材料科學(xué)基礎(chǔ)課堂講義第一章晶體學(xué)

Chapter Na和Cl在三按（CrystalStructure&Lattice結(jié)構(gòu)基本單位稱為基元。Na晶體結(jié)構(gòu)空間點(diǎn)陣r=ua+vb+坐標(biāo)軸順序?yàn)橛衣菪?guī)則成為點(diǎn)陣晶胞（Unitcells）。復(fù)雜晶胞：除在頂角外，在體心、r=xa+yb+6個(gè)點(diǎn)陣常數(shù)a,b, ?晶胞選取既反映c，夾角α,β,γ 7種初基點(diǎn)陣7種晶胞的體積不一種布喇菲點(diǎn)陣。可存在5種：12346次 元素?，反軸 點(diǎn)群（point1234m14σi4 全寫:43國(guó)際符號(hào)3個(gè)字符，1 反軸 簡(jiǎn)寫: 鏡面 m Sn:有一個(gè)n次旋轉(zhuǎn)反映軸，S代表反映;6表1.4& 3個(gè)?特點(diǎn) （P）：a,b, ? ?N和d，是沿任意2個(gè)晶軸交角平分線方向平移，空間群（space?非點(diǎn)式空間群 含有非點(diǎn)式操作的對(duì)稱元素螺旋軸和滑移面 Pnma,完全符號(hào)P212121,正交晶系，3個(gè)正交方向3個(gè)螺旋軸。 mmm 確定晶晶面與三晶軸的截距m,n,p;面指數(shù)2）取截距之倒數(shù)；43）化為最小整數(shù)4）加以圓括號(hào)，即（hkl）（001）晶面，成為Familyofnes.y {110}:(110),(110),(110),(110),(101),(101),(101),(011),(011),(011), 從原點(diǎn)作（hkl） 法線被最近的（hkl）面所交截的 *加以方括號(hào)，即[uvw]晶向族<uv<100>:[100],[010],[001],[100],[010],[111],[111],[111],[11多個(gè)晶面相交或平行于某一特定方向，則同屬于一個(gè)“晶帶此方向?yàn)榫лS(crystalzoneaxis)hu＋kv＋確定晶帶軸方向指數(shù)[uvw]：h1u＋k1v＋l1w＝0h2u＋k2v＋u:v:w k1 :l1 h1k2 l2 h2和[u2v2w2]的晶面指數(shù)(hkl)：h:k:l= v1w1:w1u1: u1v1v2 w2 u2 3軸坐標(biāo)系（a1a2,采用4軸坐標(biāo)系（a1,a2a3,c a1,a2a3軸共面，軸間夾角120度，垂直C軸 晶面指數(shù)（hkil任一平面的a1a2,a3晶面指數(shù)關(guān)系：ih+k{1010}:(1010),(0110),(1010),(0110),向則有無(wú)數(shù)個(gè)不同指數(shù)。[430]：[4300][1030]……OP在a1,a2a3軸的垂直投影OAOBOC-5/21,7/2,0，晶向指數(shù)為∝a●b×CVa●× Shkl⊥P及PQH=h(b×c)/V+k(c×a)/V+l(a×b)/VH=ha*+kb*+lc*a*=(b×c)/V;b*=(c×a)/V;c*a*,b*,c*為3個(gè)新基失形成新點(diǎn)陣——倒易a●a*=b●b*=c●ca●b*=a●c*=b●a*=b●c*=c●a*=c●b*≡0V●V*≡1 Shkl