二次諧波的產(chǎn)生及其解_第1頁
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#定義倍頻特征長度二次諧波光強為:|=E(0)tanh|il=SH咒（2）E（0）一1咒（2）E一1I(z)=1E2廠=—EcnE01cnE022(z)2-i(0片tanh2zLSH(233-8)(233-9)(2.3.3-10)二次諧波與入射基頻波光強比值:基頻光在晶體內(nèi)光強為:=I(0)tanh2—^―LSH=tanh2—LSHG(2.3.3-11)1=—ecn2/01c=—Ecn\E01I(z)1E(z)|22D)|2)(2.3.3-13)=I(0)sech21ILshg/fo)=sech^-^—①SHG(2.3.3-14)圖4基頻光存在損耗條件下，倍頻光和基頻光光強與晶體長度關(guān)系相干長度還可寫為：LSH(2.3.2-15)如LiNbO3晶體，非線性倍頻系數(shù)d=5.4x10-9m/V，基頻光波長1.064um,

eff折射率2.2,基頻光光強25MW/cm2，求得倍頻特征長度為3.7cm。

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