半導體二極管

半導體二極管第一頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五前言電子技術是一門研究電子器件及其應用的科學。按信號性質(zhì)分：模擬電子，數(shù)字電子。按頻率分：高頻電子，低頻電子。按線性分：線性電子，非線性電子。本學期為模擬低頻部分（通常1Mhz以下）。第二頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五在模擬電子技術中,加工和處理的信號是模擬信號,這類信號的特點是在時間上和幅度上都是連續(xù)變化，在生產(chǎn)和生活中所接觸到的幾乎全是這種信號。

用于傳遞、加工和處理模擬信號的電路稱為模擬電路，其器件稱模擬器件。

模擬特點第三頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五模擬電路教學內(nèi)容半導體器件基礎；基本放大電路；集成運算放大電路；電路中負反饋技術；信號的運算和處理；波形產(chǎn)生與變換；功率電子電路和直流穩(wěn)壓電源等。第四頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五第一章半導體二極管及電路分析基本要求：1.正確理解基本概念：半導體、載流子、PN結(jié)及二極管單向?qū)щ娦缘臋C理。2.熟練掌握極二管的外特性（伏安特性曲線）。3.熟練掌握二極管的模型及二極管電路的分析。4.熟悉二極管的主要參數(shù)。第五頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五§1.1半導體的基本知識導體：自然界中很容易導電的物質(zhì)稱為導體，金屬一般都是導體。絕緣體：有的物質(zhì)幾乎不導電，稱為絕緣體，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。半導體：另有一類物質(zhì)的導電特性處于導體和絕緣體之間，稱為半導體，如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等。第1章半導體二極管第六頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五半導體的特點1、當受外界熱和光的作用時，它的導電能力明顯變化。2、往純凈的半導體中摻入某些雜質(zhì)，會使它的導電能力明顯改變。3、自由電子和空穴兩種載流子。半導體導電機理不同于其它物質(zhì)，所以它具有不同于其它物質(zhì)的特點。第1章半導體二極管第七頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五一、本征半導體1、本征半導體的結(jié)構特點GeSi通過一定的工藝過程，可以將半導體制成晶體?，F(xiàn)代電子學中，用的最多的半導體是硅和鍺，它們的原子結(jié)構如下：最外層電子（價電子）都是四個。第1章半導體二極管第八頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五

在硅和鍺晶體中，原子按四角形系統(tǒng)組成晶體點陣，每個原子都處在正四面體的中心，而四個其它原子位于四面體的頂點，每個原子與其相臨的原子之間形成共價鍵，共用一對價電子。硅和鍺的晶體結(jié)構：第1章半導體二極管第九頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五硅和鍺的共價鍵結(jié)構共價鍵共用電子對+4+4+4+4+4表示除去價電子后的原子第1章半導體二極管第十頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五共價鍵中的兩個電子被緊緊束縛在共價鍵中，稱為束縛電子，常溫下束縛電子很難脫離共價鍵成為自由電子，因此本征半導體中的自由電子很少，所以本征半導體的導電能力很弱。形成共價鍵后，每個原子的最外層電子是八個，構成穩(wěn)定結(jié)構。共價鍵有很強的結(jié)合力，使原子規(guī)則排列，形成晶體。+4+4+4+4第1章半導體二極管第十一頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五2、本征半導體的導電機理在絕對0度（T=0K）和沒有外界激發(fā)時,價電子完全被共價鍵束縛著，本征半導體中沒有可以運動的帶電粒子（即載流子），它的導電能力為0，相當于絕緣體。在常溫下，由于熱激發(fā)，使一些價電子獲得足夠的能量而脫離共價鍵的束縛，成為自由電子，同時共價鍵上留下一個空位，稱為空穴。（1）載流子、自由電子和空穴第1章半導體二極管第十二頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五+4+4+4+4空穴和電子是成對的。本征半導體中存在數(shù)量相等的兩種載流子，即自由電子和空穴。第1章半導體二極管第十三頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五本征半導體的導電能力取決于載流子的濃度。溫度越高，載流子的濃度越高。（2）電子電流和空穴電流當存在電場時，出現(xiàn)自由電子移動產(chǎn)生的電流——電子電流空穴移動產(chǎn)生的電流——空穴電流第1章半導體二極管第十四頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五（3）復合現(xiàn)象：電子和空穴在移動中相遇而成對消失的現(xiàn)象。第1章半導體二極管第十五頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五特點：本征半導體的導電性能很差。如果沒有自由電子，幾乎是絕緣體。晶體共價鍵中的電子在外界光照或加熱等情況下，很容易得到能量而脫離共價鍵的束縛成為自由電子。同時在共價鍵中留下空穴。由于空穴具有俘獲自由電子的能力。所以也是導電粒子。本征半導體的導電性能跟溫度有十分密切的關系。常溫下，電子-空穴對僅為三萬億分子一。第1章半導體二極管第十六頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五二、雜質(zhì)半導體在本征半導體中摻入某些微量的雜質(zhì)，就會使半導體的導電性能發(fā)生顯著變化。其原因是摻雜半導體的某種載流子濃度大大增加。P型半導體：空穴濃度大大增加的雜質(zhì)半導體，也稱為空穴半導體。N型半導體：自由電子濃度大大增加的雜質(zhì)半導體，也稱為電子半導體。第1章半導體二極管第十七頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五1、N型半導體在硅或鍺晶體中摻入少量的五價元素磷（或銻），晶體點陣中的某些半導體原子被雜質(zhì)取代，磷原子的最外層有五個價電子，其中四個與相鄰的半導體原子形成共價鍵，必定多出一個電子，這個電子幾乎不受束縛，很容易被激發(fā)而成為自由電子，這樣磷原子就成了不能移動的帶正電的離子。每個磷原子給出一個電子，稱為施主原子。第1章半導體二極管第十八頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五+4+4+5+4多余電子磷原子N型半導體中的載流子是什么？由施主原子提供的電子，濃度與施主原子相同。本征半導體中成對產(chǎn)生的電子和空穴。摻雜濃度遠大于本征半導體中載流子濃度，所以，自由電子濃度遠大于空穴濃度。自由電子稱為多數(shù)載流子（多子），空穴稱為少數(shù)載流子（少子）。第1章半導體二極管第十九頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五2、P型半導體在硅或鍺晶體中摻入少量的三價元素，如硼（或銦），晶體點陣中的某些半導體原子被雜質(zhì)取代，硼原子的最外層有三個價電子，與相鄰的半導體原子形成共價鍵時，產(chǎn)生一個空穴。這個空穴可能吸引束縛電子來填補，使得硼原子成為不能移動的帶負電的離子。由于硼原子接受電子，所以稱為受主原子。+4+4+3+4空穴硼原子P型半導體中空穴是多子，電子是少子。第1章半導體二極管第二十頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五三、雜質(zhì)半導體的示意表示法－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－P型半導體++++++++++++++++++++++++N型半導體雜質(zhì)型半導體多子和少子的移動都能形成電流。但由于數(shù)量的關系，起導電作用的主要是多子。近似認為多子與雜質(zhì)濃度相等。第1章半導體二極管第二十一頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五三、PN結(jié)及單向?qū)щ娦?、PN

結(jié)的形成在同一片半導體基片上，分別制造P型半導體和N型半導體，經(jīng)過載流子的擴散，在它們的交界面處就形成了PN結(jié)。第1章半導體二極管第二十二頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五P型半導體－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半導體++++++++++++++++++++++++擴散運動內(nèi)電場E漂移運動擴散的結(jié)果是使空間電荷區(qū)逐漸加寬，空間電荷區(qū)越寬。內(nèi)電場越強，就使漂移運動越強，而漂移使空間電荷區(qū)變薄。空間電荷區(qū)，也稱PN結(jié)。第1章半導體二極管第二十三頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五漂移運動P型半導體－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型半導體++++++++++++++++++++++++擴散運動內(nèi)電場E所以擴散和漂移這一對相反的運動最終達到平衡，相當于兩個區(qū)之間沒有電荷運動，空間電荷區(qū)的厚度固定不變。用電位差來衡量為硅材料PN結(jié)：0.5~0.7V。而鍺材料PN結(jié)：為0.2~0.3V。

第1章半導體二極管第二十四頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五1、空間電荷區(qū)中沒有載流子。2、空間電荷區(qū)中內(nèi)電場阻礙P區(qū)中的空穴、N區(qū)

中的電子（都是多子）向?qū)Ψ竭\動（擴散運動）。3、P

區(qū)中的電子和N區(qū)中的空穴（都是少），數(shù)量有限，因此由它們形成的電流很小。注意:第1章半導體二極管第二十五頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五2、PN結(jié)的單向?qū)щ娦?/p>

PN結(jié)加上正向電壓、正向偏置的意思都是：P區(qū)加正、N區(qū)加負電壓。PN結(jié)加上反向電壓、反向偏置的意思都是：

P區(qū)加負、N區(qū)加正電壓。第1章半導體二極管第二十六頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五－－－－++++RE（1）、PN結(jié)正向偏置內(nèi)電場外電場變薄PN+_內(nèi)電場被削弱，多子的擴散加強能夠形成較大的擴散電流。第1章半導體二極管第二十七頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五（2）、PN結(jié)反向偏置－－－－++++內(nèi)電場外電場變厚NP+_內(nèi)電場被被加強，多子的擴散受抑制。少子漂移加強，但少子數(shù)量有限，只能形成較小的反向電流。RE第1章半導體二極管第二十八頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五

小結(jié)

當PN結(jié)正偏時，處于導通，說明此時電阻很小，稱為正向電阻，結(jié)果電流很大。正向電阻一般為幾十到幾百歐。當PN結(jié)反偏時，處于截止，說明此時電阻很大，稱為反向電阻，結(jié)果電流近似為零。反向電阻可達100千歐之多。第1章半導體二極管第二十九頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五§1.2半導體二極管及其特性一結(jié)構和符號陽極陰極半導體PN結(jié)外殼外殼底座底座陰極陽極半導體PN結(jié)結(jié)構示意陽極陰極電路符號點接觸型面接觸型第1章半導體二極管第三十頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五U(BR)反向擊穿反向特性死區(qū)Uth正向特性呈指數(shù)形式iD(mA)uD(V)mAVEuDiD（實驗圖）二二極管的伏安特性曲線

uD為加在二極管二端的電壓,iD為流經(jīng)二極管的電流。iD與uD的函數(shù)關系為圖中曲線。第1章半導體二極管第三十一頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五1、

正向特性曲線：

uD≥0部分，嚴格講為指數(shù)形式，有一段近似為線性曲線，符合部分電路歐姆定律公式。2、死區(qū)，門坎電壓Uth出現(xiàn)死區(qū)的原因是正偏電壓不足以抵消內(nèi)電場的電壓。

硅管：Uth=0.6—0.8V實際中取UD(on)=0.7V

鍺管：Uth=0.1—0.3V實際中取UD(on)=0.2V第1章半導體二極管第三十二頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五3、

反向特性：

uD≤0部分，反向電壓不太大時，電流基本為零，為IS大約為0.1μA左右，它就是反向飽和電流。4、

反向擊穿，擊穿電壓UBR當加與二極管兩端的反向電壓增大到一定值時，反向電流突然變大，這種現(xiàn)象稱反向擊穿。對應的電壓UBR則稱擊穿電壓。硅管約為幾十伏~幾百伏，鍺管為十幾伏~幾十伏，對普通二極管而言，反向擊穿后管子已被燒壞，不能再用。

第1章半導體二極管第三十三頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五三主要參數(shù)1.最大整流電流

IOM二極管長期使用時，允許流過二極管的最大正向平均電流。2.反向擊穿電壓UBR二極管反向擊穿時的電壓值。擊穿時反向電流劇增，二極管的單向?qū)щ娦员黄茐模踔吝^熱而燒壞。手冊上給出的最高反向工作電壓UWRM一般是UBR的一半。第1章半導體二極管第三十四頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五3.反向電流

IR指二極管加反向峰值工作電壓時的反向電流。反向電流大，說明管子的單向?qū)щ娦圆?，因此反向電流越小越好。反向電流受溫度的影響，溫度越高反向電流越大。硅管的反向電流較小，鍺管的反向電流要比硅管大幾十到幾百倍。以上均是二極管的直流參數(shù)，二極管的應用是主要利用它的單向?qū)щ娦?，主要應用于整流、限幅、保護等等。下面介紹兩個交流參數(shù)。第1章半導體二極管第三十五頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五4.極間電容和工作頻率二極管的兩極之間有電容，此電容由兩部分組成：勢壘電容CB和擴散電容CD。勢壘電容：勢壘區(qū)是積累空間電荷的區(qū)域，當電壓變化時，就會引起積累在勢壘區(qū)的空間電荷的變化，這樣所表現(xiàn)出的電容是勢壘電容。擴散電容：為了形成正向電流（擴散電流），注入P區(qū)的少子（電子）在P

區(qū)有濃度差，越靠近PN結(jié)濃度越大，即在P區(qū)有電子的積累。同理，在N區(qū)有空穴的積累。正向電流大，積累的電荷多。這樣所產(chǎn)生的電容就是擴散電容CD。P+-N第1章半導體二極管第三十六頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五CB在正向和反向偏置時均不能忽略。而反向偏置時，由于載流子數(shù)目很少，擴散電容可忽略。PN結(jié)高頻小信號時的等效電路：勢壘電容和擴散電容的綜合效應rd當工作頻率太高時，電容相當于短路，二極管失去單向?qū)щ娮饔谩５?章半導體二極管第三十七頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五部分國產(chǎn)半導體高頻二極管參數(shù)表最高反向工作電壓（峰值）V反向擊穿電壓

V正向電流

mA反向電流μA最高工作頻率MHZ極間電容

Pf最大整流電流mA2AP120≥40≥2.5≤250150≤1162ck7100≥150≥5.0≤250300≤0.120參數(shù)型號部分國產(chǎn)半導體整流二極管參數(shù)表最大整流電流

A最高反向工作電壓（峰值）V最高工作電壓下的反向電流（125度）

μA正向壓降（平均值）

V最高工作頻率

MHZ2CZ52A

0.1251000≤0.832CZ54D0.514001000≤0.832CZ57F530001000≤0.83參數(shù)型號第1章半導體二極管第三十八頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五

二極管工作環(huán)境歸納起來有三種情況：只有直流，只有交流，交直流均有。根據(jù)二極管的伏安特性曲線知，二極管不是線性元件。那么這將給電路分析計算帶來麻煩。本節(jié)將提供幾種在不同情況下近似分析計算的方法。

§1.3二極管電路的分析方法第1章半導體二極管第三十九頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五一二極管模型1、理想模型：正向工作時二極管導通電壓等于0。反向時，二極管開路。一般適用于大信號工作狀態(tài)。例如邏輯電路中。iD0uD(V)理想模型V-A特性第1章半導體二極管第四十頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五2、恒壓模型：正向?qū)〞r。相當于理想二極管串聯(lián)一個0.7伏的恒定電壓源。由于該模型比較簡單，在模擬電路里用得比較多。iD00.7uD(V)恒壓模型V-A特性0.7V第1章半導體二極管第四十一頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五3、折線模型：(也稱直流模型)

圖中黑線部位是實際二極管的伏安曲線，可視為近似后的兩段折線

UD(ON)△uD△iDiDuD線性電阻

rD理想部分+-UD(on)等效電阻等效電壓源可等效地化成：

第1章半導體二極管第四十二頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五UD(on)例1.3.1

硅二極管，R=2k，分別用二極管理想模型和恒壓降模型求出VDD=2V和VDD=10V時IO和UO的值。UOVDDIORUOVDDIORUOVDDIOR[解]VDD=2V理想IO=VDD/R=2/2

=1(mA)UO=VDD=2V恒壓降UO=VDD–UD(on)=20.7=1.3(V)IO=UO/R=1.3/2

=0.65(mA)VDD=10V理想IO=VDD/R=10/2

=5(mA)恒壓降UO=100.7=9.3(V)IO=9.3/2=4.65(mA)

結(jié)論：VDD大采用理想模型VDD小用恒壓降模型第1章半導體二極管第四十三頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五例1.3.2

試求電路中電流I1、I2、IO和輸出電壓UO的值。解：假設二極管斷開UP=15VUP>UN二極管導通等效為0.7V的恒壓源UO=VDD1

UD(on)=150.7=14.3(V)IO=UO/RL=14.3/3

=4.8(mA)I2=(UOVDD2)/R=(14.312)/1

=2.3(mA)I1=IO+I2=4.8+2.3=7.1(mA)VDD1VDD2UORLR1kW3kWIOI1I215V12VPN第1章半導體二極管第四十四頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五例1.3.3二極管構成“門”電路，設V1、V2均為理想二極管，當輸入電壓UA、UB為低電壓0V和高電壓5V的不同組合時，求輸出電壓UO的值。UAUBUOR3kW12VVDDV1V2BAY輸入電壓理想二極管輸出電壓UAUBV1V20V0V正偏導通正偏導通0V0V5V正偏導通反偏截止0V5V0V反偏截止正偏導通0V5V5V正偏導通正偏導通5V第1章半導體二極管第四十五頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五例1.3.4畫出硅二極管構成的橋式整流電路在ui

=15sint(V)作用下輸出uO的波形。(按理想模型)RLV1V2V3V4uiBAuOOtuO/V15Otui

/V15uiBAuOS1S2S3S4uiBAuOS1S2S3S4切換到EWB環(huán)境觀察橋式整流波形第1章半導體二極管第四十六頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五例1.3.5ui=2sin

t(V),分析二極管的限幅作用。ui較小，宜采用恒壓降模型V1V2uiuOR0.7V<ui<0.7VV1、V2均截止uO＝uiuO＝0.7Vui≥0.7VV2導通V１截止ui≤

0.7VV1導通V2截止uO＝0.7V思考題:V1、V2支路各串聯(lián)恒壓源，輸出波形如何？（切至EWB）OtuO/V0.7Otui

/V20.7第1章半導體二極管第四十七頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五

二二極管直流電路的分析方法介紹兩種二極管電路分析方法：VDDRL+-uDiD+-第1章半導體二極管第四十八頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五1、圖解方法：（工程上常用）

步驟：⑴把電路分成兩部分，左邊為線性部分，右邊為非線性部分；⑵把線性部分的電壓和電流關系用圖像表示出來；⑶把非線性部分的電壓和電流的關系用圖像表示出來；⑷兩曲線的交點Q對應的電壓電流值就是要求的解。

第1章半導體二極管第四十九頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五Q點稱為二極管的直流工作點

IQ(0,VDDRL)QQUM(VDD,0)uDN第1章半導體二極管第五十頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五2、折線法(折線模型方法)

第1章半導體二極管第五十一頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五三、二極管的微變等效模型

（適用于電路中既有直流量又有交流量情況）規(guī)定：字母大寫，下腳標大寫，示直流量；字母小寫，下腳標小寫，示純交流量；字母小寫，下腳標大寫，示交直流之和量。第1章半導體二極管第五十二頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五處理方法：

對直流情況和交流情況分開討論，然后根據(jù)電壓、電流迭加原理進行合成。迭加原理:總電壓（流）=各分電壓（流）之和。

第1章半導體二極管第五十三頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五1、直流分析：常稱作靜態(tài)分析

①視（交流量）去掉無關電路，畫出直流通路來。

R+-IQ+-UQ（直流通路）VDD第1章半導體二極管第五十四頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五R+-IQ+-UQ（直流通路）VDD②根據(jù)直流電路，利用利用折線法或作圖法求出靜態(tài)工作點Q

：第1章半導體二極管第五十五頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五第1章半導體二極管第五十六頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五U0負半周QQuDiD正半周Q1Q2若限定交流信號為微變信號，那么Q1和Q2點不會偏離太遠。此時，線段Q1Q2可視為直線。這就又意味著二極管成為線性電阻了

2、交流分析：（動態(tài)分析）二極管的微變等效電路第1章半導體二極管第五十七頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五在此稱為二極管的交流等效電阻，其值也比較小，在幾十歐左右。

在微變信號下，二極管可以等效成阻值為線性的電阻：

+-rd+-第1章半導體二極管第五十八頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五①首先畫出交流通路：（此時，C視為短路，視）uRrd+-+-udi②然后根據(jù)交流通路計算電量：

其中

交流量的計算第1章半導體二極管第五十九頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五3、合成：

再從特性曲線圖上看一看合成過程

QQ1Q2UQ+uiuiiDωtωtiD第1章半導體二極管第六十頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五對于交流信號電路可等效為例1.3.6

ui

=5sint(mV)，VDD=4V，R=1k，求iD和uD。[解]1.靜態(tài)分析令ui

=0,取UQ0.7VIQ=(VDDUQ)/R=3.3mA2.動態(tài)分析rd=26/IQ=26/3.38()Idm=Udm/rd=5/80.625(mA),id

=0.625sint3.總電壓、電流=(0.7+0.005sint)V=(3.3+0.625sint)mAVDDuiuDRCiDuiudRidrd第1章半導體二極管第六十一頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五§1.4特殊二極管器件一穩(wěn)壓二極管

1、利用PN結(jié)反向擊穿的特性，可以制成穩(wěn)壓二極管。PN結(jié)V-A特性曲線正向?qū)妷篣DI（mA)正向電流IfU（V）正向0.6反向擊穿電壓UZ0擊穿電流IRIU+UZ電路符號第1章半導體二極管第六十二頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五2、穩(wěn)壓管主要參數(shù)1）穩(wěn)定電壓UZ：穩(wěn)壓管擊穿后電流變化很大。而電壓基本不變的電壓。不同的穩(wěn)壓管有不同的穩(wěn)定電壓。2）動態(tài)電阻rz：3）最大穩(wěn)定電流IZM：由最大耗散功率和穩(wěn)定電壓決定。4）最大耗散功率PZM：工作時的功率PZ=IZ?UZPZM=IZMUZ動態(tài)內(nèi)阻愈小愈好rz=IU第1章半導體二極管第六十三頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五5）溫度系數(shù)：衡量由于溫度變化而使穩(wěn)定電壓UZ變化的參數(shù)。一般UZ大于6伏的為正溫度系數(shù)。小于6伏為負溫度系數(shù)第1章半導體二極管第六十四頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五3、幾種穩(wěn)壓管的參數(shù)

參數(shù)型號穩(wěn)定電壓

V穩(wěn)定電流

mA溫度系數(shù)%/度動態(tài)電阻

?最大穩(wěn)定電流

mA耗散功率

W2CW146—7.5100.06≤15330.252CW2013.5–1750.095≤50150.252CW7C6.1-6.5100.005≤10300.25由表可以看出2CW7C的性能比較好。溫度系數(shù)小。其結(jié)構如下：正向二極管穩(wěn)壓管

溫度補嘗第1章半導體二極管第六十五頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五例1.4.1

分析簡單穩(wěn)壓電路的工作原理，R為限流電阻。IR=IZ+ILUO=UI–IRR當UI波動時(RL不變)反之亦然當RL變化時（UI不變）反之亦然UIUORRLILIRIZ第1章半導體二極管第六十六頁，共七十七頁，編輯于2023年，星期五二發(fā)光二極管1、材料和結(jié)構：發(fā)光二極管由砷化鎵、磷化鎵等半導體材料組成。由于電子空穴的復合產(chǎn)生發(fā)光能量。是一種電變成光的能量轉(zhuǎn)換器件。電路中常用做指示或顯示及光信息傳送。單個發(fā)光二極管七段顯示發(fā)光二極管第1章半導體二極管