國(guó)家開(kāi)放大學(xué)《光伏電池材料》形考任務(wù)1-4參考答案

國(guó)家開(kāi)放大學(xué)《光伏電池材料》形考任務(wù)1-4參考答案題目隨機(jī),下載后利用查找功能完成學(xué)習(xí)任務(wù)形考任務(wù)1一、單項(xiàng)選擇題1.多晶硅屬于（）A.體心立方結(jié)構(gòu)B.面心立方結(jié)構(gòu)C.簡(jiǎn)單立方結(jié)構(gòu)D.金剛石結(jié)構(gòu)2.二元相圖通常采用（）的坐標(biāo)系。A.壓強(qiáng)-濃度（p-x）圖B.溫度-濃度（T-x）圖C.溫度-壓力（T-p）圖D.三棱柱模型3.根據(jù)晶胞外形即極邊長(zhǎng)度之間的關(guān)系和晶軸之間的夾角情況，而不涉及晶胞中原子的具體排列情況，可將所有晶體分成（）個(gè)晶系，（）種布拉菲點(diǎn)陣。A.7、14B.5、10C.6、12D.10、204.關(guān)于二氧化硅以下說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）A.制造冶金硅的主要原料之一B.能與HF反應(yīng)C.SiO2不溶于水，但能于熱的濃堿溶液反應(yīng)生成硅酸鹽，反應(yīng)較快D.石英是地殼中分布很少的礦物5.關(guān)于硅單質(zhì)說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。A.在常壓下具有金剛石型結(jié)構(gòu)B.原子晶體，是深灰色而帶有金屬光澤的晶體C.熔點(diǎn)為1420℃，沸點(diǎn)為2355℃D.具有類(lèi)似金屬的塑性6.關(guān)于硅的化學(xué)性質(zhì)說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。A.在高溫下，硅幾乎與所有物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)B.硅單質(zhì)在常溫下能與氫氟酸和硝酸的混合物反應(yīng)C.硅單質(zhì)在常溫下化學(xué)性質(zhì)十分穩(wěn)定D.硅材料的一個(gè)重要優(yōu)點(diǎn)就是硅表面很不容易氧化7.關(guān)于四氯化硅以下說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）A.無(wú)色而有刺鼻氣味的液體B.熔點(diǎn)-70℃，沸點(diǎn)57.6℃C.不溶于苯、氯仿、石油醚等多數(shù)有機(jī)溶劑D.可以經(jīng)吸入、食入、經(jīng)皮吸收，對(duì)眼睛及上呼吸道有強(qiáng)烈刺激作用8.關(guān)于位錯(cuò)密度說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。A.也可理解為穿越單位截面積的位錯(cuò)線(xiàn)的數(shù)目B.是單位體積晶體中所包含的位錯(cuò)線(xiàn)總長(zhǎng)度C.通常情況下制得位錯(cuò)密度較小的材料D.位錯(cuò)密度大或小，相應(yīng)材料的力學(xué)性能均較佳9.觀察晶體中位錯(cuò)最簡(jiǎn)單的方法是（）。A.透射電鏡法B.手觸感覺(jué)法C.浸蝕觀察法D.肉眼觀察法10.硅晶體的解理面有（）A.{112}晶面和{110}晶面B.{111}晶面和{100}晶面C.{111}晶面和{110}晶面D.{110}晶面和{100}晶面11.面心立方結(jié)構(gòu)晶胞中的原子數(shù)為（）A.4B.8C.14D.112.漂晶現(xiàn)象的原因在于（）。A.籽晶太小B.過(guò)冷度太大C.雜質(zhì)太多D.液面上這些位置不能保持正驅(qū)動(dòng)力13.室溫一個(gè)大氣壓下，液態(tài)水的自由度為（）。A.3B.2C.0D.114.西門(mén)子法作為硅的提純工藝，所用的原料主要是（）A.P型硅半導(dǎo)體B.99.9999%（6個(gè)9）的為太陽(yáng)能級(jí)硅C.99.999999999%（11個(gè)9）的為電子級(jí)硅D.95%-99%的冶金級(jí)硅15.下列屬于面缺陷的是（）A.位錯(cuò)B.空洞C.空位D.晶界16.液態(tài)水、冰、水蒸氣共存時(shí)，獨(dú)立組元數(shù)為（）。A.2B.3C.1D.017.一般熱處理時(shí)的原子擴(kuò)散主要與（）有關(guān)A.以上都不是B.位錯(cuò)C.空位D.晶界18.以下（）不是自然界中的硅同位素。A.30SiB.29SiC.32SiD.28Si19.雜質(zhì)原子與基體原子尺寸相當(dāng)，容易形成（）A.置換原子B.位錯(cuò)C.空位D.間隙原子20.正溫度梯度與負(fù)溫度梯度相比，（）。A.正溫度梯度是指液相溫度隨離液-固界面的距離增大而降低B.負(fù)溫度梯度有利于完整晶體的生長(zhǎng)C.正溫度梯度時(shí)結(jié)晶潛熱只能通過(guò)固相而散出，相界面的推移速度受固相傳熱速度所控制D.正溫度梯度容易產(chǎn)生枝晶生長(zhǎng)二、不定項(xiàng)選擇題1.不能用于區(qū)分晶體與非晶體的是（）A.密度的大小B.熔點(diǎn)的高低C.是否具有確定的熔點(diǎn)D.原子排練是否有序2.采用適當(dāng)?shù)脑吓浔?，都能得到解決或部分解決是（）。A.在固液兩相區(qū)內(nèi)生長(zhǎng)晶體或是配料偏離同成分點(diǎn)時(shí)溫度波動(dòng)導(dǎo)致固相成分波動(dòng)引起生長(zhǎng)條紋B.晶體冷卻時(shí)越過(guò)溶線(xiàn)引起脫溶沉淀C.由于組分過(guò)冷引起晶體的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)等D.晶體成分偏離理想配比引起點(diǎn)缺陷3.關(guān)于白炭黑說(shuō)法準(zhǔn)確的是（）。A.白碳黑是在特殊設(shè)計(jì)的爐子里在1370K下用四氯化硅在氧氣流經(jīng)過(guò)氣相氧化制得的B.非常細(xì)小顆粒和極大的表面積C.具有化學(xué)惰性不會(huì)與硫化而引入的過(guò)氧化物反應(yīng)D.硅氧烷橡膠里的主要增強(qiáng)填料4.關(guān)于單晶硅的晶體結(jié)構(gòu)說(shuō)法正確的是（）。A.硅原子軌道雜化以后，在sp3軌道上有4個(gè)未成對(duì)的價(jià)電子B.硅原子所有價(jià)電子都被束縛在共價(jià)鍵上，沒(méi)有自由電子，所以不是導(dǎo)體C.共價(jià)鍵的飽和性使得硅最多只能形成4個(gè)共價(jià)鍵D.共價(jià)鍵的方向性使得每個(gè)硅原子都和周?chē)?個(gè)最近鄰的原子組成一個(gè)正四面體5.關(guān)于點(diǎn)缺陷說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。A.點(diǎn)缺陷使得固體內(nèi)原子擴(kuò)散更容易進(jìn)行B.點(diǎn)缺陷使得滑移更容易進(jìn)行C.空位越多，晶體的密度越低D.金屬中的點(diǎn)缺陷增加了電阻6.關(guān)于固溶體與中間相說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。A.Cu-Ni合金屬于中間相B.形成的新相的晶體結(jié)構(gòu)不同于任一組元，新形成的固相叫中間相C.固熔體一般具有較高的熔點(diǎn)及硬度D.某一組元作為溶劑，其他組元為溶質(zhì)，所形成的與溶劑有相同晶體結(jié)構(gòu)、晶格常數(shù)稍有變化的固相，稱(chēng)為固溶體7.關(guān)于硅的電阻率說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。A.硅的電導(dǎo)率對(duì)外界因素（如光、熱、磁等）高度敏感B.N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力都比本征半導(dǎo)體大得多C.在高純硅中摻入極微量的電活性雜質(zhì)，其電阻率會(huì)顯著下降D.N型半導(dǎo)體中也有自由電子，但數(shù)量很少，稱(chēng)為少數(shù)載流子8.關(guān)于硅的鹵化物說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。A.熔點(diǎn)、沸點(diǎn)都比較低B.都是共價(jià)化合物C.都是無(wú)色的D.一般都是無(wú)毒的9.關(guān)于晶體的宏觀表面說(shuō)法正確的是（）。A.表面最活躍的位置是臺(tái)階的邊緣處B.從原子的尺度來(lái)看，十分粗糙而凹凸不平C.宏觀表面一般與原子密排面平行D.宏觀表面基本上由一系列平行的原子密排面及相應(yīng)的臺(tái)階組成的10.關(guān)于臨界晶核說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。A.臨界半徑與過(guò)冷度ΔT無(wú)關(guān)B.晶胚的尺寸大于臨界晶核，晶胚就成為穩(wěn)定的晶核而后繼續(xù)長(zhǎng)大C.均勻形核與非均勻形核的臨界晶核大小不同D.當(dāng)晶胚的尺寸小于臨界晶核，晶胚不穩(wěn)定，難以長(zhǎng)大，最終熔化而消失11.關(guān)于三氯氫硅說(shuō)法正確的是（）。A.可由硅粉與氯化氫合成而得B.可在高溫高壓下用氫還原四氯化硅生成三氯氫硅C.熔點(diǎn)-128℃，沸點(diǎn)31.5℃D.無(wú)色透明液體12.關(guān)于石英說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。A.與晶體硅一樣是原子晶體B.由一個(gè)個(gè)的簡(jiǎn)單SiO2分子組成C.每個(gè)硅原子以SP3雜化形式同四個(gè)氧原子結(jié)合，形成SiO4四面體結(jié)構(gòu)單元D.石英砂開(kāi)采、加工成本較低13.關(guān)于位錯(cuò)的觀察，說(shuō)法正確的是（）。A.浸蝕觀察法觀察到的其實(shí)是位錯(cuò)的蝕坑B.蝕坑具有規(guī)則的外形，如三角形，正方形等規(guī)則的幾何外形C.晶體內(nèi)部位錯(cuò)無(wú)法浸蝕觀察D.位錯(cuò)密度很大的晶體也能浸蝕觀察14.硅在自然界主要以（）形式存在。A.石英砂B.硅單質(zhì)C.硅酸鹽D.白炭黑15.解理面通常是晶面間距較大的晶面。在金剛石結(jié)構(gòu)中，下面晶面的晶面間距最大的是（）。A.{110}B.{111}C.{100}D.{120}16.金剛石結(jié)構(gòu)的晶胞中原子數(shù)為（），配位數(shù)為（）。A.8、8B.8、4C.12、4D.4、417.兩側(cè)晶粒位向差為1°的晶界屬于（）。A.大角度晶界B.刃位錯(cuò)C.亞晶界D.小角度晶界18.熱力學(xué)平衡條件包括（）。A.相平衡B.熱平衡C.濃度平衡D.力學(xué)平衡19.下列不屬于面缺陷的是（）。A.表面B.氣孔C.間隙原子D.相界20.下列屬于晶體的宏觀特性的有（）A.長(zhǎng)程有序B.解理性C.各向異性D.固定熔點(diǎn)三、判斷題1.柏氏矢量說(shuō)明了畸變發(fā)生在什么晶向，是一個(gè)沒(méi)有大小的量。（×）2.點(diǎn)缺陷的平衡濃度隨溫度升高呈指數(shù)關(guān)系增加。（√）3.硅晶體的半導(dǎo)體性源于共價(jià)鍵。（√）4.硅是通過(guò)自由電子導(dǎo)電的，所以載流子就是自由電子。（×）5.硅烷就是甲硅烷。（×）6.硅在地殼中的豐度為25.90%，僅次于氧，硅的含量在所有元素中居第二位。（√）7.滑移的方向是與位錯(cuò)線(xiàn)平行的為刃型位錯(cuò)。（×）8.甲硅烷的化學(xué)性質(zhì)很活潑，有強(qiáng)的氧化性。（×）9.可很方便制備得到位錯(cuò)很少的多晶硅片。（×）10.內(nèi)能是隨缺陷增加而增加的，所以空位越多越不穩(wěn)定。（×）11.平衡狀態(tài)下，位錯(cuò)密度隨溫度升高呈指數(shù)關(guān)系增加。（×）12.普通玻璃是無(wú)定形二氧化硅。（×）13.刃型位錯(cuò)和螺型位錯(cuò)的判斷可以通過(guò)晶體發(fā)生局部滑移的方向是與位錯(cuò)線(xiàn)垂直還是平行來(lái)區(qū)分。（√）14.水晶是石英的單晶體，是一種堅(jiān)硬、脆性、難溶的無(wú)色透明的固體。（√）15.一氧化硅是硅和二氧化硅的均勻混合物在低壓下加熱到1450K以上生成的揮發(fā)性物質(zhì)。（√）16.有些雜質(zhì)即使在硅中含量超過(guò)1015cm-3，也不會(huì)對(duì)電池的轉(zhuǎn)換效率產(chǎn)生明顯影響。（√）17.在半導(dǎo)體的P-N結(jié)中，濃度梯度形成的擴(kuò)散作用與內(nèi)建電場(chǎng)的電場(chǎng)力的作用達(dá)到平衡。（√）18.在常溫下硅對(duì)多數(shù)酸是穩(wěn)定的。（√）19.在常溫下硅能與稀堿溶液反應(yīng)。（√）20.在絕對(duì)溫度零度和無(wú)外界激發(fā)的條件下，硅晶體沒(méi)有自由電子存在，完全不導(dǎo)電。（√）四、連線(xiàn)題1.將各類(lèi)晶體缺陷與實(shí)例一一對(duì)應(yīng)。（1）點(diǎn)缺陷一一B.空位（2）線(xiàn)缺陷一一A.位錯(cuò)（3）面缺陷一一C.相界2.將各種硅化合物與描述一一對(duì)應(yīng)。（1）二氧化硅一一B.可以從河砂中水洗去掉粘土等雜質(zhì)和進(jìn)行篩分得到（2）三氯氫硅一一C.在潮濕空氣中與水蒸氣發(fā)生水解作用會(huì)產(chǎn)生煙霧（3）四氯化硅一一A.沸點(diǎn)31.5℃，室溫下無(wú)色透明液體3.將各種硅化合物與熔沸點(diǎn)一一對(duì)應(yīng)。（1）四氯化硅一一B.熔點(diǎn)-70℃，沸點(diǎn)57.6℃（2）三氯氫硅一一C.熔點(diǎn)-128℃，沸點(diǎn)31.5℃（3）甲硅烷一一A.熔點(diǎn)-185℃，沸點(diǎn)-111.8℃4.將各種硅化合物與作用一一對(duì)應(yīng)。（1）二氧化硅一一B.制造冶金硅的主要原料之一（2）三氯氫硅一一A.可作為西門(mén)子法提純硅材料的中間產(chǎn)物（3）甲硅烷一一C.大量地用于制高純硅，高溫易熱解5.將硅材料與描述一一對(duì)應(yīng)。（1）電子級(jí)硅一一B.99.999999999%（2）冶金級(jí)硅一一C.95%-99%（3）太陽(yáng)能級(jí)硅一一A.99.9999%6.將硅的用途與性質(zhì)一一對(duì)應(yīng)。（1）二極管一一C.制成晶體二極管后即能整流又能檢波（2）集成電路一一A.通過(guò)掩蔽、光刻、擴(kuò)散等工藝，可在一個(gè)或幾個(gè)很小的硅晶片上集結(jié)成一個(gè)或幾個(gè)完整的電路（3）光電池一一B.可以把光能轉(zhuǎn)化成電能7.將晶體的特性與解釋一一對(duì)應(yīng)。（1）各向異性一一C.在不同方向上，晶體的物理性質(zhì)不同，如電阻率、導(dǎo)電性能、導(dǎo)熱性能、介電常數(shù)、光的折射、彈性、硬度等（2）長(zhǎng)程有序一一B.粒子排列具有三維周期性、對(duì)稱(chēng)性（3）解理性一一A.晶體常具有沿某些確定方位的晶面劈裂的性質(zhì)8.將晶體結(jié)構(gòu)與晶胞中原子數(shù)一一對(duì)應(yīng)。（1）簡(jiǎn)單立方結(jié)構(gòu)一一C.1（2）體心立方結(jié)構(gòu)一一B.2（3）面心立方結(jié)構(gòu)一一A.49.將晶體生長(zhǎng)方式與實(shí)例一一對(duì)應(yīng)。（1）固相生長(zhǎng)一一C.石墨在高溫高壓的條件下轉(zhuǎn)變?yōu)榻饎偸?）液相生長(zhǎng)一一B.鹽水溶液結(jié)晶（3）汽相生長(zhǎng)一一A.水汽凝結(jié)為冰晶10.將相圖與特點(diǎn)一一對(duì)應(yīng)。(1)勻晶相圖一一A.兩組元在液態(tài)、固態(tài)都無(wú)限互溶(2)共晶相圖一一B.L→α+β(3)包晶相圖一一C.L+α→β形考任務(wù)2一、單項(xiàng)選擇題1.（）是生產(chǎn)太陽(yáng)能級(jí)硅材料的主要技術(shù)。A.冶金法B.二氧化硅高純?cè)噭┻€原法C.改良西門(mén)子法D.四氯化硅金屬還原法2.代號(hào)2205的工業(yè)硅，其中鐵、鋁、鈣三種雜質(zhì)的含量分別是（）。A.0.20％、0.20％、0.05％B.以上都不對(duì)C.0.20％、0.05％、0.20％D.0.05％、0.20％、0.20％3.對(duì)比傳統(tǒng)西門(mén)子法，改良西門(mén)子法的優(yōu)點(diǎn)，錯(cuò)誤的是（）。A.節(jié)約時(shí)間B.節(jié)能C.降低物耗D.減少污染4.改良西門(mén)子法所采用的提純工藝是（）。A.吸附B.精餾C.區(qū)域提純D.物理提純法5.工業(yè)硅加工產(chǎn)品的附加值最高的是（）。A.有機(jī)硅生產(chǎn)B.生產(chǎn)合金C.生產(chǎn)光纖、多晶硅、單晶硅等通訊、半導(dǎo)體器件和太陽(yáng)能電池D.以上皆不是6.關(guān)于采用區(qū)域提純法去除硅中硼雜的區(qū)域提純雜質(zhì)描述正確的是（）A.取決于溫度效果顯著B(niǎo).取決于硼的含量C.效果一般完全去除D.幾乎無(wú)法效果去除7.關(guān)于分子篩說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。A.也叫合成沸石B.分子篩晶體內(nèi)有許多孔徑均勻的孔道和排列整齊的孔穴，提供了大量的比表面C.具有極性D.對(duì)非極性分子具有較強(qiáng)的親和力8.硅石和還原劑在低于1500℃時(shí)，發(fā)生的反應(yīng)是（）。A.SiO2+3C=SiC+2CO↑B.無(wú)化學(xué)反應(yīng)，僅為預(yù)熱C.SiO2+2SiC=3Si+2CO↑D.2SiO2+SiC=3SiOuarrB.+CO↑9.金剛石結(jié)構(gòu)的晶體中位錯(cuò)滑移最容易產(chǎn)生的滑移面是（）。A.{111}面B.{110}面C.{100}面D.{101}面10.晶體生長(zhǎng)過(guò)程中產(chǎn)生的缺陷稱(chēng)為（）。A.原生長(zhǎng)缺陷B.二次缺陷C.點(diǎn)缺陷D.誘生缺陷11.區(qū)熔法制備單晶硅時(shí)，需要（）。A.需要一個(gè)石英坩堝用于溶化B.需要一個(gè)石英坩堝和一個(gè)石墨坩堝C.不需要坩堝D.需要一個(gè)石墨坩堝12.生產(chǎn)直拉單晶硅生產(chǎn)時(shí)，單晶爐內(nèi)需要通入（）作為保護(hù)氣體爐體內(nèi)通常是（）。A.氧氣低壓的空氣B.低壓的氮?dú)鈿錃釩.低壓的氬氣D.常壓的空氣13.太陽(yáng)電池用直拉單晶硅中的主要缺陷是（）。A.雜質(zhì)原子B.位錯(cuò)C.空位D.二次缺陷14.微電子工業(yè)和單晶硅太陽(yáng)電池的生產(chǎn)的特點(diǎn)在于（）。A.前者主要采用FZ硅，而后者主要采用CZ硅B.兩者可以采用同樣的高純多晶硅作為原料C.后者采用直拉法或區(qū)熔法單晶硅，而前者不是D.從高純多晶硅轉(zhuǎn)化成單晶硅的步驟都非常重要15.吸附時(shí)不發(fā)生任何化學(xué)變化，是（）。A.物理吸附B.以上皆不是C.化學(xué)吸附D.不可逆過(guò)程16.在工業(yè)硅的生產(chǎn)爐中，溫度在2000℃以上的部分，（）。A.只有熔煉過(guò)程中生成的SiCB.底下是SiC，其上面是產(chǎn)品工業(yè)硅C.全部都是產(chǎn)品工業(yè)硅D.以上皆不是17.占據(jù)晶格間隙位置的雜質(zhì)原子為（）。A.原生長(zhǎng)缺陷B.替位雜質(zhì)原子C.本征點(diǎn)缺陷D.間隙雜質(zhì)原子18.CZ法生長(zhǎng)單晶硅工藝依次有加料、熔化以及（）。A.縮頸生長(zhǎng)、等徑生長(zhǎng)、放肩生長(zhǎng)、尾部生長(zhǎng)B.縮頸生長(zhǎng)、放肩生長(zhǎng)、等徑生長(zhǎng)、尾部生長(zhǎng)C.等徑生長(zhǎng)、縮頸生長(zhǎng)、放肩生長(zhǎng)、尾部生長(zhǎng)D.放肩生長(zhǎng)、縮頸生長(zhǎng)、等徑生長(zhǎng)、尾部生長(zhǎng)19.Dash工藝主要解決的是（）。A.熱應(yīng)力B.減少缺陷（位錯(cuò)）C.加入轉(zhuǎn)晶D.放肩二、不定項(xiàng)選擇題20.大熱場(chǎng)的石墨坩堝往往被做成兩瓣或三瓣式的原因在于（）。A.方便安裝B.防止石墨坩堝被膨脹的石英坩堝撐破C.吸收剩余的熔硅凝固時(shí)體積增大而造成的應(yīng)力，從而減少漏硅的危險(xiǎn)D.降低成本21.工業(yè)硅生產(chǎn)過(guò)程中，要注意的是（）。A.通過(guò)選擇合理的爐子結(jié)構(gòu)參數(shù)和電氣參數(shù)，保證反應(yīng)區(qū)有足夠高的溫度B.及時(shí)搗爐，幫助沉料C.保持料層有良好的透氣性，及時(shí)排除反應(yīng)生成的氣體D.及時(shí)調(diào)整配料比，保持適宜的SiO2與碳的分子比22.工業(yè)吸附對(duì)于吸附劑的要求包括（）。A.具有較大的內(nèi)表面，吸附容量大B.具有一定的機(jī)械強(qiáng)度，抗磨損C.有良好的物理及化學(xué)性能，耐熱沖擊，耐腐蝕D.選擇性高23.關(guān)于對(duì)czCZ法和fzFZ法說(shuō)法描述正確的是（）。A.生長(zhǎng)時(shí)都需借助要采用籽晶B.都需要采用真空氣氛保護(hù)C.都需要使用縮頸工藝D.熔化時(shí)都需要采用坩堝24.關(guān)于硅粉與氯化氫合成三氯氫硅的生產(chǎn)工藝說(shuō)法正確的是（）。A.放熱反應(yīng)B.吸熱反應(yīng)C.溫度升高后反而將影響產(chǎn)品收率D.要加熱到所需溫度才能進(jìn)行25.關(guān)于晶轉(zhuǎn)說(shuō)法正確的是（）。A.過(guò)高的晶轉(zhuǎn)會(huì)使固液界的形狀太凹B.在某些晶轉(zhuǎn)下，棱線(xiàn)或者小平面與直徑的讀取同步，引起直徑的讀值和拉速的大幅度跳動(dòng)C.晶體和坩堝的旋轉(zhuǎn)方向相同，以改善熱場(chǎng)的對(duì)稱(chēng)性D.吊索和晶體出現(xiàn)共振時(shí)效果最好26.關(guān)于完全互溶的A、B雙組分的溶液與其混合蒸汽所組成的相圖，說(shuō)法正確的是（）。A.被兩條曲線(xiàn)分為三個(gè)區(qū)域B.升溫到氣相線(xiàn)上，正好產(chǎn)生第一個(gè)氣泡，故氣相線(xiàn)又稱(chēng)為泡點(diǎn)曲線(xiàn)C.降溫到液相線(xiàn)，產(chǎn)生第一個(gè)液滴，故液相線(xiàn)稱(chēng)為露點(diǎn)曲線(xiàn)D.降溫到液相線(xiàn)上，正好產(chǎn)生第一個(gè)氣泡，故液相線(xiàn)又稱(chēng)為泡點(diǎn)曲線(xiàn)27.關(guān)于SiO說(shuō)法正確的是（）。A.SiO很容易發(fā)生化學(xué)反應(yīng)B.溫度高于1500℃，由SiO2和SiC反應(yīng)得到C.能在1500℃與C發(fā)生反應(yīng)D.能與氧氣發(fā)生反應(yīng)28.硅烷法的特點(diǎn)是（）。A.不需用氫還原，甲硅烷可以熱分解為多晶硅B.硅烷氣體易于用吸附法提純C.易于分解為非晶硅D.硅烷易爆炸29.化學(xué)法提純高純多晶硅的工藝包括（）。A.中間化合物的分離提純B.中間化合物的合成C.中間產(chǎn)物被還原或者是分解成高純硅還原成高純硅D.區(qū)域提純30.晶體中點(diǎn)缺陷濃度是（）效應(yīng)共同作用的結(jié)果。A.點(diǎn)缺陷的產(chǎn)生B.點(diǎn)缺陷分解C.點(diǎn)缺陷的復(fù)合D.點(diǎn)缺陷的擴(kuò)散31.具有金剛石結(jié)構(gòu)的的晶體中的解理面包括位錯(cuò)線(xiàn)的優(yōu)先方向?yàn)椋ǎ?。A.{211}〈211〉晶面族晶向B.{100}<110>晶向晶面族C.〈210〉晶向{110}晶面族D.{111}晶面族〈111〉晶向32.磷在硅中很容易去除，在于（）。A.磷的密度小B.磷在硅中的分配系數(shù)小于1C.磷在硅熔液中很快得到蒸發(fā)D.磷的熔點(diǎn)低33.石墨坩堝的壽命取決于（）。A.石墨坩堝的形狀B.在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中的受熱程度C.承受的重量D.石墨的材質(zhì)34.位錯(cuò)影響說(shuō)法正確的是（）。A.刃型位錯(cuò)也可能作為一排受主B.位錯(cuò)作為一個(gè)線(xiàn)電荷和空間電荷圓柱成為復(fù)合中心C.位錯(cuò)能夠改變載流子濃度D.刃性位錯(cuò)作為一排施主中心向?qū)峁╇娮?5.無(wú)坩堝區(qū)域提純（）。A.也可用于晶體生長(zhǎng)B.硅也能采用水平區(qū)域提純法C.避免了坩堝的污染D.熔硅不會(huì)流動(dòng)是由于其很大的表面張力36.以下對(duì)吸附描述正確的是升溫和降壓有助于（）。A.升溫對(duì)于物理吸附影響很小化學(xué)吸附是可逆的B.化學(xué)吸附是不可逆的降壓只是讓水蒸氣更容易揮發(fā)C.物理吸附的進(jìn)行吸附是可逆的D.脫咐的進(jìn)行物理吸附是不可逆的37.由于跟FZ技術(shù)相比，CZ法具有（）。A.通過(guò)晶轉(zhuǎn)和鍋轉(zhuǎn)控制晶體-熔體邊界層能較好的控制徑向摻雜均勻度B.熔體穩(wěn)定C.晶體直徑大D.對(duì)多晶形狀要求低38.直拉單晶爐的主室包括（）。A.熱絕緣筒和地盤(pán)B.石墨加熱器C.石墨坩堝D.石英坩堝39.CZ法產(chǎn)生位錯(cuò)的環(huán)節(jié)和方式有（）。A.籽晶中的位錯(cuò)延伸、增殖B.晶體表面存在溫度梯度，產(chǎn)生很強(qiáng)的熱應(yīng)力C.籽晶表面損傷、機(jī)械磨損裂痕D.單晶冷卻時(shí)，晶體表面和中心由于收縮率不同產(chǎn)生很大的應(yīng)力三、判斷題1.閉路循環(huán)系統(tǒng)是指生產(chǎn)中的各種物料得到充分的利用，排出的廢料極少。（√）2.從安全性的角度考慮，改良西門(mén)子法優(yōu)于硅烷法。（√）3.單位長(zhǎng)度位錯(cuò)線(xiàn)的能量正比于柏格斯矢量長(zhǎng)度。（×）4.對(duì)于一次熔化來(lái)說(shuō)，正常凝固的提純效果不如區(qū)域提純的效果好。（×）5.分子篩具有極性，對(duì)非極性分子具有較強(qiáng)的親和力。（×）6.改良西門(mén)子法的原料主要是硅石。（×）7.改良西門(mén)子法能對(duì)產(chǎn)生的氫氣、氯化氫、氯硅烷等副產(chǎn)物進(jìn)行回收利用。（√）8.改良西門(mén)子法是一個(gè)閉路循環(huán)系統(tǒng)，多晶硅生產(chǎn)中的各種無(wú)聊得到充分的利用，排出的廢料極少。（√）9.硅是自然界分布最廣泛的元素之一，是介于金屬和非金屬之間的半金屬。（√）10.化學(xué)提純時(shí)，中間化合物提純到所需要的純度后，在后續(xù)的還原工藝要求不需要很高。（×）11.化學(xué)吸附是放熱過(guò)程，而物理吸附是吸熱過(guò)程。（×）12.甲硅烷常溫下為氣體，室溫下就容易分解。（×）13.精餾是實(shí)現(xiàn)多級(jí)部分汽化和多級(jí)部分冷凝的實(shí)用技術(shù)。（√）14.冶金法制備高純多晶硅與改良西門(mén)子法相比，前者的成本更低，但是電耗更多。（×）15.由于能量的原因，晶體中空位和自間隙原子在一定溫度下的平衡濃度是一定的。（√）16.只通過(guò)濕法冶金技術(shù)來(lái)提純硅材料，是很難將工業(yè)硅提純到滿(mǎn)足制作太陽(yáng)能電池所需的要求。（√）17.CZ和FZ均采用感應(yīng)線(xiàn)圈進(jìn)行加熱。（√）18.FZ硅占領(lǐng)了85%以上的硅單晶市場(chǎng)。（×）19.MCZ法磁致粘滯性控制了流體的運(yùn)動(dòng)，也減少了熔體的溫度波動(dòng)。（√）20.SiH4不能采用精餾技術(shù)進(jìn)行提純。（×）四、連線(xiàn)題1.將工業(yè)硅的應(yīng)用與用量一一對(duì)應(yīng)。（1）生產(chǎn)合金一一C.55%（2）有機(jī)硅一一B.40%（3）半導(dǎo)體器件和太陽(yáng)能電池一一A.5%2.將工業(yè)硅生產(chǎn)過(guò)程中的注意事項(xiàng)與作用一一對(duì)應(yīng)。（1）保持適宜的SiO2與碳的分子比一一C.防止過(guò)多的SiC生成（2）保證反應(yīng)區(qū)有足夠高的溫度一一B.分解生成的SiC使反應(yīng)向有利于生成硅的方向進(jìn)行（3）及時(shí)搗爐，幫助沉料一一A.避免爐內(nèi)過(guò)熱造成硅的揮發(fā)或再氧化生成SiO3.將工藝與提純方法一一對(duì)應(yīng)。（1）硅烷法一一B.吸附（2）改良西門(mén)子法一一A.精餾（3）冶金一一C.物理提純4.將硅中的微小的缺陷與描述一一對(duì)應(yīng)。（1）紅外散射缺陷（LSTDs）一一C.拉速越慢，LSTDs密度越低（2）流水花樣缺陷（FPDs）一一B.過(guò)飽和空位凝聚而成的空位團(tuán)（3）晶體原生顆粒缺陷（COPs）一一A.隨著拉速的增加而增加5.將化學(xué)反應(yīng)與作用一一對(duì)應(yīng)。（1）SiHCl3+H2→Si+3HCl一一C.中間產(chǎn)物的還原（2）Si+3HCl→SiHCl3+H2一一A.中間產(chǎn)物的合成（3）3SiO2+2SiC=Si+4SiO↑+2CO↑一一B.工業(yè)硅的合成6.將吸附的設(shè)備與工藝一一對(duì)應(yīng)。（1）流體和固體吸附劑置于同一容器內(nèi)一一C.間歇操作（2）固定吸附床一一A.半連續(xù)操（3）移動(dòng)吸附器一一B.連續(xù)操作7.將氧的存在方式及其描述一一對(duì)應(yīng)。（1）熱施主一一B.處理溫度處于300～500℃（2）新施主一一A.熱處理溫度處于550～850℃（3）氧沉淀一一C.適當(dāng)?shù)臏囟认逻M(jìn)行熱處理時(shí)會(huì)脫溶8.將元素及其在硅熔體中的分凝系數(shù)一一對(duì)應(yīng)。（1）O一一A.1.25（2）C一一B.0.07（3）B一一C.0.89.將Cz法中的工藝與描述一一對(duì)應(yīng)。（1）縮頸生長(zhǎng)一一A.減少位錯(cuò)（2）放肩生長(zhǎng)一一C.肩部夾角接近180°，這樣可以提高多晶硅的利用率（3）等徑生長(zhǎng)一一B.硅片取材的部位10.將Cz法中的設(shè)備與描述一一對(duì)應(yīng)。（1）石英坩堝一一C.純度和耐熱性能要求很高（2）石墨坩堝一一A.底部比較厚，以起到較好的絕熱效果（3）石墨加熱器一一B.電阻會(huì)隨著使用次數(shù)的增加而升高11.將FZ單晶硅中的雜質(zhì)與描述一一對(duì)應(yīng)。（1）O一一A.危害大（2）C一一B.濃度低，影響小（3）N一一C.增強(qiáng)機(jī)械性能形考任務(wù)3一、單項(xiàng)選擇題1.單晶硅片的電阻率一般控制在（）。A.2～4·cm左右B.1～3·cm左右C.0.5～2·cm左右D.0.1～0.3·cm左右2.電磁鑄錠法說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。A.熔體與坩堝不直接接觸B.硅錠中晶粒較細(xì)小C.電磁力對(duì)硅熔體的作用，可能使硅熔體中摻雜劑的分布更為均勻D.較少晶體缺陷3.硅的熔點(diǎn)約為（）。A.800℃B.1420℃C.2200℃D.1200℃4.硅片切割中的碎料可用于（）。A.鑄造多晶硅B.直拉單晶硅C.區(qū)熔單晶硅D.填坑5.硅片中磷擴(kuò)散進(jìn)行摻雜的原料是（）。A.PH3B.PH5C.POCl3D.B2O36.目前常用的多晶硅鑄錠爐單爐產(chǎn)量約為（）。A.450kgB.1000kgC.100kgD.250kg7.目前最常用的硅片的尺寸為（）。A.210mm×210mmB.156mm×156mmC.125mm×125mmD.100mm×100mm8.熱交換法與布里奇曼法的主要區(qū)別在于（）。A.是否需要水冷B.成本C.能耗D.坩堝與熱源的相互運(yùn)動(dòng)情況9.少子壽命的物理意義是（）。A.以上都不對(duì)B.非平衡少數(shù)載流子復(fù)合所需要的平均時(shí)間C.非平衡少數(shù)載流子擴(kuò)散所需要的平均時(shí)間D.非平衡少數(shù)載流子躍遷所需要的平均時(shí)間10.生產(chǎn)1kg鑄造多晶硅所需的能耗是（）kWh。A.以上都不對(duì)B.8～15C.3000%D.18～4011.太陽(yáng)電池用單晶硅片的厚度約為（）。A.400～500umB.300～400umC.200～300umD.100～150um12.氧在鑄造多晶硅中的濃度約為（）。A.1×107～1×108cm-3B.1×1020～1×1021cm-3C.1×1012～1×1013cm-3D.1×1017～1×1018cm-313.一般制造一個(gè)重量為250～300kg的鑄造多晶硅錠需要（）時(shí)間。A.35～45hB.55～65hC.25～35hD.15～25h14.用于測(cè)試硅片中少數(shù)載流子類(lèi)型的測(cè)試是（）。A.X射線(xiàn)法B.整流法C.四探針?lè)―.顯微鏡觀察法15.鑄造多晶硅的晶粒的大小一般為（）。A.1mm左右B.10cm左右C.10mm左右D.100μm左右16.鑄造多晶硅現(xiàn)在通稱(chēng)為（）。A.fz-SiB.cz-SiC.以上都不對(duì)D.mc-Si17.鑄造多晶硅制備目前最常用的方法是（）。A.熱交換法B.布里奇曼法C.澆鑄法D.電磁鑄錠法18.鑄造多晶硅中的晶體摻雜可采用（）。A.BH3B.PH3C.BD.B2O319.最常用于測(cè)試半導(dǎo)體材料電阻率的方法是（）。A.四探針?lè)˙.范德堡法C.擴(kuò)展電阻法D.兩探針?lè)?0.PCD方法可用于測(cè)量（）。A.少子壽命B.電阻率C.曲翹度D.平整度二、不定項(xiàng)選擇題21.大熱場(chǎng)的石墨坩堝往往被做成兩瓣或三瓣式的原因在于（）。A.方便安裝B.降低成本C.防止石墨坩堝被膨脹的石英坩堝撐破D.吸收剩余的熔硅凝固時(shí)體積增大而造成的應(yīng)力，從而減少漏硅的危險(xiǎn)22.工業(yè)硅生產(chǎn)過(guò)程中，要注意的是（）。A.通過(guò)選擇合理的爐子結(jié)構(gòu)參數(shù)和電氣參數(shù)，保證反應(yīng)區(qū)有足夠高的溫度B.及時(shí)搗爐，幫助沉料C.及時(shí)調(diào)整配料比，保持適宜的SiO2與碳的分子比D.保持料層有良好的透氣性，及時(shí)排除反應(yīng)生成的氣體23.工業(yè)吸附對(duì)于吸附劑的要求包括（）。A.具有一定的機(jī)械強(qiáng)度，抗磨損B.有良好的物理及化學(xué)性能，耐熱沖擊，耐腐蝕C.選擇性高D.具有較大的內(nèi)表面，吸附容量大24.關(guān)于對(duì)czCZ法和fzFZ法說(shuō)法描述正確的是（）。A.生長(zhǎng)時(shí)都需借助要采用籽晶B.都需要使用縮頸工藝C.都需要采用真空氣氛保護(hù)D.熔化時(shí)都需要采用坩堝25.關(guān)于硅粉與氯化氫合成三氯氫硅的生產(chǎn)工藝說(shuō)法正確的是（）。A.放熱反應(yīng)B.要加熱到所需溫度才能進(jìn)行C.溫度升高后反而將影響產(chǎn)品收率D.吸熱反應(yīng)26.關(guān)于晶轉(zhuǎn)說(shuō)法正確的是（）。A.在某些晶轉(zhuǎn)下，棱線(xiàn)或者小平面與直徑的讀取同步，引起直徑的讀值和拉速的大幅度跳動(dòng)B.晶體和坩堝的旋轉(zhuǎn)方向相同，以改善熱場(chǎng)的對(duì)稱(chēng)性C.吊索和晶體出現(xiàn)共振時(shí)效果最好D.過(guò)高的晶轉(zhuǎn)會(huì)使固液界的形狀太凹27.關(guān)于完全互溶的A、B雙組分的溶液與其混合蒸汽所組成的相圖，說(shuō)法正確的是（）。A.被兩條曲線(xiàn)分為三個(gè)區(qū)域B.降溫到液相線(xiàn)，產(chǎn)生第一個(gè)液滴，故液相線(xiàn)稱(chēng)為露點(diǎn)曲線(xiàn)C.降溫到液相線(xiàn)上，正好產(chǎn)生第一個(gè)氣泡，故液相線(xiàn)又稱(chēng)為泡點(diǎn)曲線(xiàn)D.升溫到氣相線(xiàn)上，正好產(chǎn)生第一個(gè)氣泡，故氣相線(xiàn)又稱(chēng)為泡點(diǎn)曲線(xiàn)28.關(guān)于SiO說(shuō)法正確的是（）。A.SiO很容易發(fā)生化學(xué)反應(yīng)B.能在1500℃與C發(fā)生反應(yīng)C.溫度高于1500℃，由SiO2和SiC反應(yīng)得到D.能與氧氣發(fā)生反應(yīng)29.硅烷法的特點(diǎn)是（）。A.不需用氫還原，甲硅烷可以熱分解為多晶硅B.硅烷氣體易于用吸附法提純C.硅烷易爆炸D.易于分解為非晶硅30.化學(xué)法提純高純多晶硅的工藝包括（）。A.中間化合物的合成B.中間化合物的分離提純C.區(qū)域提純D.中間產(chǎn)物被還原或者是分解成高純硅還原成高純硅31.晶體中點(diǎn)缺陷濃度是（）效應(yīng)共同作用的結(jié)果。A.點(diǎn)缺陷的產(chǎn)生B.點(diǎn)缺陷的擴(kuò)散C.點(diǎn)缺陷分解D.點(diǎn)缺陷的復(fù)合32.具有金剛石結(jié)構(gòu)的的晶體中的解理面包括位錯(cuò)線(xiàn)的優(yōu)先方向?yàn)椋ǎ.〈210〉晶向{110}晶面族B.{100}<110>晶向晶面族C.{111}晶面族〈111〉晶向D.{211}〈211〉晶面族晶向33.磷在硅中很容易去除，在于（）。A.磷的密度小B.磷的熔點(diǎn)低C.磷在硅熔液中很快得到蒸發(fā)D.磷在硅中的分配系數(shù)小于134.石墨坩堝的壽命取決于（）。A.在晶體生長(zhǎng)過(guò)程中的受熱程度B.石墨坩堝的形狀C.承受的重量D.石墨的材質(zhì)35.位錯(cuò)影響說(shuō)法正確的是（）。A.刃型位錯(cuò)也可能作為一排受主B.刃性位錯(cuò)作為一排施主中心向?qū)峁╇娮覥.位錯(cuò)能夠改變載流子濃度D.位錯(cuò)作為一個(gè)線(xiàn)電荷和空間電荷圓柱成為復(fù)合中心36.無(wú)坩堝區(qū)域提純（）。A.硅也能采用水平區(qū)域提純法B.熔硅不會(huì)流動(dòng)是由于其很大的表面張力C.避免了坩堝的污染D.也可用于晶體生長(zhǎng)37.以下對(duì)吸附描述正確的是升溫和降壓有助于（）。A.升溫對(duì)于物理吸附影響很小化學(xué)吸附是可逆的B.化學(xué)吸附是不可逆的降壓只是讓水蒸氣更容易揮發(fā)C.物理吸附的進(jìn)行吸附是可逆的D.脫咐的進(jìn)行物理吸附是不可逆的38.由于跟FZ技術(shù)相比，CZ法具有（）。A.通過(guò)晶轉(zhuǎn)和鍋轉(zhuǎn)控制晶體-熔體邊界層能較好的控制徑向摻雜均勻度B.晶體直徑大C.對(duì)多晶形狀要求低D.熔體穩(wěn)定39.直拉單晶爐的主室包括（）。A.熱絕緣筒和地盤(pán)B.石墨坩堝C.石墨加熱器D.石英坩堝40.CZ法產(chǎn)生位錯(cuò)的環(huán)節(jié)和方式有（）。A.籽晶中的位錯(cuò)延伸、增殖B.籽晶表面損傷、機(jī)械磨損裂痕C.晶體表面存在溫度梯度，產(chǎn)生很強(qiáng)的熱應(yīng)力D.單晶冷卻時(shí)，晶體表面和中心由于收縮率不同產(chǎn)生很大的應(yīng)力三、判斷題1.純凈的晶界也具有電活性，會(huì)影響多晶硅的電學(xué)性能。（×）2.多晶硅的晶向多樣，因此位錯(cuò)腐蝕坑一般顯示為圓形或橢圓形。（√）3.多晶硅錠中晶粒越細(xì)小，晶界越少。（×）4.硅錠與坩堝壁接觸的底部與四周都是晶粒較大的區(qū)域。（×）5.硅片切割得越薄，切割損耗也越多。（√）6.國(guó)內(nèi)還不能生產(chǎn)鑄造多晶硅的鑄錠爐。（×）7.澆鑄法是很有應(yīng)用前景的鑄造多晶硅生產(chǎn)的新技術(shù)。（×）8.目前的技術(shù)，大規(guī)模生產(chǎn)制造p型摻硼鑄造多晶硅、摻鎵的p型鑄造多晶硅都是沒(méi)有問(wèn)題的。（×）9.熱交換法的鑄錠爐底部不需要水冷。（×）10.如果減少多晶硅鑄錠爐的氮化硅噴涂工藝，可以降低成本。（×）11.太陽(yáng)電池用單晶硅片一般利用氫氧化鈉腐蝕液來(lái)進(jìn)行腐蝕，腐蝕深度要超過(guò)硅片機(jī)械損傷層的厚度，約為20～30um。（√）12.太陽(yáng)能行業(yè)用的硅片是不需要經(jīng)過(guò)拋光的。（√）13.通常晶體的生長(zhǎng)速率越快，生產(chǎn)效率越高，但其溫度梯度也越大，最終導(dǎo)致熱應(yīng)力越大，而高的熱應(yīng)力會(huì)導(dǎo)致高密度的位錯(cuò)，嚴(yán)重影響材料的質(zhì)量。（√）14.一般采用的是摻磷的n型多晶硅，而不是摻鎵的p型多晶硅。（×）15.影響鑄造多晶硅晶體生長(zhǎng)的主要因素是晶粒尺寸、固液界面、熱應(yīng)力、來(lái)自坩堝的污染等。（√）16.與高純石英坩堝相比，高純石墨坩堝的成本更低，但更可能引入碳污染和金屬雜質(zhì)污染。（√）17.在鑄造多晶硅錠中，氧在高度方向的分布是上部高下部低。（×）18.直流光電導(dǎo)衰退法可用于測(cè)量少子壽命，不需要接觸硅片。（×）19.鑄造多晶硅晶體生長(zhǎng)完成后，硅錠保持在熔點(diǎn)附近2～4h，使硅錠溫度均勻，以減少熱應(yīng)力。（√）20.鑄造多晶硅中的金屬沉淀不會(huì)影響載流子濃度。（√）四、連線(xiàn)題1.將測(cè)試方法與作用一一對(duì)應(yīng)。（1）整流法一一C.導(dǎo)電型號(hào)（2）四探針?lè)ㄒ灰籅.電阻率（3）光電導(dǎo)衰退法一一A.少子壽命2.將各工藝與能耗一一對(duì)應(yīng)。（1）區(qū)熔單晶硅一一C.30kWh/Kg（2）直拉單晶硅一一B.18～40kWh/Kg（3）鑄造多晶硅一一A.8～15kWh/Kg3.將各種硅生產(chǎn)工藝與特點(diǎn)一一對(duì)應(yīng)。（1）mc-Si一一C.轉(zhuǎn)換效率一般最低（2）cz-Si一一B.對(duì)硅料的要求一般（3）fz-Si一一A.生產(chǎn)成本最高4.將硅片參數(shù)與作用一一對(duì)應(yīng)。（1）BOW一一A.彎曲度（2）TTV一一C.總厚度偏差（3）TIR一一B.平整度的一種量度5.將硅中的各種元素與影響一一對(duì)應(yīng)。（1）B一一C.特意加入，形成摻雜（2）O一一A.危害較大（3）H一一B.有鈍化效果6.將化學(xué)反應(yīng)與作用一一對(duì)應(yīng)。（1）3Si+4HNO3=3SiO2↓+2H2O+4NO↑一一A.去除硅表面的致密保護(hù)膜（2）SiO2+6HF=H2[SiF6]+2H2O一一C.酸腐蝕（3）Si＋H2O+2NaOH=Na2SiO3+2H2↑一一B.堿腐蝕7.將拋光工藝與描述一一對(duì)應(yīng)。（1）機(jī)械拋光法一一B.采用細(xì)磨料顆料（2）化學(xué)拋光法一一C.硝酸與氫氟酸混合腐蝕液（3）化學(xué)－機(jī)械拋光法一一A.現(xiàn)代半導(dǎo)體工業(yè)中普遍應(yīng)用8.將清洗時(shí)試劑與作用一一對(duì)應(yīng)。（1）無(wú)機(jī)酸一一A.去除鎂、鋁、銅、銀、金、氧化鋁、氧化鎂、二氧化硅等雜質(zhì)（2）有機(jī)溶劑一一C.相似相溶（3）過(guò)氧化氫一一B.對(duì)一些難溶物質(zhì)轉(zhuǎn)化為易溶物質(zhì)9.將吸雜工藝與描述一一對(duì)應(yīng)。（1）磷吸雜一一A.去除磷硅玻璃，將其中的金屬雜質(zhì)一并去除（2）鋁吸雜一一C.除雜效果最佳（3）磷-鋁共吸雜一一B.利用濺射、蒸發(fā)等技術(shù)制備一薄層，熱處理合金化10.將制備方法與描述一一對(duì)應(yīng)。（1）布里曼法一一A.坩堝需升降（2）熱交換法一一B.固液界面比較平穩(wěn)（3）澆鑄法一一C.熔化和結(jié)晶在兩個(gè)不同的坩堝中進(jìn)行形考任務(wù)4一、單項(xiàng)選擇題1.大π鍵說(shuō)法正確的是（）。A.雙鍵包含一個(gè)π鍵B.三鍵包含一個(gè)π鍵C.有機(jī)分子中肯定有D.苯環(huán)上6個(gè)碳原子各有1個(gè)未參加雜化的2p軌道，它們垂直于環(huán)的平面，并從側(cè)面相互重疊而形成一個(gè)閉合的π鍵。"2.二氧化鈦的幾種晶體結(jié)構(gòu)中最適合用于太陽(yáng)電池的是（）。A.銳鈦礦B.金紅石C.都差不多D.板鈦礦3.非晶硅薄膜的厚度約為（）。A.數(shù)十微米B.數(shù)百微米C.數(shù)十毫米D.數(shù)百納米4.非晶硅的沉積溫度為（）。A.900～1300℃B.500～700℃C.100～300℃D.1000～1400℃5.非晶硅的禁帶寬度為（）。A.2.12eVB.1.6eVC.1.5eV，并且在一定程度上可調(diào)D.1.12eV6.非晶硅的制備需要的冷卻速度至少（）。A.104℃/sB.105℃/sC.103℃/sD.102℃/s7.非晶硅的PIN結(jié)構(gòu)的P部分是采用（）形成的。A.SiH4加PH3B.SiH4加BH3C.PH3加BH3D.SiH4加B2H68.非晶硅太陽(yáng)電池的轉(zhuǎn)換效率約為（）。A.5%B.20%C.10%D.15%9.非晶硅最常用的生產(chǎn)方法是（）。A.熱絲化學(xué)氣相沉積B.光化學(xué)氣相沉積C.輝光放電分解氣相沉積D.濺射氣相沉積10.關(guān)于染料敏化太陽(yáng)電池中的納米晶要求錯(cuò)誤的是（）。A.最大限度的與電解質(zhì)緊密接觸B.晶粒越大越好C.盡可能多的吸附染料D.高的比表面積和大量的孔隙11.銳鈦礦相二氧化鈦晶體的禁帶寬度為（）。A.3.2eVB.3.0eVC.2.8eVD.2.2eV12.通常有機(jī)半導(dǎo)體中的導(dǎo)電電子是指（）。A.Σ電子B.π電子C.離域π電子D.離域Σ電子13.銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)電池的禁帶寬度（）。A.3.16eVB.0.97eVC.2.1eVD.1.02~l.67eV范圍內(nèi)可調(diào)14.銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)電池最高轉(zhuǎn)換效率的記錄（）。A.19.40%B.25%C.16.70%D.10.10%15.以下太陽(yáng)電池成本（單位：美元/W）最低的是（）。A.微晶硅薄膜B.多晶硅C.非晶硅薄膜D.銅銦鎵硒16.銦儲(chǔ)量最多的國(guó)家是（）。A.中國(guó)B.日本C.美國(guó)D.俄羅斯17.與光致衰減效應(yīng)聯(lián)系最緊密的元素是（）。A.OB.CC.BD.H18.a-Si指（）。A.微晶硅B.多晶硅C.單晶硅D.非晶硅19.PECVD所使用的主要原料是（）。A.SiHCl3B.SiO2C.SiD.SiH420.PECVD主要利用的是（）區(qū)域。A.正離子柱區(qū)B.法拉第暗區(qū)C.陽(yáng)極輝光D.陰極輝光二、不定項(xiàng)選擇題21.常用的多晶硅薄膜的制備方法有（）。A.非晶硅晶化制備B.將多晶硅片切薄C.利用化學(xué)氣相沉積直接制備多晶硅薄膜D.對(duì)多晶硅片進(jìn)行熱處理22.對(duì)多晶硅薄膜的研究重點(diǎn)目前主要有（）。A.制備電池的工藝和方法，以便選用低價(jià)優(yōu)質(zhì)的襯底材料B.如何在廉價(jià)的襯底上，能夠高速、高質(zhì)量地生長(zhǎng)多晶硅薄膜C.摻雜氣體的選擇D.熱處理溫度的選擇23.二氧化鈦的晶體結(jié)構(gòu)有（）。A.板鈦礦B.金剛石C.銳鈦礦D.金紅石24.非晶硅晶化制備多晶硅薄膜的途徑有（）。A.快速熱處理晶化B.激光熱處理晶化C.金屬誘導(dǎo)固相晶化D.固相晶化25.非晶硅太陽(yáng)電池成本低原因在于（）。A.非晶硅薄膜僅有數(shù)百納米厚度B.可柔性化C.制備是在低溫下進(jìn)行D.廉價(jià)的襯底材料26.非晶硅太陽(yáng)電池的多品種和多用途在于（）。A.只要改變?cè)牧系臍庀喑煞只蛘邭怏w流量，便可使非晶硅薄膜改性B.色彩鮮艷C.根據(jù)器件功率、輸出電壓和輸出電流的要求，可以自由設(shè)計(jì)制造D.厚度低27.非晶硅太陽(yáng)電池相對(duì)與晶體硅太陽(yáng)電池的優(yōu)點(diǎn)在于（）。A.材料和制造工藝成本低B.易實(shí)現(xiàn)柔性電池C.具有S-W效應(yīng)D.易于形成大規(guī)模生產(chǎn)能力以及大面積化生產(chǎn)28.關(guān)于光致衰減效應(yīng)說(shuō)法正確的是（）。A.鑄造多晶硅沒(méi)有光致衰減B.在長(zhǎng)期輻照下，其光電導(dǎo)和暗電導(dǎo)同時(shí)下降，導(dǎo)致光電轉(zhuǎn)換效率降低C.簡(jiǎn)稱(chēng)S-W效應(yīng)D.在150～200℃熱處理又可以恢復(fù)原來(lái)的狀態(tài)29.關(guān)于D/A界面說(shuō)法正確的是（）。A.具有大電子親和能（EA）的材料被稱(chēng)為作電子受主，相當(dāng)于無(wú)機(jī)半導(dǎo)體中的P型材料B.電離電勢(shì)（IP）較小的材料被稱(chēng)為電子施主，相當(dāng)于無(wú)機(jī)半導(dǎo)體中的N型材料C.D/A界面處D型材料和A型材料存在能級(jí)差D.類(lèi)似于無(wú)機(jī)太陽(yáng)電池中的PN結(jié)30.化學(xué)氣相沉積直接制備多晶硅薄膜的方法有（）。A.熱絲化學(xué)氣相沉積制備多晶硅B.低壓化學(xué)氣相沉積制備多晶硅C.非晶硅晶化制備多晶硅薄膜D.等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積31.輝光放電系統(tǒng)中的I-V特性曲線(xiàn)可分為（）階段。A.電弧放電B.異常放電C.湯森放電D.正常放電32.可用于多孔納米晶薄膜的材料有（）。A.TiO2B.SnO2C.ZnOD.Al2O333.染料敏化太陽(yáng)電池的基本結(jié)構(gòu)包括（）。A.電解質(zhì)B.對(duì)電極C.染料敏化劑D.多孔納米晶薄膜34.染料敏化太陽(yáng)電池優(yōu)點(diǎn)有（）。A.較低的成本B.可制得柔性器件C.很好的裝飾功能D.簡(jiǎn)單的制備工藝35.銅銦鎵硒薄膜的制備方法有（）。A.電沉積B.印刷法C.后硒化D.多元分步蒸發(fā)36.旋涂成膜存在的問(wèn)題有（）。A.溶解性B.溶劑殘留C.薄膜的均勻性難以保證D.揮發(fā)性37.有機(jī)半導(dǎo)體薄膜成膜技術(shù)包括（）。A.絲網(wǎng)印刷技術(shù)B.有機(jī)氣相沉積法C.真空熱蒸發(fā)沉積D.旋轉(zhuǎn)涂層法38.有機(jī)太陽(yáng)電池產(chǎn)生電流的流程（）。A.運(yùn)輸?shù)紻/A界面處B.電子空穴分離C.產(chǎn)生激子D.吸收光子39.有機(jī)太陽(yáng)電池的層狀三明治疊層結(jié)構(gòu)包括（）。A.負(fù)電極B.透明襯底C.正電極D.有機(jī)半導(dǎo)體薄膜層40.有機(jī)太陽(yáng)電池基本的結(jié)構(gòu)模型有（）。A.雙層異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)B.單層同異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)C.PIN結(jié)構(gòu)D.單層混合膜異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)三、判斷題1.苝衍生物是一種應(yīng)用較多的光敏劑和A