III族氮化物半導(dǎo)體材料中位錯(cuò)成像的測(cè)試 透射電子顯微鏡法 編制說(shuō)明

1TestmethodfordislocationimaginginIII-nitridesemiconductormaTransmissionelectron2AlGaN,AlInGaN等。它們?cè)谖㈦娮悠骷⒐怆娮悠骷确矫嬗兄匾膽?yīng)用，是目前全球半位錯(cuò)是表征III族氮化物半導(dǎo)體晶體質(zhì)量的一個(gè)重要物理量。目前表征III族氮化物半導(dǎo)錯(cuò)，同時(shí)也難以分辨位錯(cuò)的種類；X-ray衍射搖擺曲線法表征位錯(cuò)則需要較為復(fù)根據(jù)《國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)委關(guān)于下達(dá)2021年第三批推薦性國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)計(jì)劃及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)外文版計(jì)劃的人民政府，蘇州市人民政府和蘇州工業(yè)園區(qū)于2006年3月3公司。蘇州納維科技有限公司創(chuàng)立于2007年，以中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所為技制定了本標(biāo)準(zhǔn)的相應(yīng)工作計(jì)劃。2022年1月至6月，三制定標(biāo)準(zhǔn)的原則和編寫(xiě)依據(jù)、確定標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容試相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)/標(biāo)準(zhǔn)樣品/儀器校準(zhǔn)物質(zhì)等，開(kāi)展標(biāo)個(gè)或幾個(gè)位錯(cuò)進(jìn)行觀察，不適合應(yīng)用于產(chǎn)業(yè)上對(duì)位錯(cuò)的成像觀察；其三是應(yīng)用掃描透射4度，從而獲得更為清晰的位錯(cuò)成像。因此推4樣品晶面方向和衍射矢量的選取擇{11-20}衍射斑進(jìn)行雙束或者弱束成像，可以對(duì)刃型位錯(cuò)和混合位錯(cuò)進(jìn)行成像；選擇{0002}對(duì)本標(biāo)準(zhǔn)所規(guī)定的技術(shù)內(nèi)容進(jìn)行對(duì)應(yīng)的實(shí)驗(yàn)分析和驗(yàn)證，序號(hào)樣品名來(lái)源尺寸材料1MOCVD生長(zhǎng)的GaN薄膜樣品蘇州納維科技有限公司2英寸，選取M方向2HVPE生長(zhǎng)的AlN薄膜樣品蘇州納維科技有限公司2英寸，選取C方向5通過(guò)選取M方向樣品，進(jìn)行驗(yàn)證。三位工作人員采用標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定的方法對(duì)同一樣品進(jìn)行{11-20}雙束暗場(chǎng)成像{11-20}雙束暗場(chǎng)成像{11-20}雙束暗場(chǎng)成像6由上可見(jiàn)，通過(guò)選擇標(biāo)準(zhǔn)方法中{11-20}雙束暗場(chǎng)成像，我們均可以得到刃型位錯(cuò)和混合位錯(cuò)的圖像。選取C方向樣品，進(jìn)行驗(yàn)證{11-20}雙束暗場(chǎng)成像7采用相同樣品，在中科院蘇州納米所測(cè)試分析中心、北京大學(xué)物理學(xué)院電鏡室、國(guó)家納89五與國(guó)內(nèi)、外同類標(biāo)準(zhǔn)水平對(duì)比情況對(duì)于III族氮化物半導(dǎo)體材料，由于透射電子顯微鏡具有高的空間分辨率的優(yōu)點(diǎn)，因此將III族氮化物半導(dǎo)體材料材料進(jìn)行位錯(cuò)成像的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。本標(biāo)準(zhǔn)作為方法類標(biāo)準(zhǔn)，在半導(dǎo)體行六與有關(guān)的現(xiàn)行法律、法規(guī)和強(qiáng)制性國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)系本標(biāo)準(zhǔn)與我國(guó)現(xiàn)行的法律、