配位化合物的組成_第1頁
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文檔簡介

無機(jī)與分析技術(shù)配位化合物配位化合物的組成內(nèi)界

[Cu(NH3)4]SO4

形成體

配位原子

外界配位體配位數(shù)內(nèi)界：具有一定穩(wěn)定性的結(jié)構(gòu)單元(用方括號表示)外界：方括號以外的部分配位化合物的組成1.形成體(中心離子或中心原子)中心原子是內(nèi)界的核心，一般是金屬離子，有時也可以是中性原子和高氧化數(shù)的非金屬元素。如Ni(CO)4,SiF62-,PF6內(nèi)界

[Cu(NH3)4]SO4

形成體

配位原子

外界配位體配位數(shù)配位化合物的組成2.配位體

在配合物中與形成體相結(jié)合的陰離子或中性分子稱為配位體（簡稱配體）；配位體中能提供孤對電子并與形成體結(jié)合的原子稱為配位原子。內(nèi)界

[Cu(NH3)4]SO4

形成體

配位原子

外界配位體配位數(shù)配位化合物的組成根據(jù)配位體中配位原子的個數(shù)分類單齒配體和多齒配體

單齒配體:只有一個配位原子與中心原子以配位鍵結(jié)合的配位體。如X-、OH-和NH3等。

多齒配體:一個配位體中有兩個或兩個以上配位原子同時與中心原子以配位鍵結(jié)合的配體。如H2NCH2CH2NH2配位化合物的組成3.配位數(shù)

直接與形成體結(jié)合的配位原子的數(shù)目。

影響配位數(shù)大小的因素：形成體的電荷和半徑，配體的電荷、半徑及形成條件。內(nèi)界

[Cu(NH3)4]SO4

形成體

配位原子

外界配位體配位數(shù)配位化合物的組成常見形成體的配位數(shù)為:配位數(shù)為2：Ag+、Cu+、Au+等配位數(shù)為4：Cu2+、Zn2+、Hg2+、Ni2+、Co2+等配位數(shù)為6：Fe3+、Co2+、Co3+、Cr3+等配位化合物的組成

4.配離子電荷

形成體的電荷數(shù)與配位體電荷數(shù)的代數(shù)和即為配離子的電荷。配離子所帶電荷數(shù)等于中心原子與所有配位體的電荷的代數(shù)和。由于配合物是電中性的，因此配離子所帶電荷也可由外界離子總電荷推算，但電性相反。

配位化合物的組成例如：K3[Fe(CN)6]中配離子的電荷數(shù)-3K2[PtCl6]中配離子的電荷數(shù)是-2

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