蒸鍍與濺鍍差異

金屠^膜(MetalDeposition)又稍物理^膜(PhysicalVaporDeposition;PVD),依原理分舄蒸^又稍物理^膜(evaporation)奧^^(sputtering)廊重。PVD基本上都需要抽真空:前者在10-6~10-7Torr的璞境中蒸著金JB;彳麥者員I原在激畿雷聚前，將麻室內(nèi)殛繪空麻抽除，也是要抽到0-6~10-7Torr的程度。般的^械式抽MS浦，只能抽到0-3Torr的真空度，之彳麥硝再串接高真空幫浦濮械式^浦富作接^大M的前級(jí)鬣浦如：撅散式S浦(diffusionpump)、淌輸式^浦(turbopump)、或致冷式^浦(cryogenicpump),才能^到10-6~10-7Torr的真空程度。富然，不同的真空?浦^?^涉到不同原理之1E力^、管路哉^、典僵格。蒸^就加熟方式差昊分舄置阻式thermalcoater)典雷子榆式(E-gunevaporator)麗^樓臺(tái)。前者在原理上段容易，就是直接將?舉俺熔融蒸畿的金)8以^材方式撈在加熟箱^上，一旦受熟熔融，因液髓表面接力之故，曾攀附在加熟^^上，然彳度徐徐蒸著至四(包含晶圓。因加熟^^耐熟能力典供金8熔液攀附空^有限厘用於低熔黠的金8^著，如鋁，且蒸著厚度有限。雷子榆式蒸^^則是利用雷子束逵行加熟，熔融蒸畿的金Jg顆粒全撮在石墨或^^坩^(crucible)中。待金g蒸麻厘超遏晦界限度，也品始徐徐蒸著至四周(包含晶Do?子榆式蒸^^可蒸著熔黠段高的金g,厚度也比段不受限制。蒸^法基本上有所^陪梯覆披就町coverage)不佳的缺黠，如圄2-12所示。也就是就在起伏段康U烈的表面，蒸著金g有新裂不速^之虞。另外，多片晶的大面稹簸著也存在厚度均勻的冏題。舄此，晶片虞。另外，多片晶的大面稹簸著也存在厚度均勻的冏題。舄此，晶片之承戴墨加上公自^的^榛便用於上述麗冏題之改善。晶片里回弧狀械欺人射之金屈原孑晶片里回弧狀械欺人射之金屈原孑圈2-U金燃幕的「閽弟披覆」冏照-^^^是物理^膜的方法，但典蒸畿毫照^驚。就如同將石^丟入一凝泥沼中，畬噴）腰出^多泥聚般，）成^利用氮麻置聚，高速衡擎受^靶材伽遂戒因而將靶材表面附近材^度暖出來(lái)落至晶I!之上。由於靶材是一整面而不是一黠接受蠢擎，所以噴）腰出來(lái)的材^,也有可能填塞到晶片表面陪梯死角的部位而比段沒(méi)有新^不速^或所^。皆梯披覆的冏題。）腰^也依耄聚受激之能量源不同，分舄直流PC）典射原（RF）麗彳重。基本上，兩毛重）腰^^都可簸著金）8薄膜。但彳度者特別可以金十封非金8薄膜，如^^（piezoelectric）或磁性材料，具有「^^.熔^高、成份褪雅、封堆疊方式相富敏感」等智慧型薄膜之^著特徵。3、金8薄膜圈形定羲利用光觸荷定羲妥之光阻，泡入遒蚩酸液中，可觸出金8^路，此典蒸^抑或）腰^亞照^速。然而部份金8觸液是酸液，如露，早期常用「赤血盛氫氧化割溶液來(lái)定羲圈案，直接用光阻遮掩畬失糖沒(méi)觸到底，光阻已經(jīng)溶散了）所以必^多蒸著一唇金，^接以碘化融溶液定羲出金之圈案彳免再以金之圜案來(lái)作掩膜，逵行露的腐如此之繁褐常使初孥者B^W向現(xiàn)在已經(jīng)有露金8的觸洗液如CR?7）°另一彳固令人更援人的冏題在於：酸液有側(cè)向侵觸的現(xiàn)象，所以照法裂作出次微米之金ff^o一般棠界已使用垂直度槌佳，然而^格檀昂之乾觸刻?hào)艁?lái)解決是固冏郎昂是因舄要用到含氯之反雁麻髓，所有管路都要考慮防腐觸o但孥荷研畿罩位，在沒(méi)有乾觸刻^情況下，一檬可以作出次微米之金ff^是固方法*苒制金ff剝雕或皋雕法，妙妙今如圄2-13所示，言同整晶片^金ff典上光阻的II原序：首先旋敷光阻，以光M^M欲^著金ff^路之匾域^出窗窿光罩恰典酸液觸刻的光罩明暗相反，再逵行金ff^著的工作。此畤，大部份金ff可能都^著在光阻上。所以金ff^著彳爰，只要M晶片浸入丙酮，在光阻遭有^溶蒯溶散之隙，其上之金ff也跟著被抬雕晶片，而只留下沒(méi)有光阻，也就是原來(lái)哉^之金ff^路。S 金期鼬的「德」抹:.?簾阻曝光（場(chǎng)瞰■?仲金爆蒸0潭布，留下金朝路。不^，金Jg剝雕也不是完全沒(méi)缺黠:L金)■蒸^,畬封晶片走生加溫效果，若蒸^畤^段畏或厚度段高，有可能烤乾光阻，而在最彳度泡丙酮畤，照法掀雕金g。2、光阻^窗畤，或多或少畬留下一些^影不完全的部份，所以在金g^著畤，業(yè)不保^晶片受^面