半導(dǎo)體微觀(guān)分析-第二章課件

半導(dǎo)體微觀(guān)分析

SemiconductorMicro-analysis

電子科學(xué)與技術(shù)系天津工業(yè)大學(xué)半導(dǎo)體微觀(guān)分析

SemiconductorMicro-an1上節(jié)內(nèi)容回顧重點(diǎn)內(nèi)容：1、半導(dǎo)體光致發(fā)光的概念和原理2、PL（發(fā)射光譜）與PLE（激發(fā)光譜）的區(qū)別3、半導(dǎo)體光致發(fā)光譜的用途上節(jié)內(nèi)容回顧重點(diǎn)內(nèi)容：21.3半導(dǎo)體光吸收光譜1、吸收光譜有關(guān)概念光學(xué)吸收過(guò)程是材料的一個(gè)基本物理過(guò)程

吸收光譜可用來(lái)研究半導(dǎo)體電子能帶結(jié)構(gòu)、光學(xué)躍遷、聲子行為等重要的物理性質(zhì)，也是決定半導(dǎo)體和器件物理參數(shù)的重要依據(jù)。

吸收譜的能量范圍分布于紫外到紅外的光譜區(qū)間固體光吸收譜的概念當(dāng)光通過(guò)半導(dǎo)體材料時(shí)，由于與材料中的電子，原子間的相互作用，可以發(fā)生光的吸收。光吸收過(guò)程中，具有一定能量的光子，將材料從低能態(tài)激發(fā)到高能態(tài)，或簡(jiǎn)單地在單粒子近似情況下，將一個(gè)電子(或?qū)⒛骋痪Ц裾駝?dòng)模式)從低能態(tài)激發(fā)到高能態(tài)。1.3半導(dǎo)體光吸收光譜1、吸收光譜有關(guān)概念3固體光吸收譜當(dāng)光進(jìn)入材料時(shí)，與材料發(fā)生相互作用產(chǎn)生交換能量，進(jìn)入材料中的光被吸收，光強(qiáng)度的衰減遵守Bouguer-Lambert定律（布格爾-朗伯定律，它是均勻介質(zhì)對(duì)光的吸收額和吸收介質(zhì)厚度所遵循的關(guān)系）其中是從固體邊界沿光線(xiàn)到所研究點(diǎn)的距離，是吸收系數(shù)。吸收系數(shù)對(duì)頻率的依賴(lài)關(guān)系或?qū)ΣㄩL(zhǎng)的依賴(lài)關(guān)系稱(chēng)為固體的吸收光譜

對(duì)于半導(dǎo)體而言，Bouguer-Lambert定律所描述的吸收過(guò)程是半導(dǎo)體材料最重要的吸收過(guò)程，又叫做本征吸收。半導(dǎo)體的本征吸收是半導(dǎo)體吸收光譜最重要的部分，吸收系數(shù)高于104-105cm-1以上。固體光吸收譜4在本征吸收的低能端，吸收系數(shù)陡峭地下降3-4個(gè)數(shù)量級(jí)，這種陡峭的界限是吸收譜中最突出的一個(gè)特征。可以通過(guò)對(duì)本征吸收的研究區(qū)分直接帶隙和間接帶隙半導(dǎo)體。因?yàn)槲者叴笾聦?duì)應(yīng)于將電子從價(jià)帶頂激發(fā)到導(dǎo)帶底的最小光子能量。在本征吸收過(guò)程中，光子能量必須滿(mǎn)足下列條件:

為禁帶寬度。即對(duì)應(yīng)著本征吸收，在低頻方面必然存在著一個(gè)吸收邊界，這個(gè)邊界稱(chēng)為

本征吸收邊，亦稱(chēng)為長(zhǎng)波限。在本征吸收的低能端，吸收系數(shù)陡峭地下降3-4個(gè)數(shù)量級(jí)，這5多數(shù)絕緣體和半導(dǎo)體的本征吸收的波長(zhǎng)落在紫外和可見(jiàn)光譜波段。它們的本征吸收相應(yīng)于電子由價(jià)帶的能級(jí)到導(dǎo)帶的各能級(jí)之間的躍遷。

與原子或分子光譜相比，固體光譜有自己的特點(diǎn):①固體的能帶是準(zhǔn)連續(xù)能級(jí)，得到的光譜一般是連續(xù)的，所涉及的是連續(xù)譜的分析；②在本征吸收區(qū)，固體是吸收介質(zhì)，光譜的分析是和光在介質(zhì)中的傳播是分不開(kāi)的。

多數(shù)絕緣體和半導(dǎo)體的本征吸收的波長(zhǎng)落在紫外和可見(jiàn)光譜波段。它62、帶間吸收譜的實(shí)驗(yàn)規(guī)律右圖表示GaAs在近紅外區(qū)的吸收光譜。1.4eV附近吸收曲線(xiàn)急劇的變化，即形成吸收邊實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，對(duì)大多數(shù)半導(dǎo)體和絕緣體，吸收光譜在可見(jiàn)光區(qū)和近紅外區(qū)都存在這樣的吸收邊仔細(xì)研究吸收邊的結(jié)構(gòu)，會(huì)發(fā)現(xiàn)一些規(guī)律性的東西：2、帶間吸收譜的實(shí)驗(yàn)規(guī)律右圖表示GaAs在近紅外區(qū)的吸收光譜7實(shí)驗(yàn)規(guī)律：①?gòu)?qiáng)吸收區(qū)，吸收系數(shù)為104cm-1–106cm-1，隨光子能量hω的變化為冪指數(shù)規(guī)律，其指數(shù)可能為：1/2，3/2，2等；②e指數(shù)吸收區(qū)，吸收系數(shù)為102cm-1左右，隨hω為e指數(shù)變化規(guī)律；③弱吸收區(qū)，吸收系數(shù)一般在102cm-1以下因此，一個(gè)吸收邊包含了豐富的信息實(shí)驗(yàn)規(guī)律：83、冪指數(shù)式吸收邊的討論冪指數(shù)式吸收邊是一種簡(jiǎn)單的情況，吸收系數(shù)與光子頻率ω的變化為1/2次方律，這種吸收被歸結(jié)為價(jià)帶中的電子吸收光子后，直接躍遷到導(dǎo)帶引起的允許的直接躍遷討論，以直接禁帶半導(dǎo)體GaN為例3、冪指數(shù)式吸收邊的討論冪指數(shù)式吸收邊是一種簡(jiǎn)單的情況，吸收94、允許的直接躍遷討論

例:直接禁帶半導(dǎo)體GaNE=0Eg右圖為直接躍遷示意圖，價(jià)帶中能量為Ei的一個(gè)電子，吸收能量為hω的一個(gè)光子后，直接躍遷到能量為Ef的導(dǎo)帶以?xún)r(jià)帶頂為原點(diǎn)，這一過(guò)程的能量守恒的條件為：對(duì)于直接禁帶半導(dǎo)體，初態(tài)波矢為Ki的一個(gè)電子吸收一個(gè)光子，躍遷到波矢為Kf

的終態(tài)，其動(dòng)量守恒條件為：Ki+k=Kf對(duì)于直接躍遷KiKf=K（也稱(chēng)豎直躍遷）即：一個(gè)電子吸收一個(gè)光子的能量后，從波矢為K的價(jià)帶，直接躍遷至波矢相同的導(dǎo)帶，這中間沒(méi)有其他的過(guò)程參與4、允許的直接躍遷討論例:直接禁帶半導(dǎo)體GaNE=0Eg10吸收光譜的計(jì)算吸收系數(shù)與光子頻率ω的變化為1/2次方律，這一規(guī)律在許多半導(dǎo)體中被證實(shí)光吸收系數(shù)α與光子頻率ω有如下的關(guān)系式：

α（hω）≈2*104（hω-Eg）1/2cm-1由吸收光譜，作[α(ω)]2—hω圖，得到線(xiàn)性吸收邊。將吸收邊的線(xiàn)性關(guān)系延伸到與能量軸相交，即=0處，可得到帶隙Eg。用這種方法得到的帶隙叫做光學(xué)帶隙，該法與實(shí)際能隙可能有差別，但其是最常用的確定帶隙的方法吸收光譜的計(jì)算115、激子吸收譜固體吸收光后，會(huì)使其偏離基態(tài)，處于某種激發(fā)態(tài)。處于激發(fā)態(tài)的電子一方面發(fā)生前述的帶間躍遷；另一方面，電子和空穴也可能重新束縛在一起形成激子。激子是一種激發(fā)單元，也就是一種元激發(fā)態(tài)激子的吸收和發(fā)光光譜與帶間躍遷的光譜不同，具有特征的結(jié)構(gòu)。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，在帶間躍遷吸收邊的低能方向，常會(huì)出現(xiàn)一系列分立的吸收峰，并且譜峰分布有一定的規(guī)律性。如下圖所示：5、激子吸收譜固體吸收光后，會(huì)使其偏離基態(tài)，處于某種激發(fā)態(tài)。12右圖為高純帶邊附近的吸收譜。其主要特征：在吸收邊低能方向出現(xiàn)一系列吸收峰，而且吸收強(qiáng)度比帶間躍遷吸收高得多。圖中標(biāo)號(hào)為n=1、2、3…的吸收譜被歸結(jié)為自由激子吸收；而標(biāo)號(hào)為D0—X的吸收峰為中性施主雜質(zhì)上束縛激子的吸收右圖為高純帶邊附近的吸收譜。其主要特征：在吸收邊低能方13激子吸收譜與帶間躍遷的吸收光譜的不同：在激子吸收譜中這些分立的吸收峰不是由于價(jià)帶電子到導(dǎo)帶的躍遷引起的，很可能是價(jià)帶電子被激發(fā)到導(dǎo)帶底部以下某些分立能級(jí)引起的，由此提出激子躍遷的假設(shè)如何理解激子吸收譜：激子簡(jiǎn)單的理解為束縛的電子空穴對(duì)。從價(jià)帶激發(fā)到導(dǎo)帶的電子，常是自由的。在價(jià)帶自由運(yùn)動(dòng)的空穴和在導(dǎo)帶自由運(yùn)動(dòng)的電子有可能重新束縛在一起，形成束縛的電子空穴對(duì)—激子。由于束縛，使激子的能量低于自由電子的能量。由此可理解，為什么激子吸收的能量低于帶隙Eg，以及激子吸收峰分布在帶間躍遷吸收邊的低能方向。激子吸收譜與帶間躍遷的吸收光譜的不同：146、吸收光譜的測(cè)量透射光譜方法是一種測(cè)量材料吸收光譜的比較直接的方法。要從測(cè)量到的透射譜對(duì)固體中的吸收過(guò)程進(jìn)行分析，將透射譜轉(zhuǎn)換成吸收譜，得到薄膜材料的吸收系數(shù)（或吸收度）隨波長(zhǎng)變化的依賴(lài)關(guān)系半導(dǎo)體薄膜的光譜測(cè)量經(jīng)常會(huì)遇到光束在樣品薄層的表面和界面處的反射問(wèn)題。原則上，樣品透射率T為；T=I/I0=(1-R)exp(-

αd)或?qū)憺?αd=log(1/T)+C其中α為吸收系數(shù)，d為樣品厚度，R為樣品表面的反射率。I0和I分別為入射光和透射光的強(qiáng)度，C為常數(shù)。αd稱(chēng)為吸收度，用透射率倒數(shù)的對(duì)數(shù)算出。6、吸收光譜的測(cè)量透射光譜方法是一種測(cè)量材料吸收光譜的比較直157、GaMnN的紫外—可見(jiàn)吸收光譜未摻雜GaN在3.4eV帶隙附近清晰顯示吸收邊

7、GaMnN的紫外—可見(jiàn)吸收光譜未摻雜GaN在3.4161.4拉曼散射及其應(yīng)用1.4.1散射與光散射概念：1、散射：散射是存在于自然界的普遍現(xiàn)象。如下圖所示：當(dāng)入射粒子以一個(gè)確定方向撞擊靶粒子時(shí)，入射粒子和靶粒子發(fā)生相互作用使得入射粒子偏離原入射方向，甚至能量都發(fā)生改變的現(xiàn)象，就是所謂的散射現(xiàn)象。入射束散射束散射束靶1.4拉曼散射及其應(yīng)用1.4.1散射與光散射概念：入射束17利用散射現(xiàn)象研究物質(zhì)的相互作用及其內(nèi)部結(jié)構(gòu)和運(yùn)動(dòng)，無(wú)論是在宏觀(guān)世界微觀(guān)世界，都已成為一種重要手段。例如：1911年揭示原子由一個(gè)帶正電荷的核構(gòu)成的盧瑟福實(shí)驗(yàn)；1920年證明光具有粒子性的康普頓實(shí)驗(yàn)，分別是α粒子和光子與帶電粒子進(jìn)行碰撞的散射實(shí)驗(yàn)。如今，基本粒子的實(shí)驗(yàn)研究幾乎都是利用不同入射粒子與靶粒子發(fā)生碰撞的散射實(shí)驗(yàn)進(jìn)行的。利用散射現(xiàn)象研究物質(zhì)的相互作用及其內(nèi)部結(jié)構(gòu)和運(yùn)182、光散射概念光散射是一種常見(jiàn)的現(xiàn)象，天空的藍(lán)色就是太陽(yáng)光經(jīng)過(guò)大氣散射造成的。一束準(zhǔn)直的光線(xiàn)，照射到某種固體上，除了在光線(xiàn)傳播方向上能夠測(cè)量到光以外，在空間的4п立體角內(nèi)原則上都可能探測(cè)到光，其中包括散射光，還可能有反射光和固體發(fā)光。固體的光散射是除吸收、反射、發(fā)光等之外固體中又一類(lèi)重要的光學(xué)現(xiàn)象。原子和分子對(duì)光的散射作用是固體光散射的物理起源。研究認(rèn)為，理想的、均勻的固體介質(zhì)因來(lái)自各原子、分子的散射光之間的相干性，除折射定律規(guī)定的方向外，其他方向的散射光強(qiáng)為零。所以理想的均勻的固體不散射光。固體介質(zhì)的光散射起因于固體介質(zhì)的某種不均勻性，或起因于固體某種性質(zhì)的起伏。例如：和聲波相聯(lián)系的密度起伏、固體中各種激元的激發(fā)引起的極化起伏、熱力學(xué)和統(tǒng)計(jì)物理現(xiàn)象引起的熵的起伏、分子取向起伏等等2、光散射概念光散射是一種常見(jiàn)的現(xiàn)象，天空的藍(lán)色就是太陽(yáng)光經(jīng)191、拉曼散射的研究進(jìn)展：拉曼散射效應(yīng)是印度物理學(xué)家拉曼（C.V.Raman）于1928年首次發(fā)現(xiàn)的，本人也因此榮獲1930年的諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。1928~1940年，受到廣泛的重視，曾是研究分子結(jié)構(gòu)的主要手段。這是因?yàn)榭梢?jiàn)光分光技術(shù)和照相感光技術(shù)已經(jīng)發(fā)展起來(lái)的緣故；1940~1960年，由于拉曼效應(yīng)太弱（約為入射光強(qiáng)的10-6），并要求被測(cè)樣品的體積必須足夠大、無(wú)色、無(wú)塵埃、無(wú)熒光等等。所以到40年代中期，紅外技術(shù)的進(jìn)步和商品化更使拉曼光譜的應(yīng)用一度衰落；1960年以后，激光技術(shù)的發(fā)展使拉曼技術(shù)得以復(fù)興。由于激光束的高亮度、方向性和偏振性等優(yōu)點(diǎn)，成為拉曼光譜的理想光源。隨探測(cè)技術(shù)的改進(jìn)和對(duì)被測(cè)樣品要求的降低，目前在物理、化學(xué)、醫(yī)藥、工業(yè)等各個(gè)領(lǐng)域拉曼光譜得到了廣泛的應(yīng)用，越來(lái)越受研究者的重視。1.4.2拉曼散射1、拉曼散射的研究進(jìn)展：1.4.2拉曼散射202、拉曼散射拉曼散射光譜是研究晶格振動(dòng)的一種方法晶格振動(dòng)是晶體原子在格點(diǎn)附近的熱振動(dòng)晶格具有周期性，則晶格的振動(dòng)模具有波的形式，稱(chēng)為格波。一個(gè)格波就表示晶體所有原子都參與的一種振動(dòng)模式。格波可區(qū)分為聲學(xué)波和光學(xué)波兩類(lèi)—兩種模式。格波能量的量子稱(chēng)為聲子，有聲學(xué)波聲子和光學(xué)波聲子之分。晶體的比熱、熱導(dǎo)、電導(dǎo)等都與晶格振動(dòng)（或者聲子）有關(guān)。

）什么是拉曼散射？光子和物質(zhì)的分子(電子)或晶格之間的作用可以是彈性碰撞,這就是瑞利散射,作用前后,光子能量不變;也可以是非彈性碰撞,這就是拉曼散射,作用之后的光子,其能量會(huì)減少一些,(斯托克斯散射),或者增加一些(反斯托克斯散射)2、拉曼散射拉曼散射光譜是研究晶格振動(dòng)的一種方法21瑞利散射：

彈性碰撞；無(wú)能量交換，僅改變方向；拉曼散射：

非彈性碰撞；方向改變且有能量交換；Rayleigh散射Raman散射E0基態(tài)，

E1振動(dòng)激發(fā)態(tài)；

E0+h0

，

E1+h0

激發(fā)虛態(tài)；獲得能量后，躍遷到激發(fā)虛態(tài).

h

E0E1V=1V=0h0h0h0h0

+

E1+h0E0+h0h(0

-

)激發(fā)虛態(tài)3、拉曼散射基本原理拉曼效應(yīng)的機(jī)制和熒光現(xiàn)象不同，并不吸收激發(fā)光，因此不能用實(shí)際的上能級(jí)來(lái)解釋?zhuān)６骱忘S昆用虛的上能級(jí)概念說(shuō)明了拉曼效應(yīng)。下圖是說(shuō)明拉曼效應(yīng)的一個(gè)簡(jiǎn)化的能級(jí)圖。瑞利散射：Rayleigh散射Raman散射E0基態(tài)，E122拉曼散射基本原理h(0

+

)E0E1V=1V=0E1+h0E2+h0

h

h0h(0

-

)ANTI-STOKES0-

RayleighSTOKES0+

0瑞利散射Rayleigh斯托克反斯托克拉曼散射Raman散射的兩種躍遷能量差：

E=h(0-

)產(chǎn)生stokes線(xiàn)；強(qiáng)；基態(tài)分子多；

E=h(0+

)產(chǎn)生反stokes線(xiàn)；弱；Raman位移：Raman散射光與入射光頻率差；拉曼散射基本原理h(0+)E0E1V=1V=0E1230123e電子基態(tài)振動(dòng)能級(jí)eeRayleigh散射eeeRaman散射Stocks線(xiàn)Anti-Stocks線(xiàn)溫度升高概率大！0123e電子基態(tài)eeRayleigh散射eeeRaman24設(shè)散射物分子原來(lái)處于基電子態(tài)，振動(dòng)能級(jí)如圖所示。當(dāng)受到入射光照射時(shí)，激發(fā)光與此分子的作用引起的極化可以看作為虛的吸收，表述為電子躍遷到虛態(tài)（Virtualstate），虛能級(jí)上的電子立即躍遷到下能級(jí)而發(fā)光，即為散射光。設(shè)仍回到初始的電子態(tài)，則有如圖所示的三種情況。因而散射光中既有與入射光頻率相同的譜線(xiàn)，也有與入射光頻率不同的譜線(xiàn)，前者稱(chēng)為瑞利線(xiàn)，后者稱(chēng)為拉曼線(xiàn)。在拉曼線(xiàn)中，又把頻率小于入射光頻率的譜線(xiàn)稱(chēng)為斯托克斯線(xiàn)，而把頻率大于入射光頻率的譜線(xiàn)稱(chēng)為反斯托克斯線(xiàn)。5、如何理解虛能級(jí)h(0

+

)E0E1V=1V=0E1+h0E2+h0

h

h0h(0

-

)設(shè)散射物分子原來(lái)處于基電子態(tài)，振動(dòng)能級(jí)如圖所示。當(dāng)受到入射光25拉曼位移為瑞利線(xiàn)與拉曼線(xiàn)的波數(shù)差，即散射光頻率與激發(fā)光頻之差Δν=|ν0–νs|,因此拉曼位移是分子振動(dòng)能級(jí)的直接量度，Δv取決于分子振動(dòng)能級(jí)的改變，與入射光波長(zhǎng)無(wú)關(guān)。下圖給出的是一個(gè)拉曼光譜的示意圖。

需注意：①在示意圖中斯托克斯線(xiàn)和反斯托克斯線(xiàn)對(duì)稱(chēng)地分布于瑞利線(xiàn)的兩側(cè)，這是由于在上述兩種情況下分別相應(yīng)于得到或失去了一個(gè)振動(dòng)量子的能量。

②反斯托克斯線(xiàn)的強(qiáng)度遠(yuǎn)小于斯托克斯線(xiàn)的強(qiáng)度，這是由于波爾茲曼（Boltzmann）分布，處于振動(dòng)基態(tài)上的粒子數(shù)遠(yuǎn)大于處于振動(dòng)激發(fā)態(tài)上的粒子數(shù)。6、拉曼位移拉曼位移為瑞利線(xiàn)與拉曼線(xiàn)的波數(shù)差，即散射光頻率與激發(fā)光頻之差26拉曼位移直接反映了分子或晶格的振動(dòng)、轉(zhuǎn)動(dòng)能級(jí),由這些能級(jí)的知識(shí)可以深入地分析物質(zhì)的結(jié)構(gòu)及其內(nèi)部運(yùn)動(dòng)，從而促進(jìn)物質(zhì)結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)科學(xué)的發(fā)展，進(jìn)而推動(dòng)材料科學(xué)的發(fā)展并導(dǎo)致新材料的研制成功與開(kāi)發(fā)應(yīng)用。任何兩種不同物質(zhì)的拉曼譜線(xiàn)都不完全相同,人們就很自然地把拉曼譜作為物質(zhì)的“指紋”，由這些“指紋”的特征對(duì)物質(zhì)進(jìn)行識(shí)別.拉曼位移直接反映了分子或晶格的振動(dòng)、轉(zhuǎn)動(dòng)277、拉曼光譜儀結(jié)構(gòu)7、拉曼光譜儀結(jié)構(gòu)28顯微鏡樣品雙瑞利濾光片狹縫光柵擴(kuò)束器激光CCD檢測(cè)器1、采用CCD檢測(cè)器和限波濾波(NotchFilter)技術(shù)，中間的光程不到一米，信號(hào)強(qiáng)度提高，一般只需10mW小功率激光激發(fā)樣品2、采用激光擴(kuò)束器技術(shù)，可以連續(xù)改變激光焦點(diǎn)處光斑大?。?-250微米）進(jìn)而可以連續(xù)改變作用于樣品上的功率密度

顯微鏡樣品雙瑞利濾光片狹縫光柵擴(kuò)束器激光CCD檢測(cè)器1、采用29激光器40MW半導(dǎo)體激光器532nm頻率高，拉曼光強(qiáng)大試樣室發(fā)射透鏡使激光聚焦在樣品上收集透鏡使拉曼光聚焦在單色儀的入射狹縫單色儀儀器心臟1個(gè)光柵，2個(gè)狹縫減少雜散收光激光器40MW半導(dǎo)體激光器試樣室發(fā)射透鏡單色儀儀器心臟30半導(dǎo)體微觀(guān)分析-第二章ppt課件31半導(dǎo)體微觀(guān)分析-第二章ppt課件32拉曼光譜分析技術(shù)是以拉曼效應(yīng)為基礎(chǔ)建立起來(lái)的分子結(jié)構(gòu)表征技術(shù)，其信號(hào)來(lái)源于分子的振動(dòng)和轉(zhuǎn)動(dòng).拉曼分析的方向：定性分析:不同的物質(zhì)具有不同的特征光譜，因此可以通過(guò)光譜進(jìn)行定性分析。結(jié)構(gòu)分析：對(duì)光譜譜帶的分析，又是進(jìn)行物質(zhì)結(jié)構(gòu)分析的基礎(chǔ)。定量分析：根據(jù)物質(zhì)對(duì)光譜的吸光度的特點(diǎn)，可以對(duì)物質(zhì)的量有很好的分析能力。8、拉曼分析的依據(jù)、特點(diǎn)及方向拉曼光譜分析技術(shù)是以拉曼效應(yīng)為基礎(chǔ)建立起來(lái)的分子結(jié)構(gòu)表征技術(shù)33拉曼光譜的信息characteristicRamanfrequencies拉曼頻率的確認(rèn)compositionofmaterial物質(zhì)的組成e.g.MoS2,MoO3changesinfrequencyofRamanpeak拉曼峰位的變化stress/strainState張力/應(yīng)力

e.g.Si10cm-1shiftper%strainpolarizationofRamanpeak拉曼偏振crystalsymmetryandorientation晶體對(duì)稱(chēng)性和取向e.g.orientationofCVDdiamondgrainswidthofRamanpeak拉曼峰寬qualityofcrystal晶體質(zhì)量e.g.amountofplasticdeformationintensityofRamanpeak拉曼峰強(qiáng)度amountofmaterial物質(zhì)總量e.g.thicknessof