學(xué)生半導(dǎo)體器件學(xué)習(xí)考研指導(dǎo)

學(xué)生半導(dǎo)體器件學(xué)習(xí)考研指導(dǎo)學(xué)生半導(dǎo)體器件學(xué)習(xí)考研指導(dǎo)我們?cè)谶M(jìn)行半導(dǎo)體器件的考研時(shí)，要多聽(tīng)取他人的指導(dǎo)。店鋪為大家精心準(zhǔn)備了半導(dǎo)體器件考研指導(dǎo)，歡迎大家前來(lái)閱讀。哈爾濱工業(yè)大學(xué)半導(dǎo)體物理Ⅱ考研初試大綱考試科目名稱(chēng)：半導(dǎo)體物理Ⅱ考試科目代碼：[829]一、考試要求：要求考生系統(tǒng)地掌握半導(dǎo)體物理的基本概念和基本原理，并能利用基本原理分析半導(dǎo)體的物理性能。要求考生對(duì)半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)和能帶論、載流子統(tǒng)計(jì)分布、載流子輸運(yùn)過(guò)程、p-n體接觸理論、半導(dǎo)體光電效應(yīng)等基本原理有很好的掌握，并能熟練運(yùn)用分析半導(dǎo)體的光電特性。二、考試內(nèi)容：1)半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)和能帶論a:半導(dǎo)體晶格結(jié)構(gòu)及電子狀態(tài)和能帶b:半導(dǎo)體中電子的運(yùn)動(dòng)c:本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)d:硅和鍺及常用化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)2)雜質(zhì)半導(dǎo)體理論a:硅和鍺晶體中的雜質(zhì)能級(jí)b:常用化合物半導(dǎo)體中的雜質(zhì)能級(jí)c:缺陷、位錯(cuò)能級(jí)載流子的統(tǒng)計(jì)分布a:狀態(tài)密度與載流子的統(tǒng)計(jì)分布bc:一般情況下載流子統(tǒng)計(jì)分布d:簡(jiǎn)并半導(dǎo)體半導(dǎo)體的導(dǎo)電性a:載流子的漂移運(yùn)動(dòng)與散射機(jī)構(gòu)b:遷移率、電阻率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系c:多能谷散射、耿氏效應(yīng)非平衡載流子a:非平衡載流子的注入、復(fù)合與壽命b:準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)c:復(fù)合理論、陷阱效應(yīng)d:載流子的擴(kuò)散、電流密度方程e:連續(xù)性方程p-na:p-n結(jié)及其能帶圖b:p-n結(jié)電流電壓特性c:p-n結(jié)電容、p-n結(jié)隧道效應(yīng)7)金屬-半導(dǎo)體接觸理論a:金-半接觸、能帶及整流理論b:歐姆接觸半導(dǎo)體光電效應(yīng)a:半導(dǎo)體的光學(xué)性質(zhì)(光吸收和光發(fā)射)b:半導(dǎo)體的光電導(dǎo)效應(yīng)c:半導(dǎo)體的光生伏特效應(yīng)d:半導(dǎo)體發(fā)光二極管、光電二極管三、試卷結(jié)構(gòu)：分鐘，滿(mǎn)分：分b)題型結(jié)構(gòu)a:概念及簡(jiǎn)答題(60分)b:論述題(90分)c)內(nèi)容結(jié)構(gòu)a:半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)和能帶論及雜質(zhì)半導(dǎo)體理論(30分)b:載流子的統(tǒng)計(jì)分布(20分)c:半導(dǎo)體的導(dǎo)電性(20分)d:非平衡載流子(20分)e:p-n結(jié)理論和金屬-半導(dǎo)體接觸理論(30分)f:半導(dǎo)體光電效應(yīng)(30分)西安電子科技大學(xué)年半導(dǎo)體物理與器件物理考研大綱“半導(dǎo)體物理與器件物理”(801)一、總體要求“半導(dǎo)體物理與器件物理”(801)由半導(dǎo)體物理、半導(dǎo)體器件物理二部分組成，半導(dǎo)體物理占60%(90分)、器件物理占40%(60分)?！鞍雽?dǎo)體物理”要求學(xué)生熟練掌握半導(dǎo)體的相關(guān)基礎(chǔ)理論，了解半導(dǎo)體性質(zhì)以及受外界因素的影響及其變化規(guī)律。重點(diǎn)掌握半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和帶、半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷能級(jí)、半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布、半導(dǎo)體的導(dǎo)電性、半導(dǎo)體中的非平衡載流子等相關(guān)知識(shí)、基及運(yùn)用連續(xù)性方程解決載流子濃度隨時(shí)間或位置的變化及其分布規(guī)律等。“器件物理”要求學(xué)生掌握MOSFET器件物理的基本理論和基本的分析方法，使學(xué)生具備基本的器件分析、求解、應(yīng)用能力。要求掌握MOS基本結(jié)構(gòu)和電容電壓特性;MESFET器件的基本工作原理;MOSFET器件的頻率特性;MOSFET;MOSFET器件按比例縮小理論;閾值電壓的影響因素;MOSFET的擊穿特性;掌握器件特性的基本分析方法?！鞍雽?dǎo)體物理與器件物理”(801)研究生入學(xué)考試是所學(xué)知識(shí)的總結(jié)性考試，考試水平應(yīng)達(dá)到或超過(guò)本科相應(yīng)的課程要求水平。二、各部分復(fù)習(xí)要點(diǎn)●“半導(dǎo)體物理”部分各章復(fù)習(xí)要點(diǎn)(一)半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)復(fù)習(xí)內(nèi)容半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)與化學(xué)鍵性質(zhì)，半導(dǎo)體中電子狀態(tài)與能帶，電子的運(yùn)動(dòng)與有效質(zhì)量，空穴，回旋共振，元素半導(dǎo)體和典型化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)。具體要求半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶半導(dǎo)體中電子的運(yùn)動(dòng)和有效質(zhì)量本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)空穴的概念回旋共振及其實(shí)驗(yàn)結(jié)果Si、Ge和典型化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)(二)半導(dǎo)體中雜志和缺陷能級(jí)復(fù)習(xí)內(nèi)容元素半導(dǎo)體中的雜質(zhì)能級(jí)，化合物半導(dǎo)體中的雜質(zhì)能級(jí)、位錯(cuò)和缺陷能級(jí)。具體要求Si和Ge晶體中的雜質(zhì)能級(jí)雜質(zhì)的補(bǔ)償作用深能級(jí)雜質(zhì)Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體中的雜質(zhì)能級(jí)等電子雜質(zhì)與等電子陷阱半導(dǎo)體中的缺陷與位錯(cuò)能級(jí)(三)半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布1.復(fù)習(xí)內(nèi)容狀態(tài)密度，F(xiàn)ermi能級(jí)，載流子統(tǒng)計(jì)分布，本征和雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度，補(bǔ)償半導(dǎo)體的載流子濃度，簡(jiǎn)并半導(dǎo)體2.具體要求狀態(tài)密度的定義與計(jì)算本征半導(dǎo)體的載流子濃度雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度雜質(zhì)補(bǔ)償半導(dǎo)體的載流子濃度簡(jiǎn)并半導(dǎo)體及其載流子濃度、簡(jiǎn)并化條件、簡(jiǎn)并半導(dǎo)體的特點(diǎn)與雜質(zhì)帶導(dǎo)電載流子濃度的分析計(jì)算方法及其影響載流子濃度的因素(四)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性1.復(fù)習(xí)內(nèi)容載流子的漂移運(yùn)動(dòng)，遷移率，載流子的散射，遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系，電阻率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系，強(qiáng)場(chǎng)效應(yīng)與熱載流子2.具體要求載流子漂移運(yùn)動(dòng)遷移率載流子散射半導(dǎo)體中的各種散射機(jī)制遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系電阻率及其與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系強(qiáng)電場(chǎng)下的效應(yīng)高場(chǎng)疇區(qū)與Gunn效應(yīng);(五)非平衡載流子復(fù)習(xí)內(nèi)容非平衡載流子的產(chǎn)生與復(fù)合，非平衡載流子壽命，準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)，復(fù)合理論，陷阱效應(yīng)，非平衡載流子載流子的擴(kuò)散與漂移，因斯坦關(guān)系，連續(xù)性方程。具體要求非平衡載流子的注入與復(fù)合準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)復(fù)合理論陷阱效應(yīng)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)載流子的漂移運(yùn)動(dòng)Einstein關(guān)系連續(xù)性方程的建立及其應(yīng)用●“器件物理”部分各章復(fù)習(xí)要點(diǎn)(一)金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)結(jié)構(gòu)物理基礎(chǔ)1.復(fù)習(xí)內(nèi)容MOS結(jié)構(gòu)的物理性質(zhì)，能帶結(jié)構(gòu)與空間電荷區(qū)，平帶電壓與閾值電壓，電容電壓特性2.具體要求MOS結(jié)構(gòu)的物理性質(zhì)n型和p型襯底MOS電容器的能帶結(jié)構(gòu)耗盡層厚度的計(jì)算功函數(shù)的基本概念以及金屬-半導(dǎo)體功函數(shù)差的計(jì)算方法平帶電壓的定義與求解;閾值電壓的'影響因素;MOS電容的定義，理想的C-V特性;影響C-V特性的主要因素(二)MOSFET基本工作原理復(fù)習(xí)內(nèi)容MOSFET基本結(jié)構(gòu)，MOSFET電流電壓關(guān)系，襯底偏置效應(yīng)。MOSFET的頻率特性。閂鎖現(xiàn)象具體要求MOSFET電流電壓關(guān)系的定性分析，漏極電流與柵壓之間的關(guān)系;襯偏效應(yīng)的概念及影響小信號(hào)等效電路的概念與分析方法MOSFET器件頻率特性的影響因素CMOS基本技術(shù)及閂鎖現(xiàn)象(三)MOSFET器件的深入概念1.復(fù)習(xí)內(nèi)容MOSFET中的非理想效應(yīng);MOSFET的按比例縮小理論;小尺寸器件的閾值電壓;MOSFET器件的擊穿特性2.具體要求理解實(shí)際器件與理想特性之間的偏差及其原因器件按比例縮小的基本方法動(dòng)態(tài)電路方程及其求解短溝道效應(yīng)與窄溝道效應(yīng)對(duì)MOSFET器件閾值電壓的影響MOSFET器件的各種擊穿模式，擊穿電壓的影響因素三、試卷結(jié)構(gòu)與考試方式11502能的函數(shù)計(jì)算器。3分鐘。四、參考書(shū)目1、《半導(dǎo)體物理學(xué)》(第七版)，劉恩科、朱秉升、羅晉生等著，電子工業(yè)出版社2011年3月。2、《半導(dǎo)體物理與器件》(第4版)趙毅強(qiáng)等譯電子工業(yè)出版社2013年。南京電子器件研究所考研調(diào)劑信息南京電子器件研究所始建于1958年，主要從事固態(tài)功率器件、微波毫米波模塊電路等專(zhuān)業(yè)技術(shù)的研發(fā)和生產(chǎn)，研制的核心芯片和關(guān)鍵元器件在我軍戰(zhàn)略預(yù)警、防空反導(dǎo)、精確打擊、機(jī)載火控等信息化裝備和載人航天等國(guó)家大型工程中發(fā)揮了舉足輕重的作用;科研進(jìn)入了國(guó)家科技發(fā)展的“主渠道”，是國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)核心電子器件領(lǐng)域的主要承擔(dān)單位之一，目前在三代半導(dǎo)體研制領(lǐng)域處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平;積極推動(dòng)軍民融合發(fā)展，民品產(chǎn)業(yè)進(jìn)入國(guó)民經(jīng)濟(jì)信息化建設(shè)的主戰(zhàn)場(chǎng)，形成了射頻電子、功率電子兩大支柱產(chǎn)業(yè)板塊。碩士點(diǎn)以國(guó)家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室為依托，擁有國(guó)內(nèi)一流的科研條件，師資力量雄厚。南京電子器件研究所現(xiàn)有研發(fā)人員1500余人，高工以上職稱(chēng)354人，集團(tuán)公司首席科學(xué)家2人，首席專(zhuān)家2人，享受政府特殊津貼552人。南京電子器件研究所是“單片集成電路與模塊重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室”、“國(guó)家平板顯示工程技術(shù)研究中心”、“寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件實(shí)驗(yàn)室”、“有源層優(yōu)化生長(zhǎng)技術(shù)研究應(yīng)用中心”等國(guó)家級(jí)實(shí)驗(yàn)室和工程中心的依托單位。建所以來(lái)，共取得科研成果3000科技進(jìn)步獎(jiǎng)560多項(xiàng)，國(guó)家級(jí)科技進(jìn)步獎(jiǎng)602南京電子器件研究所招收的研究生為全日制學(xué)術(shù)型碩士，學(xué)制2.5年，且為定向培養(yǎng)。研究生第一年在東南大學(xué)選修課程，學(xué)分修滿(mǎn)后學(xué)生讀研期間免收學(xué)費(fèi)及住