山東省2020年（模擬卷）化 學(xué) 試 題

①AC（2）2：1不變（3）bc17.（1）O>C>Si>（2）1s22s22p63s23p63d104s24p2（或[Ar]3d104s24p2）；SiO2；二者均為原子晶體，Ge原子半徑大于Si，Si－O鍵長小于Ge－O鍵長，SiO2鍵能更大，熔點更高。（3）sp2；熱水破壞了硼酸晶體中的氫鍵，并且硼酸分子與水形成分子間氫鍵，使溶解度增大。（4）4，【解析】（1）電負(fù)性的變化規(guī)律為同周期從左向右逐漸增大，同主族由上至下逐漸減小，所以電負(fù)性O(shè)>C>Si；第一電離能的變化規(guī)律為同族元素由上至下逐漸減小，因此I1(Si)>I1(Ge)。（2）Ge原子位于第四周期IVA族，因此原子核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p2（或[Ar]3d104s24p2）；SiO2、GeO2均為原子晶體，Ge原子半徑大于Si，Si－O鍵長小于Ge－O鍵長，SiO2鍵能更大，熔點更高。（3）B原子最外層有3個電子，與3個－OH形成3個共價鍵，因此為sp2雜化。熱水破壞了硼酸晶體中的氫鍵，并且硼酸分子與水形成分子間氫鍵，使溶解度增大。（4）原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為（0.5，0.2，0.5）的Cs原子位于晶胞體內(nèi)，原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為（0，0.3，0.5）及（1.0，0.3，0.5）的Cs原子位于晶胞的yz面上，原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為（0.5，0.8，1.0）及（0.5，0.8，0）的Cs原子位于晶胞xy面上，原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)為（0，0.7，1.0）及（1.0，0.7，1.0）（0，0.7，0）及（1.0，0.7，0）的Cs原子位于晶胞平行于y軸的棱上，利用均攤法可計算該晶胞中共含Cs原子4個；帶入晶胞密度求算公式可得：ρ=g·cm-318【答案】（1）先通入過量的CO2氣體，排除裝置內(nèi)空氣，打開K1，關(guān)閉K2和K3；打開K2和K3，同時關(guān)閉K1。濃硫酸，吸收多余的溴蒸氣同時防止外界的水蒸氣使產(chǎn)物水解；防止產(chǎn)品四溴化鈦凝固成晶體，堵塞連接管，造成危險。排出殘留在裝置中的TiBr4和溴蒸氣直形冷凝管、溫度計（量程250°C）19．（1）反應(yīng)中產(chǎn)生氫氣，達(dá)一定濃度后易爆炸，出現(xiàn)危險，需要通風(fēng)。（2）Zn+Cu2+=Zn2++Cu2+（3）b，MnO2和Fe(OH)3（4）避免產(chǎn)生CO等有毒氣體；尾氣中含有的SO2等有毒氣體（5）ZnSO4、BaS、Na2S；4ZnSO4+BaS+3Na2S=BaSO4·4ZnS+3Na2SO420.（1）；氧化反應(yīng)；羰基和羧基；（2）（3）（4）【解析】由題目中所給信息，可推導(dǎo)出合成路線為（1）A的結(jié)構(gòu)簡式為，的過程為氧化過程；C中含有雙官能團(tuán)分別為羰基和羧基；C→D的過程發(fā)生的是酯化反應(yīng)，方程式為（2）根據(jù)題目中要求，D（）的同分