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文檔簡介

第四章發(fā)光與耦合器件詳解演示文稿目前一頁\總數(shù)四十二頁\編于十八點(diǎn)優(yōu)選第四章發(fā)光與耦合器件目前二頁\總數(shù)四十二頁\編于十八點(diǎn)3、制作材料(1)直接帶(直接躍遷)材料:GaAs、GaN、ZnSe等。(2)間接帶(間接躍遷)材料:GaP(3)混晶:GaAs1-xPx,禁帶寬,摻雜不同材料,可發(fā)出不同顏色的光。4、特點(diǎn)體積小,耐沖擊,壽命長,功耗低,響應(yīng)快,可靠性高,顏色鮮明&易與集成電路匹配等。目前三頁\總數(shù)四十二頁\編于十八點(diǎn)二、特性參數(shù)(一)效率(1)用于非顯示功率效率:輸入的電功率轉(zhuǎn)換成輻射的功率的效率。光學(xué)效率:外量子效率與內(nèi)量子效率的比。目前四頁\總數(shù)四十二頁\編于十八點(diǎn)量子效率:注入載流子復(fù)合而產(chǎn)生的光量子效率,可分為內(nèi)量子效率&外量子效率。內(nèi)量子效率:輻射復(fù)合所產(chǎn)生的光子數(shù)與激發(fā)時(shí)注入的電子空穴對(duì)數(shù)之比。外量子效率:射出光子數(shù)與注入電子空穴對(duì)數(shù)之比。(2)用于顯示照明效率:輻射功率轉(zhuǎn)換成光通量的效率。流明效率:消耗單位功率所得到的光通量。目前五頁\總數(shù)四十二頁\編于十八點(diǎn)(2)發(fā)光光譜(發(fā)光的相對(duì)強(qiáng)度隨波長變化的分布曲線,它直接決定發(fā)光二極管的發(fā)光顏色,并影響其流明效率)相對(duì)強(qiáng)度波長GaAs0.6P0.4GaP描述光譜分布的兩個(gè)主要參量是峰值波長和半強(qiáng)度寬度。發(fā)光二極管的峰值波長是由材料的禁帶寬度決定的。當(dāng)GaAs1-xPx的x值不同時(shí),峰值波長在620~680nm之間變化,譜線半寬度大約為20~30nm,GaP發(fā)紅光的峰值波長在700nm附近,半寬度大約為100nm。目前六頁\總數(shù)四十二頁\編于十八點(diǎn)(三)出光特性(Flash演示)(四)伏安特性電壓電流復(fù)合因子目前七頁\總數(shù)四十二頁\編于十八點(diǎn)(五)發(fā)光亮度與電流的關(guān)系GaP(紅色)GaP(綠色)GaAs1-xPxGa1-xAlxAs光強(qiáng)電流強(qiáng)度目前八頁\總數(shù)四十二頁\編于十八點(diǎn)(六)壽命發(fā)光二極管的亮度降低到原有亮度一半時(shí)所經(jīng)歷的時(shí)間。一般可達(dá)十萬個(gè)小時(shí)。隨著工作時(shí)間的加長,亮度下降的現(xiàn)象叫老化。它與工作電流密度有關(guān),隨著電流密度的加大,老化變快,壽命變短。(七)響應(yīng)時(shí)間標(biāo)志器件對(duì)信息反應(yīng)速度的物理量。即指器件啟亮與熄滅時(shí)間的延遲。發(fā)光二極管的響應(yīng)時(shí)間一般很短。目前九頁\總數(shù)四十二頁\編于十八點(diǎn)三、應(yīng)用1、數(shù)字、文字以及圖像顯示七段式數(shù)碼管文字顯示器的內(nèi)部接線14劃字碼管目前十頁\總數(shù)四十二頁\編于十八點(diǎn)2、指示、照明單個(gè)發(fā)光二極管可在儀器指示燈,示波器標(biāo)尺,收音機(jī)刻度及鐘表中的文字照明等。目前已有雙色、多色甚至變色的單個(gè)發(fā)光二極管。3、光源多用于光纖通信與光纖傳感器中。4、光電開關(guān)、報(bào)警、遙控&耦合目前十一頁\總數(shù)四十二頁\編于十八點(diǎn)四、國外幾種半導(dǎo)體發(fā)光二極管的主要參數(shù)類型出光面尺寸(um)發(fā)射波長(nm)光譜寬度(nm)截止頻率(MHz)光纖芯徑(um)數(shù)值孔徑耦合方式進(jìn)纖功率(uw)“平底碗”型正面出光500.9040~25500.66直接耦合1700無波導(dǎo)型側(cè)面出光()0.05*650.8230~100900.14直接耦合800集成化透鏡型正面出光401.27100501000.25球端光纖耦合310目前十二頁\總數(shù)四十二頁\編于十八點(diǎn)第二節(jié)激光器一、激光的產(chǎn)生(一)受激輻射1、自發(fā)輻射(Flash演示)2、受激吸收(Flash演示)3、受激輻射(Flash演示)目前十三頁\總數(shù)四十二頁\編于十八點(diǎn)(二)粒子數(shù)反轉(zhuǎn)在激光物質(zhì)中,外來的光子可以引起受激輻射,也可能被受激吸收,而產(chǎn)生激光的必要條件之一就是受激輻射要占主導(dǎo)地位,此時(shí)就必須從外部給工作物質(zhì)輸入能量,使處于激發(fā)態(tài)的載流子多于處于基態(tài)的載流子,也就是把載流子的正常分布倒轉(zhuǎn)過來,稱之為粒子數(shù)反轉(zhuǎn)。方法:固體激光器:光譜適當(dāng)?shù)貜?qiáng)光燈;氣體激光器:氣體電離;半導(dǎo)體激光器:注入載流子。目前十四頁\總數(shù)四十二頁\編于十八點(diǎn)(三)共振腔(增益超過損耗,產(chǎn)生激光振蕩)(Flash演示)1、產(chǎn)生穩(wěn)定振蕩的條件:腔長恰好等于輻射光半波長的整數(shù)倍。反射面反射面Lm=1m=2目前十五頁\總數(shù)四十二頁\編于十八點(diǎn)2、縱模頻率(共振頻率)共振腔內(nèi)沿腔軸方向形成的各種可能的駐波叫做共振腔的縱模。其頻率稱作縱模頻率:(四)產(chǎn)生激光的三個(gè)必要條件需要泵源將處于較低能態(tài)的電子激發(fā)或泵浦到較高能態(tài)上;實(shí)現(xiàn)粒子數(shù)反轉(zhuǎn),使受激輻射足以克服損耗;要有一個(gè)共振腔提供正反饋及增益,用以維持受激輻射的持續(xù)振蕩。目前十六頁\總數(shù)四十二頁\編于十八點(diǎn)二、激光器的類型固體激光器:一般采用光激勵(lì),功率大,但效率低,多模輸出,光的相干性較差,常用于工業(yè)加工,如打孔,焊接等;氣體激光器:一般采用電激發(fā),效率高,壽命長,單模輸出,光的相干性較高,常用于精密測(cè)量,全息照相等;液體激光器:可調(diào)諧,用在光譜學(xué)中;半導(dǎo)體激光器:小巧,耐用,簡單,常用于光通信,光信息存儲(chǔ)等。目前十七頁\總數(shù)四十二頁\編于十八點(diǎn)三、氣體激光器1、一般結(jié)構(gòu)KM2M1AT(套管)G(毛細(xì)管)兩個(gè)反射鏡緊貼在放電管的兩端,稱為內(nèi)腔式。輸出不穩(wěn)定,受溫度影響大,但無需調(diào)整。目前十八頁\總數(shù)四十二頁\編于十八點(diǎn)AD(放電管)B(布儒斯特窗)兩個(gè)反射鏡與放電管完全分開裝架,稱為外腔式。輸出線偏振光,受溫度影響小,但需經(jīng)常調(diào)整,技術(shù)復(fù)雜,使用不便。K目前十九頁\總數(shù)四十二頁\編于十八點(diǎn)GTKABM1M2一個(gè)緊貼放電管的一端,另一個(gè)與放電管分開裝架,稱為半外腔式。集中了上兩種方式的優(yōu)點(diǎn)。目前二十頁\總數(shù)四十二頁\編于十八點(diǎn)2、氦氖激光器發(fā)出3種波長的譜線:0.6328um(桔紅色),1.15um,3.39um;工作物質(zhì)為氦氖混合氣;優(yōu)點(diǎn):單色性好,譜線寬度只有10-17m,相干長度達(dá)幾十公里;方向性強(qiáng),光束發(fā)散角很?。唤Y(jié)構(gòu)簡單,穩(wěn)定性好,性價(jià)比高。目前二十一頁\總數(shù)四十二頁\編于十八點(diǎn)四、固體激光器1、一般結(jié)構(gòu)XL激光棒L放在螺旋狀燈X的里面,棒的端面鍍有反射膜。目前二十二頁\總數(shù)四十二頁\編于十八點(diǎn)M1M2L激光棒放在橢圓柱面鏡的一條焦線上,作光泵用的氙燈放在另一條焦線上,兩反射鏡與激光棒分離。目前二十三頁\總數(shù)四十二頁\編于十八點(diǎn)2、紅寶石激光器工作物質(zhì)為摻有Cr2O3的人造寶石單晶;輻射波長為694.3nm的激光;特點(diǎn):較高的泵浦能量閾值;峰值功率可達(dá)10~50mw,脈寬為10~20ns;三能級(jí)系統(tǒng)目前二十四頁\總數(shù)四十二頁\編于十八點(diǎn)五、半導(dǎo)體激光器1、PN結(jié)型半導(dǎo)體激光器的一般結(jié)構(gòu)法布里-泊羅共振腔:將工作物質(zhì)制成PN結(jié)并切成長方塊,為實(shí)現(xiàn)分布反轉(zhuǎn),結(jié)區(qū)的兩側(cè)都要求是重?fù)诫s半導(dǎo)體材料,使費(fèi)米能級(jí)分別進(jìn)入導(dǎo)帶及價(jià)帶內(nèi)。由一對(duì)相互平行的解理面或拋物面構(gòu)成,并與結(jié)平面垂直,這對(duì)平面構(gòu)成了端部反射器。其余的前后兩面是粗糙的,用來消除主要方向以外的激光作用。這種結(jié)構(gòu)叫法布里-泊羅共振腔。2、PN結(jié)型半導(dǎo)體激光器的工作原理目前二十五頁\總數(shù)四十二頁\編于十八點(diǎn)3、主要特性(1)激光閾值條件及影響閾值得因素光輸出電流受激輻射自發(fā)輻射Ith剛好抵償吸收與損耗的光子產(chǎn)生率叫閾值。閾值電流:達(dá)到閾值增益時(shí)注入的電流密度。PN結(jié)型LD室溫下閾值電流很高,且不能實(shí)現(xiàn)室溫下連續(xù)振蕩。目前二十六頁\總數(shù)四十二頁\編于十八點(diǎn)閾值電流閾值電流++++++++++296k195k77k4.2V1/L影響因素:共振腔長度大,閾值電流小;溫度大,閾值電流大;單軸向壓力大,閾值電流?。煌饧哟艌?chǎng)強(qiáng)度大,閾值電流小。目前二十七頁\總數(shù)四十二頁\編于十八點(diǎn)(2)頻譜分布光強(qiáng)度波長100mA82mA10mA123低于閾值時(shí),自發(fā)輻射,非相干光,譜線寬,如1;高于閾值時(shí),發(fā)生共振,譜線變窄,對(duì)應(yīng)峰值波長的頻率為共振頻率(駐波頻率)如圖2,3。目前二十八頁\總數(shù)四十二頁\編于十八點(diǎn)相對(duì)強(qiáng)度波長電流超過閾值時(shí)碲化鉛二極管的激光發(fā)射光譜光強(qiáng)度波長59K20K2K磷化銦激光二極管頻譜分布與溫度的關(guān)系目前二十九頁\總數(shù)四十二頁\編于十八點(diǎn)4、異質(zhì)結(jié)激光器(1)單異質(zhì)結(jié)激光器在GaAs的PN結(jié)上,用分子束外延和液相外延法得到GaAs-AlxGa1-xAs異質(zhì)結(jié)。由于GaAs&AlxGa1-xAs禁帶寬度不同,因而在界面出形成了較高勢(shì)壘,使從N-GaAs注入到P-GaAs中的電子在繼續(xù)向P-AlxGa1-xAs擴(kuò)散時(shí)受到阻礙,同沒有這種勢(shì)壘存在時(shí)比較,P-GaAs層內(nèi)的電子濃度增加,輻射復(fù)合的幾率也提高了。再者,P型鋁鎵砷對(duì)來自P型GaAs的發(fā)光吸收系數(shù)小,損耗也較小。由于鋁鎵砷的折射率較砷化鎵低,因而限制了管座進(jìn)入鋁鎵砷區(qū),使光受到反射面局限在P-GaAs區(qū)內(nèi),從而少了周圍非受激區(qū)對(duì)光的吸收。由于電子&光子在異質(zhì)結(jié)面上都受到了限制,減小了損耗,因而降低了閾值。其結(jié)構(gòu)圖&能帶圖如下:目前三十頁\總數(shù)四十二頁\編于十八點(diǎn)P-AlxGa1-xAsP-GaAsN-GaAs異質(zhì)結(jié)PN結(jié)結(jié)構(gòu)圖··················電子空穴N-GaAsP-GaAsP-AlxGa1-xAs2ev1.5ev能帶圖單異質(zhì)結(jié)激光器分布反轉(zhuǎn)區(qū)低溫下閾值電流密度與同質(zhì)結(jié)差不多,大約為8000A/cm2,但在溫度變化下,閾值隨溫度變化小,在室溫下實(shí)現(xiàn)脈沖振蕩。目前三十一頁\總數(shù)四十二頁\編于十八點(diǎn)(2)雙異質(zhì)結(jié)激光器在GaAs的一側(cè)為N型AlxGa1-xAs,另一側(cè)為P型AlxGa1-xAs,加正向偏壓時(shí),電子注入作用區(qū)到達(dá)P-GaAs&P-AlxGa1-xAs界面,受到勢(shì)壘的阻擋而返回,不能進(jìn)入P型AlxGa1-xAs層中去,從而增加了P型GaAs層中的電子濃度,提高了增益。又由于N型AlxGa1-xAs與P型GaAs之間的勢(shì)壘避免了單異質(zhì)結(jié)激光器存在地空穴注入現(xiàn)象,使工作區(qū)電子,空穴濃度加大,復(fù)合幾率增加。另外,由于兩個(gè)界面處折射率都發(fā)生較大突變,所以光子被更有效地限制在作用區(qū)內(nèi)。因此,雙異質(zhì)結(jié)激光器的閾值電流進(jìn)一步降低到1000~3000A/cm2,實(shí)現(xiàn)了室溫下的連續(xù)振蕩,且隨溫度變化也較小。其結(jié)構(gòu)圖&能帶圖如下:目前三十二頁\總數(shù)四十二頁\編于十八點(diǎn)P-AlxGa1-xAsN-AlxGa1-xAsGaAs異質(zhì)結(jié)異質(zhì)結(jié)NGaAsP空穴電子結(jié)構(gòu)圖能帶圖雙異質(zhì)結(jié)激光器目前三十三頁\總數(shù)四十二頁\編于十八點(diǎn)5、分布反饋(DFB)半導(dǎo)體激光器(1)結(jié)構(gòu)(動(dòng)態(tài)單縱模激光器)(2)光柵結(jié)構(gòu)(3)DFB與一般半導(dǎo)體激光器(多縱模振蕩)的比較目前三十四頁\總數(shù)四十二頁\編于十八點(diǎn)6、量子阱(QW)激光器生長方向GaAsGaAlAs襯底有源層是由兩種不同材料交替生長組成超薄層一維周期結(jié)構(gòu),稱為量子阱激光器。當(dāng)薄層的周期&厚度等特征尺寸減小到電子平均自由程(50nm)時(shí),整個(gè)材料的電子系統(tǒng)進(jìn)入量子領(lǐng)域,并產(chǎn)生量子尺寸效應(yīng)。(1)結(jié)構(gòu)目前三十五頁\總數(shù)四十二頁\編于十八點(diǎn)(2)超晶格結(jié)構(gòu)組分超晶格:將兩種不同的半導(dǎo)體材料薄層做成重復(fù)相間的多層結(jié)構(gòu)長在一塊晶體上,量子阱激光器就屬于該種;摻雜超晶格:由材料相同但摻雜類型不同的大量重復(fù)相間薄層長在同一塊單晶上形成。(3)優(yōu)點(diǎn)極低的閾值電流(0.55mA)且隨溫度變化極小,甚至預(yù)言量子點(diǎn)(量子線,量子箱,量子阱)激光器不隨溫度變化;高功率輸出,可達(dá)10w;高調(diào)制頻率,窄的線寬。目前三十六頁\總數(shù)四十二頁\編于十八點(diǎn)國外半導(dǎo)體激光器的典型參數(shù)激光器的類型閾值電流發(fā)射波長發(fā)散角輸出功率轉(zhuǎn)換效率截止頻率溫度系數(shù)AlGaAs/GaAs100~1500.85(10~20)*(30~50)52>1100~150InGaAsP/InP201.330*40510265目前三十七頁\總數(shù)四十二頁\編于十八點(diǎn)第三節(jié)光電耦合器件一、光電耦合器件的含義&特點(diǎn)把發(fā)光器件與光敏元件封裝在儀器構(gòu)成光電耦合器件。這種器件在信息的傳輸過程中用光作為媒介把輸入邊&輸出邊的電信號(hào)耦合在一起的,具有線性變化關(guān)系,且在電性能上是完全隔離的。所以,我們把利用光耦合做成的電信號(hào)傳輸器件,一般稱為光電耦合器件。目前三十八頁\總數(shù)四十二頁\編于十八點(diǎn)特點(diǎn):具有電隔離功能;絕緣電阻高達(dá)1010~1012歐姆,擊穿電壓高達(dá)100~25千伏,耦合電容小到零點(diǎn)幾個(gè)皮法;信號(hào)傳輸是單向性的,不論脈沖、直流都可以,模擬,數(shù)字信號(hào)都適用;具有抗干擾&噪聲的能力,可作為繼電器&變壓器等使用;響應(yīng)速度快,一般可達(dá)微秒數(shù)量級(jí),甚至納秒數(shù)量級(jí);使用方便,具有一般固體器件的可靠性,體積小,重量輕,抗震,密封防

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