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磊電壓拈術(shù)高電壓技術(shù)各章知識(shí)點(diǎn)磊電壓拈術(shù)第一篇電介質(zhì)的電氣強(qiáng)度磊電壓拈術(shù)第1章氣體的絕緣特性與介質(zhì)的電氣強(qiáng)度磊電壓拈術(shù)1、氣體中帶電質(zhì)點(diǎn)產(chǎn)生的方式熱電離、光電離、碰撞電離、表面電離2、氣體中帶電質(zhì)點(diǎn)消失的方式流入電極、逸出氣體空間、復(fù)合3、電子崩與湯遜理論電子崩的形成、湯遜理論的基本過程及適用范圍磊電壓拈術(shù)4、巴申定律及其適用范圍擊穿電壓與氣體相對(duì)密度和極間距離乘積之間的關(guān)系。兩者乘積大于0.26cm時(shí),不再適用5、流注理論考慮了空間電荷對(duì)原有電場(chǎng)的影響和空間光電離的作用,適用兩者乘積大于0.26cm時(shí)的情況6、均勻電場(chǎng)與不均勻電場(chǎng)的劃分以最大場(chǎng)強(qiáng)與平均場(chǎng)強(qiáng)之比來劃分。磊電壓拈術(shù)、極不均勻電場(chǎng)中的電暈放電電暈放電的概念、起始場(chǎng)強(qiáng)、放電的極性效應(yīng)8、沖擊電壓作用下氣隙的擊穿特性雷電和操作過電壓波的波形沖擊電壓作用下的放電延時(shí)與伏秒特性50%擊穿電壓的概念磊電壓拈術(shù)9、電場(chǎng)形式對(duì)放電電壓的影響均勻電場(chǎng)無極性效應(yīng)、各類電壓形式放電電壓基本相同、分散性小極不均勻電場(chǎng)中極間距離為主要影響因素、極性效應(yīng)明顯。10、電壓波形對(duì)放電電壓的影響電壓波形對(duì)均勻和稍不均勻電場(chǎng)影響不大對(duì)極不均勻電場(chǎng)影響相當(dāng)大完全對(duì)稱的極不均勻場(chǎng):棒棒間隙極大不對(duì)稱的極不均勻場(chǎng):棒板間隙磊電壓拈術(shù)11、氣體的狀態(tài)對(duì)放電電壓的影響濕度、密度、海拔高度的影響12、氣體的性質(zhì)對(duì)放電電壓的影響在間隙中加入高電強(qiáng)度氣體,可大大提高擊穿電壓,主要指一些含鹵族元素的強(qiáng)電負(fù)性氣體,SF磊電壓拈術(shù)13、提高氣體放電電壓的措施電極形狀的改進(jìn)空間電荷對(duì)原電場(chǎng)的畸變作用極不均勻場(chǎng)中屏障的采用提高氣體壓力的作用高真空高電氣強(qiáng)度氣體SF6的采用磊電壓拈術(shù)14、沿面放電的概念沿著固體介質(zhì)表面發(fā)展的氣體放電現(xiàn)象。多發(fā)生在絕緣子、套管與空氣的分界面上。15提高沿面放電電壓的措施屏障>屏蔽>表

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