)標(biāo)記為R相，也就是三方相；而在富鈦區(qū)標(biāo)記為T相，也就是四方相；那么R相和T相必將有一個(gè)相界線，這個(gè)相界線就是準(zhǔn)同型相界，它對(duì)應(yīng)的成分是Zr:Ti=52:48.現(xiàn)在普遍認(rèn)為在準(zhǔn)同型相界處，壓電系數(shù)最大。鐵電體的極化隨著電場(chǎng)的變化而變化，極化強(qiáng)度與外加電場(chǎng)之間呈非線性關(guān)系。如圖所示，在電場(chǎng)很弱時(shí)，極化線性地依賴于電場(chǎng)，此時(shí)可逆的疇壁移動(dòng)占主導(dǎo)地位。當(dāng)電場(chǎng)增強(qiáng)時(shí)，新疇成核，疇壁運(yùn)動(dòng)成為不可逆的，極化隨電場(chǎng)地增加比線性快。當(dāng)電場(chǎng)達(dá)到相應(yīng)于B點(diǎn)的值時(shí)，晶體成為單疇，極化趨于飽和。電場(chǎng)進(jìn)一步增強(qiáng)時(shí)，由于感應(yīng)極化的增加，總極化仍然有所增加（BC段）。如果趨于飽和后電場(chǎng)減小，極化將按CBD曲線減少，以致當(dāng)電場(chǎng)達(dá)到零時(shí)，晶體仍保留在宏觀極化狀態(tài)。線段OD表示的極化稱為剩余極化Pr（remanentpolarization）。若過C點(diǎn)沿著CB做一切線交y軸為E，則線段OE等于自發(fā)極化Ps（saturationpolarization）。若電場(chǎng)反向，極化將隨之降低并改變方向，直到電場(chǎng)等于某一值時(shí)，極化又將趨于飽和。這一過程如曲線DFG所示。OF代表的是使極化為零的電場(chǎng)，稱為矯頑場(chǎng)Ec(coercivefield)。鐵電體的極化隨著電場(chǎng)的變化而變化，極化強(qiáng)度與外加電場(chǎng)之間呈非線性關(guān)系。如圖所示，在電場(chǎng)很弱時(shí)，極化線性地依賴于電場(chǎng)，此時(shí)可逆的疇壁移動(dòng)占主導(dǎo)地位。當(dāng)電場(chǎng)增強(qiáng)時(shí)，新疇成核，疇壁運(yùn)動(dòng)成為不可逆的，極化隨電場(chǎng)地增加比線性快。當(dāng)電場(chǎng)達(dá)到相應(yīng)于B點(diǎn)的值時(shí)，晶體成為單疇，極化趨于飽和。電場(chǎng)進(jìn)一步增強(qiáng)時(shí)，由于感應(yīng)極化的增加，總極化仍然有所增加(BC段)。如果趨于飽和后電場(chǎng)減小，極化將按CBD曲線減少，以致當(dāng)電場(chǎng)達(dá)到零時(shí)，晶體仍保留在宏觀極化狀態(tài)。線段OD表示的極化稱為剩余極化Pr(remanentpolarization)。