二三極管課件

國(guó)產(chǎn)三極管的命名方式3DG6三極管表示器件材料和極性高頻管設(shè)計(jì)序號(hào)A：PNP鍺材料B：NPN鍺材料D：NPN硅材料C：PNP硅材料國(guó)產(chǎn)三極管的命名方式3DG6三極管表示器件材料和1三極管的不同封裝形式金屬封裝塑料封裝大功率管中功率管三極管的不同封裝形式金屬封裝塑料封裝大功率管中功率管2半導(dǎo)體三極管的結(jié)構(gòu)示意圖如下圖所示。它有兩種類(lèi)型:NPN型和PNP型。兩種類(lèi)型的三極管發(fā)射結(jié)(Je)

集電結(jié)(Jc)

基極，用B或b表示（Base）

發(fā)射極，用E或e表示（Emitter）；集電極，用C或c表示（Collector）。

發(fā)射區(qū)集電區(qū)基區(qū)三極管符號(hào)三極管的結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體三極管的結(jié)構(gòu)示意圖如下圖所示。它有兩3

結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：?發(fā)射區(qū)的摻雜濃度最高；?集電區(qū)摻雜濃度低于發(fā)射區(qū)，且面積大；?基區(qū)很薄，一般在幾個(gè)微米至幾十個(gè)微米，且摻雜濃度最低。管芯結(jié)構(gòu)剖面圖結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：?發(fā)射區(qū)的摻雜濃度最高；?集電區(qū)摻雜濃度低4三極管的電流分配與放大作用正常放大時(shí)外加偏置電壓的要求bc結(jié)反偏be結(jié)正偏問(wèn)：若為PNP管，圖中電源極性如何？發(fā)射結(jié)應(yīng)加正向電壓（正向偏置）集電結(jié)應(yīng)加反向電壓（反向偏置）三極管的電流分配與放大作用正常放大時(shí)外加偏置電壓的要求bc結(jié)5三極管內(nèi)載流子的傳輸過(guò)程動(dòng)畫(huà)2－1三極管內(nèi)載流子的傳輸過(guò)程動(dòng)畫(huà)2－16三極管內(nèi)載流子的傳輸過(guò)程2.電子在基區(qū)中的擴(kuò)散與復(fù)合3.集電區(qū)收集擴(kuò)散過(guò)來(lái)的電子另外,基區(qū)集電區(qū)本身存在的少子，在集電結(jié)上存在漂移運(yùn)動(dòng)，由此形成電流ICBO三極管內(nèi)有兩種載流子參與導(dǎo)電，故稱(chēng)此種三極管為雙極型三極管，記為BJT1.發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入電子三極管內(nèi)載流子的傳輸過(guò)程2.電子在基區(qū)中的擴(kuò)散與復(fù)合3.集電7IE=IB＋I(xiàn)C三極管三個(gè)電極間的分配關(guān)系IE=IBN＋I(xiàn)CNIB=IBN－ICBOIC=ICN＋I(xiàn)CBOIE=IB＋I(xiàn)C三極管三個(gè)電極間的分配關(guān)系IE=IBN＋I(xiàn)C8較大的ΔiE如(1mA)ΔVO=ΔiCRL(較大)ΔiC(較大)如(0.98mA)較小ΔVI如(20mV)三極管的放大作用正向時(shí)PN結(jié)電流與電壓成指數(shù)關(guān)系ΔVO

iB=IB+△iBiC=iE=IC+ΔiCiE=IE+ΔiE+-+_ecbRLΔVI電壓放大倍數(shù)三極管基區(qū)的電流傳遞作用較大的ΔiE如(1mA)ΔVO=ΔiCRL(較大)ΔiC(9三極管的放大作用,主要是依靠它的IE能通過(guò)基區(qū)傳輸,然后順利到達(dá)集電極而實(shí)現(xiàn)的。故要保證此傳輸,一方面要滿(mǎn)足內(nèi)部條件,即發(fā)射區(qū)摻雜濃度要遠(yuǎn)大于基區(qū)摻雜濃度,基區(qū)要薄;另一方面要滿(mǎn)足外部條件,即發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)要反偏。輸入電壓的變化,是通過(guò)其改變輸入電流,再通過(guò)輸入電流的傳輸去控制輸出電壓的變化,所以是一種電流控制器件。兩個(gè)要點(diǎn)三極管的放大作用,主要是依靠它的IE能通過(guò)基區(qū)傳輸,然后順利10§2.2.2三極管的特性三極管在電路中的連接方式共基極連接共集電極連接共發(fā)射極連接§2.2.2三極管的特性三極管在電路中的連接方式共基極連11三極管的特性曲線(xiàn)特性曲線(xiàn)是指各電極之間的電壓與電流之間的關(guān)系曲線(xiàn)概念輸入特性曲線(xiàn)輸出特性曲線(xiàn)三極管的特性曲線(xiàn)特性曲線(xiàn)是指各電極之間的電壓與電流之間的關(guān)系12vCE=0V+-bce共射極放大電路VBBVCCvBEiCiB+-vCE

iB=f(vBE)

vCE=const(2)當(dāng)集電結(jié)進(jìn)入反偏狀態(tài)時(shí)，vCB=vCE-vBE隨著vCE的增大而增大，集電結(jié)的反偏加強(qiáng)。由于基區(qū)的寬度調(diào)制效應(yīng)，基區(qū)變窄，基區(qū)復(fù)合減少，同樣的vBE下IB減小，特性曲線(xiàn)右移。vCE=0VvCE

1V(1)當(dāng)vCE=0V時(shí)，相當(dāng)于發(fā)射結(jié)的正向伏安特性曲線(xiàn)。1.輸入特性曲線(xiàn)

BJT的特性曲線(xiàn)（以共射極放大電路為例）輸入電流與輸入電壓間的關(guān)系曲線(xiàn)當(dāng)

vCE>1V以后，由于集電結(jié)的反偏電壓可以在單位時(shí)間內(nèi)將所有到達(dá)集電結(jié)邊上的載流子拉到集電極，故iC不隨vCE變化，所以同樣的vBE下的iB不變，特性曲線(xiàn)幾乎重疊。vCE=0V+-bce共射極放大電路VBBVCCvBEi13iC=f(vCE)

iB=const2.輸出特性曲線(xiàn)

BJT的特性曲線(xiàn)輸出電流與輸出電壓間的關(guān)系曲線(xiàn)+-bce共射極放大電路VBBVCCvBEiCiB+-vCE輸出特性曲線(xiàn)的三個(gè)區(qū)域:飽和區(qū)：的區(qū)域，發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏。

iC明顯受vCE控制的區(qū)域，但不隨iB的增加而增大。在飽和區(qū)，可近似認(rèn)為vCE保持不變。對(duì)于小功率硅管，一般vCES＝0.2V。放大區(qū)：此時(shí)，發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。iC不隨vCE變化，但隨iB的增大而線(xiàn)性增大，且截止區(qū)：iB=0的輸出曲線(xiàn)以下的區(qū)域。此時(shí)，發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均反偏。iC只有很小的反向電流。iC=f(vCE)iB=const2.輸出特性曲線(xiàn)14如何判斷三極管的電極、管型和材料發(fā)射結(jié)處于正向偏置，且對(duì)于硅管|VBE|=0.7V，鍺管|VBE|=0.2V；集電結(jié)處于反向偏置，且|VCB|＞1V；NPN管集電極電位比發(fā)射極電位高，PNP管集電極電位比發(fā)射極電位低。當(dāng)三極管在電路中處于放大狀態(tài)時(shí)如何判斷三極管的電極、管型和材料發(fā)射結(jié)處于正向偏置，15例題一個(gè)BJT在電路中處于正常放大狀態(tài)，測(cè)得A、B和C三個(gè)管腳對(duì)地的直流電位分別為6V，0.6V，1.3V。試判別三個(gè)管腳的極名、是硅管還是鍺管？NPN型還是PNP型？－集電極管子為NPN管C－基極，B－發(fā)射極另一例題參見(jiàn)P302.2.2-1例題一個(gè)BJT在電路中處于正常放大狀態(tài)，測(cè)得A、B和C三個(gè)管16§2.2.3三極管的主要參數(shù)三極管的參數(shù)是用來(lái)表征管子性能優(yōu)劣適應(yīng)范圍的，是選管的依據(jù)，共有以下三大類(lèi)參數(shù)。電流放大系數(shù)極間反向電流極限參數(shù)§2.2.3三極管的主要參數(shù)三極管的參數(shù)是用來(lái)表征管子性17電流放大系數(shù)交流電流放大系數(shù)bb=DIC/DIB?vCE=constb=IC/IB|

vCE

=const直流電流放大系數(shù)b共射電流放大系數(shù)+-bce共射極放大電路VBBVCCvBEiCiB+-vCE電流放大系數(shù)交流電流放大系數(shù)bb=DIC/DIB?vCE=18電流放大系數(shù)直流電流放大系數(shù)α=ΔiC/ΔiEα=IC/IE共基電流放大系數(shù)交流電流放大系數(shù)電流放大系數(shù)直流電流放大系數(shù)α=ΔiC/ΔiEα=IC/I19α與β間的關(guān)系α與β間的關(guān)系20

(2)集電極發(fā)射極間的反向飽和電流ICEO

ICEO=（1+）ICBO

極間反向電流ICEO

(1)集電極基極間反向飽和電流ICBO

發(fā)射極開(kāi)路時(shí)，集電結(jié)的反向飽和電流。

即輸出特性曲線(xiàn)IB=0那條曲線(xiàn)所對(duì)應(yīng)的Y坐標(biāo)的數(shù)值。ICEO也稱(chēng)為集電極發(fā)射極間穿透電流。(2)集電極發(fā)射極間的反向飽和電流ICEO極間21極限參數(shù)集電極最大允許電流ICM集電極最大允許功率損耗PCM三極管正常工作時(shí)集電極所允許的最大工作電流PCM值與環(huán)境溫度有關(guān)，溫度愈高，則PCM值愈小。當(dāng)超過(guò)此值時(shí)，管子性能將變壞或燒毀。極限參數(shù)集電極最大允許電流ICM集電極最大允許功率損耗PCM22反向擊穿電壓V(BR)EBO：集電極開(kāi)路時(shí)發(fā)射極-基極間的反向擊穿電壓。V(BR)CBO：發(fā)射極開(kāi)路時(shí)集電極-基極間的反向擊穿電壓。V(BR)CEO：基極開(kāi)路時(shí)集電極-發(fā)射極間的反向擊穿電壓反向擊穿電壓V(BR)EBO：集電極開(kāi)路時(shí)發(fā)射極-基極間的反23安全工作區(qū)由ICM、V(BR)CEO、及PCM三個(gè)極限參數(shù)可畫(huà)出三極管的安全工作區(qū)圖。安全工作區(qū)由ICM、V(BR)CEO、及PCM三個(gè)極限參數(shù)可24§2.2.4三極管的模型三極管的簡(jiǎn)化直流模型截止模型飽和模型放大模型§2.2.4三極管的模型三極管的簡(jiǎn)化直流模型截止模型飽和25建立小信號(hào)模型的意義建立小信號(hào)模型的思路

當(dāng)放大電路的輸入信號(hào)電壓很小時(shí)，就可以把三極管小范圍內(nèi)的特性曲線(xiàn)近似地用直線(xiàn)來(lái)代替，從而可以把三極管這個(gè)非線(xiàn)性器件所組成的電路當(dāng)作線(xiàn)性電路來(lái)處理。

由于三極管是非線(xiàn)性器件，這樣就使得放大電路的分析非常困難。建立小信號(hào)模型，就是將非線(xiàn)性器件做線(xiàn)性化處理，從而簡(jiǎn)化放大電路的分析和設(shè)計(jì)。三極管的小信號(hào)模型建立小信號(hào)模型的意義建立小信號(hào)模型的思路當(dāng)放26三極管的小信號(hào)模型H參數(shù)的引出將共射連接三極管看成一雙端口網(wǎng)絡(luò)輸入輸出端口的函數(shù)表達(dá)式ebc三極管的小信號(hào)模型H參數(shù)的引出將共射連接三極管看成一雙端口網(wǎng)27對(duì)輸入輸出端口的兩函數(shù)表達(dá)式求微分用相關(guān)符號(hào)取代上式中的微分量后得微分量用交流量取代，偏微分量用H參數(shù)取代對(duì)輸入輸出端口的兩函數(shù)表達(dá)式求微分用相關(guān)符號(hào)取代上式中的微分28H參數(shù)物理含義輸出端交流短路時(shí)的輸入電阻，即

rbe。

輸入端交流開(kāi)路時(shí)的反向電壓傳輸系數(shù)，即

輸出端交流短路時(shí)的電流放大系數(shù)，即。輸入端交流開(kāi)路時(shí)的輸出電導(dǎo)，即1/rce。H參數(shù)物理含義輸出端交流短路時(shí)的輸入電阻，即rbe。輸入29根據(jù)可得小信號(hào)模型BJT的H參數(shù)模型vbe=hieib+hrevceic=hfeib+hoevcevBEvCEiBcebiCBJT雙口網(wǎng)絡(luò)H參數(shù)等效電路根據(jù)可得小信號(hào)模型BJT的H參數(shù)模型vbe=hieib+30H參數(shù)等效電路中需注意的幾點(diǎn)h參數(shù)小信號(hào)模型是用于交流分析的，不能用于直流分析。h參數(shù)是在某個(gè)靜態(tài)工作點(diǎn)測(cè)得的，其數(shù)值與靜態(tài)工作點(diǎn)有關(guān)。h參數(shù)中的電流源和電壓源都是受控源，其方向不能隨意假定。H參數(shù)等效電路中需注意的幾點(diǎn)h參數(shù)小信號(hào)模型是用于交流分析的31hfeibicvceibvbehrevcehiehoe即rbe=hie

=hfe

ur

=hre

rce=1/hoe一般采用習(xí)慣符號(hào)則BJT的H參數(shù)模型為

ur很小，一般為10-310-4，

rce很大，約為100k。故一般可忽略它們的影響，得到簡(jiǎn)化電路

ib

是受控源

，且為電流控制電流源(CCCS)。電流方向與ib的方向是關(guān)聯(lián)的。

H參數(shù)簡(jiǎn)化等效電路

ibicvceibvbeuT

vcerbercerhfeibicvceibvbehrevcehiehoe即r32

H參數(shù)的確定

一般用測(cè)試儀測(cè)出；

rbe

與Q點(diǎn)有關(guān)，可用圖示儀測(cè)出。一般也用公式估算rbe

rbe=rb+(1+

)re其中對(duì)于低頻小功率管rb≈200

則

而

(T=300K)

H參數(shù)的確定一般用測(cè)試儀測(cè)出；rbe與Q33跨導(dǎo)gm衡量晶體管輸出電流隨輸入電壓變化的物理量概念：對(duì)于共射電路ebc跨導(dǎo)gm衡量晶體管輸出電流隨輸入電壓變化的物理量概念：對(duì)于共34厄利電壓VA概念：反映iC～vCE曲線(xiàn)在線(xiàn)性區(qū)內(nèi)水平程度（即斜率）的參數(shù)