火石創(chuàng)造：全球半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究專題報(bào)告

現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)智能服務(wù)商、中國(guó)產(chǎn)業(yè)大腦和現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)智能服務(wù)商、中國(guó)產(chǎn)業(yè)大腦和現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)智能服務(wù)商、中國(guó)產(chǎn)業(yè)大腦和全球半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究作為支撐經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)，半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)是搶抓新一輪科技和產(chǎn)業(yè)革命機(jī)遇、培育發(fā)展經(jīng)濟(jì)新動(dòng)能的戰(zhàn)略選擇，尤其是隨著數(shù)字經(jīng)濟(jì)、智能汽車等產(chǎn)業(yè)的逢勃發(fā)展，半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)以其強(qiáng)大的創(chuàng)新型、融合性、帶動(dòng)性和滲透性，成為全球經(jīng)濟(jì)和社會(huì)發(fā)展的重要推動(dòng)力。現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)智能服務(wù)商、中國(guó)產(chǎn)業(yè)大腦和產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)領(lǐng)先者火石創(chuàng)造通過洞察美國(guó)、日本、韓國(guó)等發(fā)達(dá)國(guó)家產(chǎn)業(yè)發(fā)展路徑，以期為國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供應(yīng)驗(yàn)啟示。一．美國(guó)半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)分析美國(guó)是全球半導(dǎo)體和集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)源地，無論是芯片設(shè)計(jì)、制造，還是與之密切相關(guān)的軟件工具、半導(dǎo)體設(shè)備等領(lǐng)域，美國(guó)都處于領(lǐng)先地位。隨著全球各個(gè)地區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，與美國(guó)之間的差距逐漸縮小，美國(guó)為了保持其產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢(shì)，采取了一些非常規(guī)操作來削弱日本、中國(guó)等競(jìng)爭(zhēng)者的競(jìng)爭(zhēng)力。美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)占據(jù)全球近一半的市場(chǎng)份額。全球半導(dǎo)體銷售額從2001年的1390億美元增長(zhǎng)到2022年的5740億美元，復(fù)合年增長(zhǎng)率為6.67%。其中，總部位于美國(guó)的半導(dǎo)體公司的銷售額從2001年的711億美元增長(zhǎng)到2022年的2750億美元，復(fù)合年增長(zhǎng)率為6.7%，在全球市場(chǎng)的占比達(dá)到48%。來源：火石創(chuàng)造根據(jù)公開資料整理美國(guó)半導(dǎo)體公司在主要區(qū)域保持市場(chǎng)份額領(lǐng)先地位。在所有國(guó)家和地區(qū)半導(dǎo)體市場(chǎng)，總部位于美國(guó)的公司占據(jù)了銷售市場(chǎng)份額的領(lǐng)先地位。例如，在歐洲市場(chǎng)，美國(guó)公司的市場(chǎng)份額達(dá)到了50%。在中國(guó)市場(chǎng)，美國(guó)公司的市場(chǎng)份額高達(dá)53.4%?，F(xiàn)代產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)智能服務(wù)商、中國(guó)產(chǎn)業(yè)大腦和來源：火石創(chuàng)造根據(jù)公開資料整理美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)研發(fā)支出水平高于大多數(shù)科技行業(yè)，更遠(yuǎn)高于其他國(guó)家。美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的研發(fā)支出占比在關(guān)鍵的主要高科技工業(yè)部門中名列前茅。根據(jù)2022年歐盟工業(yè)研發(fā)投資記分牌，就研發(fā)支出占銷售額的百分比而言，美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的研發(fā)占比達(dá)18.75%，僅次于美國(guó)制藥和生物技術(shù)行業(yè)的21.4%，排名第二。18.75%的研發(fā)支出占比，也遠(yuǎn)高于其他國(guó)家的研發(fā)支出水平，是中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的研發(fā)支出占比（7.6%）的近2.5倍。來源：火石創(chuàng)造根據(jù)公開資料整理美國(guó)通過補(bǔ)貼政策及打擊挑戰(zhàn)者保持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的長(zhǎng)期領(lǐng)先地位。從發(fā)展歷程來看，美國(guó)政府長(zhǎng)期采取了較大力度的補(bǔ)貼措施，長(zhǎng)期支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。在支持技術(shù)起步和商業(yè)化、進(jìn)行貿(mào)易競(jìng)爭(zhēng)、強(qiáng)化生態(tài)建設(shè)、保護(hù)供應(yīng)鏈安全等四個(gè)歷史階段，美國(guó)試圖通過半導(dǎo)體補(bǔ)貼政策長(zhǎng)期保持全球發(fā)達(dá)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)地位，并力圖在各個(gè)環(huán)節(jié)占據(jù)半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位。1、第一階段（1950-1970年）現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)智能服務(wù)商、中國(guó)產(chǎn)業(yè)大腦和美國(guó)通過國(guó)防研發(fā)支持和政府采購(gòu)支持半導(dǎo)體技術(shù)起步并實(shí)現(xiàn)領(lǐng)先。20世紀(jì)40-50年代，晶體管和集成電路先后在美國(guó)誕生并在軍事領(lǐng)域應(yīng)用，美國(guó)國(guó)防和航空航天領(lǐng)域的政府研發(fā)投入和采購(gòu)早期占據(jù)約一半的市場(chǎng)份額。60-80年代美國(guó)實(shí)施半導(dǎo)體稅收補(bǔ)貼政策促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)商業(yè)化，并進(jìn)一步出臺(tái)政府采購(gòu)多元化、減少市場(chǎng)門檻、支持中小企業(yè)發(fā)展等一系列相關(guān)措施完善產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境。2、第二階段（1980-1999年）美國(guó)簽訂貿(mào)易協(xié)議遏制競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手并促進(jìn)本土產(chǎn)業(yè)發(fā)展。20世紀(jì)80年代，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展并超越美國(guó)。為扭轉(zhuǎn)競(jìng)爭(zhēng)力下降趨勢(shì)，美國(guó)成立美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)（SIA），協(xié)調(diào)制定半導(dǎo)體貿(mào)易管制政策的半導(dǎo)體研究聯(lián)盟（SRC）組織半導(dǎo)體商業(yè)化研發(fā)。同時(shí)，美國(guó)不斷打擊日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，于1985年對(duì)日本進(jìn)行301調(diào)查，指控日本公司傾銷DRAM等產(chǎn)品。經(jīng)過談判，與日本在1986年第一次簽署《半導(dǎo)體協(xié)議》，要求日本企業(yè)購(gòu)買美國(guó)產(chǎn)品，美國(guó)企業(yè)在日本的市場(chǎng)份額達(dá)到20%。1991年，美國(guó)以美國(guó)企業(yè)在日本的市場(chǎng)份額不足20%為由與日本簽訂了第二次《半導(dǎo)體協(xié)議》。1996年，美國(guó)在日本市場(chǎng)份額超過30%，在全球市場(chǎng)份額也在30%以上，超越日本重新成為世界半導(dǎo)體第一大國(guó)。但美國(guó)還想榨干日本，想要簽訂第三次半導(dǎo)體協(xié)議。3、第三階段（2000-2018年）美國(guó)強(qiáng)化半導(dǎo)體生態(tài)建設(shè)保持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全球領(lǐng)先地位。在20世紀(jì)90年代再次取得全球領(lǐng)先地位后，美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)積極借助個(gè)人電腦、互聯(lián)網(wǎng)等帶來的發(fā)展機(jī)遇，通過產(chǎn)業(yè)生態(tài)建設(shè)推動(dòng)美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。同時(shí)，充分發(fā)揮市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)機(jī)制，降低市場(chǎng)障礙，鼓勵(lì)企業(yè)通過市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)提升競(jìng)爭(zhēng)力，更多地通過市場(chǎng)機(jī)制推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。4、第四階段（2018年至今）美國(guó)通過擴(kuò)大財(cái)政資助來吸引制造業(yè)回流保護(hù)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈安全。2018年以來，隨著亞太地區(qū)半導(dǎo)體制造和封測(cè)產(chǎn)業(yè)不斷崛起，美國(guó)政府為應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“空心化”，持續(xù)通過提供研發(fā)資金支持、出臺(tái)相關(guān)法令等吸引制造業(yè)回流和遏制海外競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。在研發(fā)支持方面，美國(guó)國(guó)防部、能源部等多部門將半導(dǎo)體視為優(yōu)先發(fā)展領(lǐng)域。在立法激勵(lì)方面，2015年，奧巴馬政府將“企業(yè)研發(fā)稅收抵免”由周期性變?yōu)橛谰眯砸怨膭?lì)半導(dǎo)體企業(yè)加大對(duì)長(zhǎng)期研發(fā)的投入。特朗普政府通過加大出口管制和提出制造業(yè)法案來鞏固美國(guó)半導(dǎo)體的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。2019年以來，美國(guó)通過將華為等多家中國(guó)企業(yè)列入實(shí)體管制清單、加大半導(dǎo)體設(shè)備和高端芯片的出口管制、半導(dǎo)體人才管制等一系列措施對(duì)全球供應(yīng)鏈造成不利沖擊。2022年8月，美國(guó)總統(tǒng)拜登簽署《2022年最高法院安全資金法案》（又稱《2022年芯片和科學(xué)法案》），向美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供約527億美元的巨額補(bǔ)貼，鼓勵(lì)半導(dǎo)體企業(yè)在美國(guó)建廠?，F(xiàn)代產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)智能服務(wù)商、中國(guó)產(chǎn)業(yè)大腦和來源：火石創(chuàng)造根據(jù)公開資料整理總體來看，美國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展主要有以下幾個(gè)特點(diǎn):1、長(zhǎng)久的技術(shù)積累和持續(xù)的技術(shù)研發(fā)提升競(jìng)爭(zhēng)力。政府大力支持技術(shù)起步和商業(yè)化，并構(gòu)建良好的生態(tài)環(huán)境支持行業(yè)可持續(xù)發(fā)展。2、行業(yè)規(guī)則、框架、標(biāo)準(zhǔn)的制定者主導(dǎo)行業(yè)發(fā)展方向。建立半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、研究聯(lián)盟等機(jī)構(gòu)，聯(lián)合企業(yè)制定行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。3、通過產(chǎn)業(yè)并購(gòu)不斷鞏固領(lǐng)先地位。鼓勵(lì)和支持龍頭企業(yè)不斷并購(gòu)國(guó)內(nèi)外優(yōu)質(zhì)資產(chǎn)，提升產(chǎn)業(yè)影響力和企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力。4、制定多元化的政策支持體系。政府提供研發(fā)補(bǔ)貼、市場(chǎng)準(zhǔn)入、政府采購(gòu)、稅收優(yōu)惠支持以及貿(mào)易投資限制等變相支持措施，扶持本土企業(yè)發(fā)展。5、遏制競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手并促進(jìn)本土產(chǎn)業(yè)發(fā)展。日本從1963年開始用20多年時(shí)間居全國(guó)之力發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，被美國(guó)用10年時(shí)間擊垮。二．日本半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)分析日本在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程中曾創(chuàng)造了“輝煌”的歷史。20世紀(jì)80年代，日本在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的份額約為50%，一度超過了美國(guó)。但隨后日本的產(chǎn)業(yè)影響力逐年下降，近年來更是被中國(guó)、韓國(guó)等趕超，全球市場(chǎng)份額已大幅下滑。日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展究竟經(jīng)歷了什么？在哪些細(xì)分領(lǐng)域還擁有較大優(yōu)勢(shì)？日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)版圖中的重要一環(huán)，擁有一大批知名的半導(dǎo)體企業(yè)。從引進(jìn)美國(guó)技術(shù)到自主創(chuàng)新，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速崛起，并在20世紀(jì)80年代超越美國(guó)占據(jù)“頭把交椅”。雖然后面受美國(guó)打壓，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)影響力持續(xù)下滑，但在半導(dǎo)體材料、設(shè)備、功率半導(dǎo)體等領(lǐng)域依然擁有強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)力，并積累形成了大一批知名企業(yè)，主要分布在東京和九州硅島。例如，現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)智能服務(wù)商、中國(guó)產(chǎn)業(yè)大腦和東京電子、迪恩士（SCREEN）、羅姆、尼康、鎧俠、瑞薩、東芝、日亞化學(xué)、大日本印刷、凸版印刷、大陽(yáng)日酸、關(guān)東電化、日立化成、富士美、東京應(yīng)化、JSR、信越化學(xué)等代表性企業(yè)，在細(xì)分領(lǐng)域都擁有很強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力。地區(qū)優(yōu)勢(shì)領(lǐng)域相關(guān)說明重點(diǎn)企業(yè)九州硅島膠等云集了超過1000家半導(dǎo)體相關(guān)制造廠，約占全球產(chǎn)量的5%，以生產(chǎn)制造為主東麗、三菱、富士通東京半導(dǎo)體制造涂布/顯像設(shè)備、熱處理設(shè)備等，功率半導(dǎo)體，半導(dǎo)體材料東京電子、瑞薩、Sumco、日立高科、迪斯科、愛德萬測(cè)試來源：火石創(chuàng)造根據(jù)公開資料整理半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)曾經(jīng)風(fēng)光無限，但現(xiàn)在已逐漸演變?yōu)檎蔚谰摺?019年，日本限制向韓國(guó)出口氟化聚酰亞胺、光刻膠和高純氟化氫3種半導(dǎo)體工藝材料，而韓國(guó)在氟化聚酰亞胺、光刻膠、高純度氟化氫三種材料上對(duì)日本依賴度分別高達(dá)93.7%、91.9%、43.9%，一度打亂韓國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)程，直到2023年雙方才達(dá)成和解。2023年3月，日本稱從7月開始將把6類23種高端半導(dǎo)體制造設(shè)備（14nm-10nm制程以下）加入到對(duì)華出口管制對(duì)象，涉及芯片清潔、沉積、光刻、蝕刻等環(huán)節(jié)。在地緣政治摩擦之下以及受美國(guó)的鉗制影響下，日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)想要重新崛起，難度或?qū)⑹志薮?。日本政府集中資源十分重視研發(fā)，支持大規(guī)模投資生產(chǎn)并參與全球競(jìng)爭(zhēng)。日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展大致有以下幾個(gè)階段：1、以引進(jìn)美國(guó)技術(shù)為主的起步階段（1950-1970年）：主要從美國(guó)引進(jìn)半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)。1953年，東京通信工程株式會(huì)社以2.5萬美元的白菜價(jià)從美國(guó)西屋電氣引進(jìn)了世界最先進(jìn)的晶體管技術(shù)。借助這項(xiàng)技術(shù)，會(huì)社在1955年生產(chǎn)了世界上第一款袖珍收音機(jī)并正式改名“索尼”。1957年，日本政府頒布《電子工業(yè)振興臨時(shí)措施法》，通過立法扶持電子產(chǎn)業(yè)，支持日本企業(yè)學(xué)習(xí)美國(guó)先進(jìn)技術(shù)來發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。1962年，日本NEC從美國(guó)仙童半導(dǎo)體購(gòu)買了平面光刻的生產(chǎn)工藝，擁有了集成電路的制造能力，同期日立、東芝和美國(guó)的RCA、通用電氣等達(dá)成了技術(shù)轉(zhuǎn)讓協(xié)議。1963年，日本政府要求NEC將獲得的半導(dǎo)體技術(shù)與其他企業(yè)分享，由此三菱等企業(yè)也開始進(jìn)入半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。1968年，索尼和德州儀器成立合資公司。日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)就此形成。2、以自主研發(fā)為主的厚積薄發(fā)階段（1970-1985年“官產(chǎn)學(xué)”一體的科研體系促進(jìn)自主研發(fā)和國(guó)產(chǎn)化。在代工與技術(shù)引進(jìn)的基礎(chǔ)上，日本在20世紀(jì)70年代開始使用“官產(chǎn)學(xué)”三位一體的科研體系。典型的有VLSI計(jì)劃（超大規(guī)模集成電路研究計(jì)劃），該計(jì)劃由日本通產(chǎn)省牽頭，以日立、三菱、富士通、東芝、日本電氣五大公司為骨干，投資700多億日元。通過舉國(guó)體制集中人才等各類優(yōu)勢(shì)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，極大地促進(jìn)各企業(yè)間的交流，日本的半導(dǎo)體水平逐漸趕上美國(guó)，在特定的一些領(lǐng)域則超過美國(guó)。1982年，日本成為全球最大的DRAM生產(chǎn)國(guó)。1985現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)智能服務(wù)商、中國(guó)產(chǎn)業(yè)大腦和年，日本第一次在市占率上超越美國(guó)，成為全球最大半導(dǎo)體生產(chǎn)國(guó)。同期，日本快速推進(jìn)半導(dǎo)體相配套的設(shè)備、材料的國(guó)產(chǎn)化。20世紀(jì)80年代，日本在半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈都擁有很強(qiáng)的話語(yǔ)權(quán)。3、受美國(guó)打壓為主的衰落階段（1985-2000年美國(guó)打壓、脫離全球產(chǎn)業(yè)鏈等導(dǎo)致產(chǎn)業(yè)衰落。日制DRAM在質(zhì)量、價(jià)格和交貨時(shí)間方面均獲得很高評(píng)價(jià)，使得80年代日制DRAM在全球市場(chǎng)中所占份額不斷上升，1982年超越美國(guó)，1987年達(dá)到頂峰約80%。多年以來日本企業(yè)一直都在快速擴(kuò)張市場(chǎng)，卻忽略了大部分技術(shù)都是從美國(guó)學(xué)來的。1985年美國(guó)針對(duì)日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)起301調(diào)查，先后于1986年、1991年簽訂達(dá)成第一次、第二次半導(dǎo)體協(xié)議，使得日本半導(dǎo)體廠商的價(jià)格優(yōu)勢(shì)喪失，份額逐漸受到韓國(guó)及中國(guó)臺(tái)灣新興廠商的侵蝕。此外，日本采取了與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)不同的產(chǎn)品設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)，變向保護(hù)了本國(guó)市場(chǎng)，卻脫離了全球產(chǎn)業(yè)鏈。4、產(chǎn)業(yè)整體衰落伴隨實(shí)力分化為主的階段（2000年至今政府大力投入但無法挽救衰落，逐漸往產(chǎn)業(yè)鏈上游實(shí)力分化。2000年后，日本政府對(duì)科學(xué)技術(shù)發(fā)展進(jìn)行高額預(yù)算資金投入但依舊無法挽救日益走向衰落的產(chǎn)業(yè)。日本很注重基礎(chǔ)研究，但始終無法獲得成功，主要原因就在于無法將技術(shù)變?yōu)楫a(chǎn)品，將產(chǎn)品塑造成模式。傳統(tǒng)經(jīng)營(yíng)理念根深蒂固、業(yè)務(wù)分離不徹底等限制了企業(yè)的轉(zhuǎn)型發(fā)展。2002年，NEC將半導(dǎo)體業(yè)務(wù)獨(dú)立出來成為子公司。2003年，日立和三菱的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門合并，成立瑞薩科技。在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)成為獨(dú)立部門之初，企業(yè)都計(jì)劃將其轉(zhuǎn)型為水平分工模式，即工廠單獨(dú)分離成代工企業(yè)，但都沒有很好的執(zhí)行下去，限制了企業(yè)的轉(zhuǎn)型發(fā)展。目前日本廠商主要針對(duì)NANDFlash、CIS（CMOS圖像傳感器）、汽車電子、功率分立器件等細(xì)分品類，在高端數(shù)字電路方面涉足不多。但值得注意的是，日本的技術(shù)實(shí)力依舊十分強(qiáng)大，許多人將這段時(shí)間稱為“失去的二十年”，實(shí)際上日本已經(jīng)悄無聲息的完成了從產(chǎn)品到產(chǎn)業(yè)鏈上游的轉(zhuǎn)型。得益于良好的工業(yè)基礎(chǔ)和持續(xù)的技術(shù)積累，日本在材料和設(shè)備領(lǐng)域具有較強(qiáng)優(yōu)勢(shì)，仍在全球市場(chǎng)占據(jù)非常重要的地位。來源：火石創(chuàng)造根據(jù)公開資料整理日本發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的主要特征:1、集中研發(fā)高投入，從國(guó)外引進(jìn)技術(shù)到產(chǎn)官學(xué)自主研發(fā)。舉國(guó)體制是日本實(shí)現(xiàn)電子行業(yè)追趕的有效模式，快速推進(jìn)了新技術(shù)和新產(chǎn)品的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。2、參與市場(chǎng)化競(jìng)爭(zhēng)，成本質(zhì)量?jī)?yōu)勢(shì)取勝。日本非常注重質(zhì)量管理體系和產(chǎn)品質(zhì)量，又在美國(guó)市場(chǎng)拓展上采用“價(jià)格永遠(yuǎn)低10%”策略的價(jià)格戰(zhàn)，很快擴(kuò)大了全球市場(chǎng)份額。3、政府出臺(tái)優(yōu)惠政策，大力扶持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。從起步階段密集的產(chǎn)業(yè)政策扶持，到2022年《半導(dǎo)體援助法》，再到2023年3月公布的“半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)緊急強(qiáng)化方案”，政府政策扶持伴隨著產(chǎn)業(yè)發(fā)展的整個(gè)歷程。4、貿(mào)易戰(zhàn)下妥協(xié)簽訂半導(dǎo)體協(xié)議，導(dǎo)致發(fā)展環(huán)境惡劣。美國(guó)曾經(jīng)兩次逼迫日本簽訂半導(dǎo)體協(xié)議，雖然第三次逼迫簽訂半導(dǎo)體協(xié)議失敗，遭到打擊的日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速衰落。5、脫離全球產(chǎn)業(yè)鏈，保護(hù)本國(guó)市場(chǎng)但失去了全球市場(chǎng)。在國(guó)際分工合作的趨勢(shì)下，日本采取了與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)不同的產(chǎn)品設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)，變向保護(hù)了本國(guó)市場(chǎng)，卻脫離了全球產(chǎn)業(yè)鏈，無法參與到國(guó)際合作中。例如，日本在2G技術(shù)中沒有采用通用的GSM標(biāo)準(zhǔn)而是采用獨(dú)特PDC標(biāo)準(zhǔn)，國(guó)外手機(jī)廠商無法進(jìn)入日本，日本的手機(jī)廠商也很難打開海外市場(chǎng)，后面重新放開也依舊錯(cuò)失產(chǎn)業(yè)發(fā)展時(shí)機(jī)。三、韓國(guó)半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)分析韓國(guó)是成功實(shí)現(xiàn)“逆襲”的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)強(qiáng)國(guó)。在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)想要實(shí)現(xiàn)后來者居上難度非常大，但縱觀韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展史，真正實(shí)現(xiàn)了“逆襲”。1959年，LG公司的前身“金星社”生產(chǎn)出韓國(guó)第一臺(tái)真空管收音機(jī)迎來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的開端，晚于日本的1955年、中國(guó)的1958年，但如今韓國(guó)已然成為全球半導(dǎo)體強(qiáng)國(guó)，在存儲(chǔ)、設(shè)備/材料、CIS、晶圓代工、邏輯芯片等領(lǐng)域，都走上了國(guó)產(chǎn)化之路。韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力強(qiáng)。存儲(chǔ)領(lǐng)域，韓國(guó)從追隨者成為領(lǐng)跑者。存儲(chǔ)領(lǐng)域曾經(jīng)由美國(guó)主導(dǎo)了十年，而后日本接棒又坐了十年頭把交椅，90年代后韓國(guó)憑借著DRAM的飛速發(fā)展，再加上美國(guó)對(duì)日本的壓制，摘下世界第一的桂冠，并持續(xù)到了今天。研究機(jī)構(gòu)ICInsights的數(shù)據(jù)顯示，在2021年DRAM市場(chǎng)中，三星以43.6%的份額占據(jù)第一，SK海力士市占比為27.7%。美光排名第三，市占比為22.8%，僅韓國(guó)兩大公司就包攬了71.3%。設(shè)備/材料領(lǐng)域，韓國(guó)國(guó)產(chǎn)化替代不斷取得突破。2019年爆發(fā)的“日韓半導(dǎo)體之爭(zhēng)”中，韓國(guó)受傷最嚴(yán)重的就是光刻膠。根據(jù)韓國(guó)貿(mào)易協(xié)會(huì)2018年數(shù)據(jù)顯示，韓國(guó)93.2%的光刻膠都依賴日本進(jìn)口。2022年12月，三星首次引入韓國(guó)本土公司東進(jìn)世美肯(DongjinSemichem)研發(fā)的EUV光刻膠(EUVPR)進(jìn)入其量產(chǎn)線,這是三星進(jìn)行光刻膠本土量產(chǎn)的首次嘗試。DongjinSemichem在日本出口管制之后就開始著手研發(fā)光刻膠，并于2020年聘任ASMLKorea前CEOKimYoung-sun為副會(huì)長(zhǎng)，為進(jìn)軍EUVPR業(yè)務(wù)打下基礎(chǔ)，現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)智能服務(wù)商、中國(guó)產(chǎn)業(yè)大腦和2021年年底通過三星電子的可靠性測(cè)試。經(jīng)過三年的努力，韓國(guó)實(shí)現(xiàn)了光刻膠本地化生產(chǎn)。在半導(dǎo)體設(shè)備方面，韓國(guó)WonikQ&C首席執(zhí)行官BaekHong-joo在TechKorea2022透露，目前蝕刻（50%）、測(cè)量分析（30%）、曝光(0%)、離子注入(0%)，韓國(guó)在半導(dǎo)體測(cè)試等后道領(lǐng)域的國(guó)產(chǎn)化已經(jīng)取得重大進(jìn)展，半導(dǎo)體前道中只有光刻機(jī)和離子注入仍處于零國(guó)產(chǎn)化地步。晶圓代工領(lǐng)域，韓國(guó)已經(jīng)取得了全球第二的成績(jī)。在晶圓代工領(lǐng)域，韓國(guó)的市場(chǎng)份額雖然遠(yuǎn)不及中國(guó)臺(tái)灣，但也位居全球第二。目前，韓國(guó)代表性晶圓代工廠主要是三星電子、SKHynixSystemIC、KeyFoundry、DBHitech等。其中，三星電子被視為是唯一一家能夠與臺(tái)積電在5nm以下先進(jìn)制程上一較高下的代工廠。2022年6月，三星電子領(lǐng)先臺(tái)積電成為全球第一家正式量產(chǎn)3nm的半導(dǎo)體廠商。在先進(jìn)工藝方面，三星電子計(jì)劃2023年推出第二代3nm，2025年量產(chǎn)2nm，2027年推出1.4nm，到2030年基于EUV技術(shù)趕上臺(tái)積電。韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主要集中在京畿道、忠清道地區(qū)，其中，在首爾以南的京畿道地區(qū)被稱為韓國(guó)的“硅谷”。地區(qū)優(yōu)勢(shì)領(lǐng)域相關(guān)說明重點(diǎn)企業(yè)京畿道存儲(chǔ)芯片近60%的半導(dǎo)體設(shè)備相關(guān)企業(yè)成立四大大型半導(dǎo)體廠商，以及約50家上下游供應(yīng)商地、SK海力士利川基地忠清道地區(qū)半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備規(guī)劃2030年建成半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群，大廠周圍密集分布著各類配套企業(yè)SK海力士晶圓生產(chǎn)基地圖1：韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主要分布區(qū)域及重點(diǎn)企業(yè)來源：火石創(chuàng)造根據(jù)公開資料整理韓國(guó)政府通過政策先行，推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展。韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有明顯的政府和財(cái)團(tuán)主導(dǎo)特點(diǎn)，發(fā)展大致經(jīng)歷四個(gè)階段：1、以來料加工模式為主的起步階段（1959-1970年）：1959年，LG公司的前身“金星社”研制、生產(chǎn)出韓國(guó)的第一臺(tái)真空管收音機(jī)，被視為韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的啟航。韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最早作為美日半導(dǎo)體廠商投資為主的組裝基地開始起步，利用韓國(guó)廉價(jià)勞動(dòng)力的來料加工模式，產(chǎn)品主要為記憶芯片、二極管、三極管等。為了吸引外資和技術(shù)，韓國(guó)政府放寬了對(duì)外投資限制，導(dǎo)致大量外國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)進(jìn)入韓國(guó)市場(chǎng)，并采取來料加工的模式進(jìn)行生產(chǎn)，獲得高額利潤(rùn)。2、以引進(jìn)技術(shù)為主的發(fā)展階段（1971-1979年）：20世紀(jì)70年代，由于韓國(guó)電子企業(yè)嚴(yán)重缺乏自主技術(shù)，政府制定施政綱領(lǐng)，強(qiáng)調(diào)獲取半導(dǎo)體技術(shù)能力的重要性，并陸續(xù)從美國(guó)和日本獲得半導(dǎo)體工業(yè)所需技術(shù)。外商在韓國(guó)踴躍開設(shè)半導(dǎo)體工廠的同時(shí)，韓國(guó)政府和企業(yè)也沒有放棄自主研發(fā)半導(dǎo)體技術(shù)的努力。1975年，韓國(guó)政府公布了扶持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的六年計(jì)劃，強(qiáng)調(diào)實(shí)現(xiàn)電子配件及半導(dǎo)體生產(chǎn)的本土化，而非通過跨國(guó)公司的投資發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。這無疑為韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來的自主發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。3、以自主創(chuàng)新為主的快速趕超階段（1980-1999年20世紀(jì)80年代到90年代，韓國(guó)政府密集出臺(tái)扶持政策推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展。從1982年的“半導(dǎo)體工業(yè)扶持計(jì)劃”，到1986現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)智能服務(wù)商、中國(guó)產(chǎn)業(yè)大腦和年的《超大規(guī)模集成電路技術(shù)共同開發(fā)計(jì)劃》，1994年的《半導(dǎo)體芯片保護(hù)法》，再到1997年實(shí)施新一代半導(dǎo)體基礎(chǔ)技術(shù)開發(fā)項(xiàng)目，支持力度很大。另一方面，進(jìn)入80年代后，開始茁壯成長(zhǎng)的韓國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)抓住了一個(gè)良好的發(fā)展契機(jī)--選擇DRAM作為發(fā)展重點(diǎn)。三星、現(xiàn)代、LG參與DRAM為主的大規(guī)模芯片生產(chǎn)，1986年進(jìn)入存儲(chǔ)器自主研發(fā)，1999年后三星成為韓國(guó)第一大集團(tuán)，韓國(guó)DRAM市占率超過日本。4、以國(guó)產(chǎn)化為主的新發(fā)展階段（2000年至今2000年以后，韓國(guó)邁入以國(guó)產(chǎn)化為主的新發(fā)展階段。三星開始進(jìn)軍晶圓代工行業(yè)，業(yè)務(wù)取得飛速發(fā)展，尋找到了新的增長(zhǎng)點(diǎn)。以韓國(guó)SK集團(tuán)為代表的財(cái)閥加速進(jìn)入半導(dǎo)體行業(yè)，并多次在行業(yè)發(fā)展的低谷期逆周期投資，渡過了發(fā)展困境并迅速發(fā)展壯大。與此同時(shí)，韓國(guó)政府陸續(xù)出臺(tái)半導(dǎo)體研發(fā)、基礎(chǔ)相關(guān)的重大計(jì)劃，助力半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化、先進(jìn)技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化等。2018年，韓國(guó)政府出臺(tái)半導(dǎo)體研發(fā)國(guó)家政策計(jì)劃，該計(jì)劃主要包括人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、新世代半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備及材料三大領(lǐng)域。2021年，韓國(guó)政府公布了半導(dǎo)體戰(zhàn)略規(guī)劃，政府將聯(lián)合企業(yè)一起建立集半導(dǎo)體生產(chǎn)、原材料、零部件、設(shè)備和尖端設(shè)備、設(shè)計(jì)等為一體的高效產(chǎn)業(yè)集群，目標(biāo)在2030年前構(gòu)建全球最大規(guī)模的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈。2023年5月，韓國(guó)政府發(fā)布半導(dǎo)體技術(shù)路線圖，涵蓋下一代存儲(chǔ)器半導(dǎo)體、人工智能（AI）、6G網(wǎng)絡(luò)、電力和汽車的芯片設(shè)計(jì)技術(shù)以及微粒化和封裝技術(shù)的發(fā)展等。圖2：韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程來源：火石創(chuàng)造根據(jù)公開資料整理總體來看，韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主要特征有：1、政府持續(xù)政策支持與大量投入。在韓國(guó)引進(jìn)技術(shù)發(fā)展、自主創(chuàng)新快速發(fā)展的階段，政府不斷出臺(tái)半導(dǎo)體及集成電路領(lǐng)域的扶持計(jì)劃，實(shí)施重大項(xiàng)目，并投入巨額資金持續(xù)對(duì)半導(dǎo)體開發(fā)進(jìn)行投入。受益于政策和資金持續(xù)大量投入，促進(jìn)了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)超越。2020年以來，韓國(guó)政府更是將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上升到一個(gè)全新的高度，密集出臺(tái)國(guó)家層面促進(jìn)半導(dǎo)體發(fā)展的各類重大發(fā)展戰(zhàn)略，確保技術(shù)領(lǐng)先和保持競(jìng)爭(zhēng)力。2、龍頭企業(yè)和財(cái)團(tuán)逆周期投資。從歷史經(jīng)驗(yàn)來看，三星DRAM業(yè)務(wù)依托政府背書穩(wěn)居龍頭地位。20世紀(jì)80年代DRAM市場(chǎng)景氣不佳，到1986年底，三星半導(dǎo)體累計(jì)虧損達(dá)3億美元，盡管美日多家公司縮減產(chǎn)能或退出市場(chǎng)，但三星仍依靠政府的扶持進(jìn)行逆周期投資。據(jù)統(tǒng)計(jì)，2000-2010年間三星電子從韓國(guó)政府獲得的稅收減免共計(jì)約87億美元，對(duì)企業(yè)的發(fā)展提供了巨大的支持。3、高度重視研發(fā)創(chuàng)新以及國(guó)產(chǎn)化。在完成技術(shù)轉(zhuǎn)移后，韓國(guó)政府出臺(tái)了技術(shù)創(chuàng)新、金融、稅收等多項(xiàng)政策措施大力扶持國(guó)內(nèi)研發(fā)和制造，促進(jìn)本土企業(yè)快速吸納先進(jìn)技術(shù)、提高創(chuàng)新能力并構(gòu)建起自己的產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)。例如，三星集團(tuán)的快速崛起，離不開韓國(guó)政府在技術(shù)引進(jìn)、技術(shù)創(chuàng)新、稅收優(yōu)惠等方面的大力支持。在“日韓半導(dǎo)體之爭(zhēng)”后，非常重視光刻膠的國(guó)產(chǎn)化，歷經(jīng)三年的持續(xù)投入最終實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化替代。4、十分重