鈉鹽改性氧化鎳傳輸層、鈣鈦礦發(fā)光二極管及其制備方法

鈉鹽改性氧化鎳傳輸層、鈣鈦礦發(fā)光二極管及其制備方法摘要本文介紹了鈉鹽改性氧化鎳傳輸層以及鈣鈦礦發(fā)光二極管的制備方法。首先介紹了傳統(tǒng)氧化鎳傳輸層的問題，隨后闡述了鈉鹽改性氧化鎳傳輸層的優(yōu)勢(shì)和制備方法。然后詳細(xì)介紹了鈣鈦礦發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)和工作原理，并提出了制備鈣鈦礦發(fā)光二極管的新方法。本文的研究對(duì)于提高鈣鈦礦發(fā)光二極管的性能具有重要意義。1.引言發(fā)光二極管（LED）作為一種新興的照明和顯示技術(shù)，其高效、環(huán)保的特性備受關(guān)注。其中，鈣鈦礦發(fā)光二極管由于其高發(fā)光效率和寬發(fā)光光譜范圍等優(yōu)點(diǎn)，成為L(zhǎng)ED領(lǐng)域的熱點(diǎn)研究對(duì)象。在鈣鈦礦發(fā)光二極管中，傳輸層的性能對(duì)器件的發(fā)光效率和穩(wěn)定性具有重要影響。目前，傳統(tǒng)的氧化鎳傳輸層存在著一些問題，例如導(dǎo)電性能較差、界面接觸不完全等。為了解決這些問題，本文提出了鈉鹽改性氧化鎳傳輸層的概念，并研究了其制備方法。2.鈉鹽改性氧化鎳傳輸層2.1傳統(tǒng)氧化鎳傳輸層的問題傳統(tǒng)的氧化鎳（NiO）傳輸層在鈣鈦礦發(fā)光二極管中被廣泛應(yīng)用。然而，傳統(tǒng)的氧化鎳傳輸層存在一些問題，如下：導(dǎo)電性能較差：傳統(tǒng)氧化鎳的導(dǎo)電性能較差，會(huì)導(dǎo)致電荷傳輸?shù)男式档?，限制了器件的發(fā)光效率。界面接觸不完全：傳統(tǒng)氧化鎳在鈣鈦礦薄膜和電極之間的界面接觸不完全，導(dǎo)致電子和空穴在界面處產(chǎn)生很大的阻抗，影響了器件的穩(wěn)定性和壽命。2.2鈉鹽改性氧化鎳傳輸層的優(yōu)勢(shì)為了解決傳統(tǒng)氧化鎳傳輸層存在的問題，本文提出了鈉鹽改性氧化鎳傳輸層的概念。鈉鹽改性氧化鎳傳輸層具有以下優(yōu)勢(shì)：提高導(dǎo)電性能：鈉鹽的加入可以明顯提高氧化鎳的導(dǎo)電性能，降低電荷傳輸?shù)淖杩?，從而提高器件的發(fā)光效率。改善界面接觸：鈉鹽的引入可以改善氧化鎳薄膜和電極之間的界面接觸，減小界面阻抗，提高器件的穩(wěn)定性和壽命。2.3鈉鹽改性氧化鎳傳輸層的制備方法鈉鹽改性氧化鎳傳輸層的制備方法包括以下步驟：制備氧化鎳前體：將適量的氧化鎳前體溶液加入有機(jī)溶劑中，并加熱攪拌使其充分溶解。加入鈉鹽：將適量的鈉鹽溶液滴加到氧化鎳前體溶液中，并保持?jǐn)嚢瑁光c鹽和氧化鎳前體均勻混合。沉淀沉積：將混合溶液注入沉淀劑溶液中，并充分混合，使混合溶液中的氧化鎳前體和鈉鹽沉淀出來。洗滌和干燥：將沉淀物進(jìn)行多次洗滌和離心，去除雜質(zhì)，然后將洗滌后的沉淀物放置在恒溫干燥箱中進(jìn)行干燥。燒結(jié)：將干燥后的沉淀物放置在燒結(jié)爐中進(jìn)行燒結(jié)，形成鈉鹽改性氧化鎳傳輸層。3.鈣鈦礦發(fā)光二極管3.1結(jié)構(gòu)和工作原理鈣鈦礦發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)包括以下部分：電極、傳輸層、鈣鈦礦薄膜和電子傳輸層。其工作原理如下：電流注入：當(dāng)外加正向電壓時(shí)，電子從電子傳輸層注入到鈣鈦礦薄膜，同時(shí)空穴從電極注入到鈣鈦礦薄膜。電子空穴復(fù)合：在鈣鈦礦薄膜中，電子和空穴發(fā)生復(fù)合，釋放出能量并產(chǎn)生光子。發(fā)光輸出：釋放的光子通過傳輸層和電極，從器件的表面發(fā)出。鈣鈦礦發(fā)光二極管具有高亮度、高色純度和寬發(fā)光光譜范圍等特點(diǎn)。3.2制備鈣鈦礦發(fā)光二極管的新方法為了進(jìn)一步提高鈣鈦礦發(fā)光二極管的性能，本文提出了一種新方法。該方法包括以下步驟：制備鈣鈦礦前體溶液：將適量的鈣源、鈦源和有機(jī)溶劑混合，加熱攪拌使其充分溶解，得到鈣鈦礦前體溶液。涂覆傳輸層：將鈉鹽改性氧化鎳傳輸層溶液涂覆在電極上，形成平整的傳輸層膜。涂覆鈣鈦礦前體溶液：將鈣鈦礦前體溶液涂覆在傳輸層膜上，形成鈣鈦礦薄膜。熱處理：將涂覆后的器件進(jìn)行熱處理，使鈣鈦礦薄膜晶化并提高晶界質(zhì)量。導(dǎo)電層和透明層結(jié)構(gòu)：在鈣鈦礦薄膜上加上電子傳輸層，再涂覆透明層，形成完整的鈣鈦礦發(fā)光二極管。4.結(jié)論本文介紹了鈉鹽改性氧化鎳傳輸層、鈣鈦礦發(fā)光二極管及其制備方法。鈉鹽改性氧化鎳傳輸層具有優(yōu)異的導(dǎo)電性能和界面接觸性能，可以有效提高鈣鈦礦發(fā)光二極管的性能