標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 43063-2023 集成電路 CMOS圖像傳感器測(cè)試方法》是一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),旨在為CMOS圖像傳感器提供一套統(tǒng)一的測(cè)試規(guī)范。該標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了針對(duì)CMOS圖像傳感器性能評(píng)估的方法論,包括但不限于光學(xué)特性、電學(xué)特性以及環(huán)境適應(yīng)性等多個(gè)方面。
在光學(xué)特性方面,涵蓋了分辨率、靈敏度(如量子效率)、噪聲水平(如讀出噪聲和固定模式噪聲)等關(guān)鍵參數(shù)的測(cè)量方式;同時(shí)對(duì)于色彩再現(xiàn)能力也有相應(yīng)的要求與測(cè)試流程描述。此外,還涉及到了暗電流、飽和容量等重要指標(biāo)的測(cè)定方法。
電學(xué)特性測(cè)試部分,則主要關(guān)注于工作電壓范圍內(nèi)的功耗情況、輸出信號(hào)幅度及穩(wěn)定性等方面的考察,并對(duì)如何準(zhǔn)確地獲取這些數(shù)據(jù)給出了具體指導(dǎo)。
關(guān)于環(huán)境適應(yīng)性的考量,《GB/T 43063-2023》同樣給予了充分重視。這部分內(nèi)容包括溫度變化條件下性能的一致性檢驗(yàn)、濕度影響下的可靠性分析等內(nèi)容,確保產(chǎn)品能在不同環(huán)境下保持良好運(yùn)作狀態(tài)。
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....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2023-09-07 頒布
- 2024-01-01 實(shí)施




文檔簡(jiǎn)介
ICS31200
CCSL.55
中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T43063—2023
集成電路CMOS圖像傳感器測(cè)試方法
Integratedcircuit—TestmethodforCMOSimagesensors
2023-09-07發(fā)布2024-01-01實(shí)施
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布
國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
GB/T43063—2023
目次
前言
…………………………Ⅲ
范圍
1………………………1
規(guī)范性引用文件
2…………………………1
術(shù)語(yǔ)和定義
3………………1
測(cè)試參數(shù)名稱(chēng)及符號(hào)
4……………………1
一般要求
5…………………2
測(cè)試環(huán)境
5.1……………2
測(cè)試系統(tǒng)
5.2……………2
規(guī)定條件
5.3……………3
靜電防護(hù)要求
5.4………………………3
測(cè)試方法
6…………………4
轉(zhuǎn)換增益K
6.1…………………………4
暗信號(hào)S
6.2D……………7
暗信號(hào)非均勻性固定圖形噪聲FPN
6.3()……………8
讀出噪聲N
6.4m………………………9
響應(yīng)非線(xiàn)性L
6.5lin……………………10
滿(mǎn)阱電荷數(shù)N
6.6S……………………11
動(dòng)態(tài)范圍D
6.7R………………………12
信噪比SN
6.8/………………………13
光響應(yīng)非均勻性PRNU
6.9…………13
靈敏度R
6.10…………………………15
缺陷像元
6.11…………………………16
電荷滯留N
6.12RE……………………17
抗彌散性
6.13…………………………18
量子效率η
6.14………………………19
光譜響應(yīng)度Rλ
6.15……………………22
峰值響應(yīng)波長(zhǎng)λ
6.16P…………………23
光譜響應(yīng)范圍
6.17……………………23
調(diào)制傳遞函數(shù)奈奎斯特頻率MTF
6.18()N…………24
動(dòng)態(tài)調(diào)制傳遞函數(shù)奈奎斯特頻率MTF
6.19()Ns……………………26
角度響應(yīng)曲線(xiàn)
6.20……………………28
Ⅰ
GB/T43063—2023
前言
本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專(zhuān)利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專(zhuān)利的責(zé)任
。。
本文件由中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部提出并歸口
。
本文件主要起草單位中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所重慶光電技術(shù)研究所天津大
:、、
學(xué)長(zhǎng)春精測(cè)光電技術(shù)有限公司中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院深圳佑駕創(chuàng)新科技有限公司
、、、。
本文件主要起草人李俊霖張濤蘭太吉楊永強(qiáng)趙宇聶真威韓冰金輝馬洪濤盧巖徐江濤
:、、、、、、、、、、、
劉昌舉唐延甫聶凱明李金高志遠(yuǎn)馬悅劉國(guó)清王琪劉秀娟
、、、、、、、、。
Ⅲ
GB/T43063—2023
集成電路CMOS圖像傳感器測(cè)試方法
1范圍
本文件描述了具有線(xiàn)性光電響應(yīng)特性的線(xiàn)陣面陣和時(shí)間延遲積分圖像傳感器以下
、(TDI)CMOS(
簡(jiǎn)稱(chēng)器件參數(shù)及其測(cè)試方法
)。
本文件適用于具有線(xiàn)性光電響應(yīng)特性的線(xiàn)陣面陣和器件參數(shù)測(cè)試
、TDI。
2規(guī)范性引用文件
本文件無(wú)規(guī)范性引用文件
。
3術(shù)語(yǔ)和定義
下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件
。
31
.
暗場(chǎng)darkfield
器件所處的無(wú)光照測(cè)試環(huán)境
。
32
.
亮場(chǎng)lightfield
器件所處的有光照測(cè)試環(huán)境
。
33
.
有效像元effectivepixel
成像像元陣列中沒(méi)有被不透光材料覆蓋并參與最
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