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半導(dǎo)體制造工藝過程2021-7-29目錄1、概述2、晶體生長與圓晶制造3、硅的氧化4、光刻與刻蝕5、擴(kuò)散與離子注入6、薄膜沉積概述工藝集成晶體生長與圓晶制造熱氧化光刻與刻蝕擴(kuò)散與離子注入薄膜沉積測試與封裝晶體生長與圓晶制造20r/min10r/min1、直拉法單晶生長多晶硅放在坩堝中，加熱到1420℃將硅熔化，將晶向的籽晶插入熔化硅中然后拔出。硅錠旋轉(zhuǎn)速度坩堝旋轉(zhuǎn)速度提升速度：1.4mm/min摻雜P、B、Sb、As晶體生長與圓晶制造晶體生長與圓晶制造2、區(qū)熔法晶體生長主要用于制備高純度硅或無氧硅生長方法多晶硅錠放置在一個單晶籽晶上，多晶硅錠由一個

外部的射頻線圈加熱，使得硅錠局部熔化，隨著線

圈和熔融區(qū)的上移，單晶籽晶上就會往上生長單晶。電阻率高無雜質(zhì)沾污機(jī)械強(qiáng)度小，尺寸小晶體生長與圓晶制造晶體生長與圓晶制造熱氧化SiO2的根本特性雜質(zhì)阻擋特性好硅和SiO2的腐蝕選擇特性好熱氧化SiO2反響方程：Si(固體)+O2(氣體)Si(固體)+2H2O

(氣體) SiO2

+H2(氣體)熱氧化

硅熱氧化工藝，可分為：干氧氧化、水汽氧化和濕氧氧化。干氧氧化是以枯燥純潔的氧氣作為氧化氣氛，在高溫下氧直接與硅反響生成二氧化硅。水汽氧化是以高純水蒸汽為氧化氣氛，由硅片外表的硅原子和水分子反響生成二氧化硅。水汽氧化的氧化速率比干氧氧化的為大。而濕氧氧化實質(zhì)上是干氧氧化和水汽氧化的混合，氧化速率介于二者之間。光刻與刻蝕光刻是一種復(fù)印圖象和化學(xué)腐蝕相結(jié)合的綜合性技術(shù)。它先

采用照相復(fù)印的方法，將事先制好的光刻版上的圖形精確地、重復(fù)地印在涂有感光膠的SiO2層(或Al層)上，然后利用光刻

膠的選擇性保護(hù)作用，對SiO2層(或A1層)進(jìn)行選擇性化學(xué)腐

蝕，從而在Si02層(或Al層上)刻出與光刻版相應(yīng)的圖形。光刻技術(shù)常見的技術(shù)方案有紫外光刻、電子束光刻、納米壓印光刻等，以廣為業(yè)界的人們所熟悉。近年來，在人們?yōu)榧{米級光刻技術(shù)探索出路的同時，也出現(xiàn)了許多新的技術(shù)應(yīng)用于光刻工藝中，主要有干預(yù)光刻技術(shù)、激光聚焦中性原子束光刻、立體光刻技術(shù)、全息光刻技術(shù)和掃描電化學(xué)光刻技術(shù)等等

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