ICP刻蝕簡析課件

北京創(chuàng)世威納科技有限公司ICP刻蝕簡析ICP刻蝕簡析1刻蝕簡介2ICP刻蝕原理3ICP刻蝕及檢測ICP刻蝕簡析刻蝕：通過物理和/或化學方法將下層材料中沒有被上層掩蔽膜材料掩蔽的部分去掉，從而在下層材料上獲得與掩蔽膜圖形完全對應的圖形。光刻1ICP刻蝕簡析濕法刻蝕與干法刻蝕濕法刻蝕即利用特定的溶液與薄膜間所進行的化學反應來去除薄膜未被光刻膠掩膜覆蓋的部分，而達到刻蝕的目的。

ICP刻蝕簡析WetEtchingCharacteristics

Advantages:SimpleequipmentHighthroughputHighselectivityDisadvantages:IsotropicetchingleadstoundercuttingChemicalcostsarehighDisposalcostarehighICP刻蝕簡析干法刻蝕是利用射頻電源使反應氣體生成反應活性高的離子和電子，對硅片進行物理轟擊及化學反應，以選擇性的去除我們需要去除的區(qū)域。被刻蝕的物質(zhì)變成揮發(fā)性的氣體，經(jīng)抽氣系統(tǒng)抽離，最后按照設計圖形要求刻蝕出我們需要實現(xiàn)的深度

ICP刻蝕簡析DryEtchingCharacteristics

Advantages:AnisotropicetchpropossibleChemicalconsumptionissmallDisposalofreactionproductslesscostlySuitableforautomation,singlewafer,cassettetocassetteDisadvantages:Complexequipment,RF,gasmetering,vacuum,instrumentationSelectivitycanbepoorResiduesleftonwaferICP刻蝕簡析刻蝕工藝的相關參數(shù)刻蝕速率習慣上把單位時間內(nèi)去除材料的厚度定義為刻蝕速率刻蝕速率由工藝和設備變量決定，如被刻蝕材料類型，刻蝕機的結(jié)構(gòu)配置，使用的刻蝕氣體和工藝參數(shù)設置ICP刻蝕簡析選擇比同一刻蝕條件下，被刻蝕材料的刻蝕速率與另一種材料的刻蝕速率的比。選擇比差：1

1選擇比好：10-1000均勻性衡量刻蝕工藝在整個晶片上，或整個一批，或批與批之間刻蝕能力的參數(shù)。U(%)=(Emax–Emin)/(Emax+Emin)ICP刻蝕簡析刻蝕剖面被刻蝕圖形的側(cè)壁形狀各向異性：刻蝕只在垂直于晶片表面的方向進行各項同性：在所有方向上以相同的刻蝕速率進行刻蝕ICP刻蝕簡析ICP刻蝕：InductivelyCouplePlasmaEtch

感應耦合等離子體刻蝕電控柜真空室插板閥開關射頻電源2ICP刻蝕簡析電感耦合等離子體（ICP）刻蝕原理包括兩套通過自動匹配網(wǎng)絡控制的13.56MHz射頻電源一套連接纏繞在腔室外的螺線圈，使線圈產(chǎn)生感應耦合的電場，在電場作用下，刻蝕氣體輝光放電產(chǎn)生高密度等離子體。功率的大小直接影響等離子體的電離率，從而影響等離子體的密度。第二套射頻電源連接在腔室內(nèi)下方的電極上，樣品放在此臺上進行刻蝕。ICP刻蝕簡析ICP刻蝕簡析Etchantsandetchproducts3ICP刻蝕簡析BOSCHICPTheBoschprocessusestwochemistries,onetogeneratepolymersandtheothertoetchsilicon.Theetchmachineswitchesbetweenthetwoeveryfewsecondstoensurethatthesidewallsarecoveredwithpolymerallowingfast,deeptrenchetching.產(chǎn)生聚合物和硅刻蝕交替進行；快速切換；ICP刻蝕簡析Deep

dryetching有意形成聚合物（側(cè)壁鈍化），目的是在側(cè)壁上形成抗腐蝕膜，從而防治橫向刻蝕，形成高的各項異性刻蝕。ICP刻蝕簡析刻蝕相關參數(shù)

1）、工作壓力的選擇：對于不同的要求，工作壓力的選擇很重要，壓力取決于通氣量和泵的抽速，合理的壓力設定值可以增加對反應速率的控制、增加反應氣體的有效利用率等。

2）、RF功率的選擇：RF功率的選擇可以決定刻蝕過程中物理轟擊所占的比重，對于刻蝕速率和選擇比起到關鍵作用。RF功率、反應氣體的選擇和氣體通入的方式可以控制刻蝕過程為同步刻蝕亦或是BOSCH工藝。3）、ICP功率：ICP功率對于氣體離化率起到關鍵作用，保證反應氣體的充分利用。在氣體流量一定的情況下，隨著ICP功率的增加氣體離化率也相應增加，可增加到一定程度時，離化率趨向于飽和，此時再增加ICP功率就會造成浪費。4）、反應氣體的選擇和配比。ICP刻蝕簡析刻蝕注意事項刻蝕前的準備要點操作者必須仔細認真閱讀操作說明，并明確每個部件在刻蝕系統(tǒng)中的作用檢查水、電、氣是否接好，并打開電源，冷卻循環(huán)水，及壓縮空氣若工作室處